“刘雯娇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种快恢复二极管及其制备方法-CN202311090312.1在审
发明人：刘庆红;王军;刘雯娇;刘鹏飞;沈海波 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，包括元胞区、围绕元胞区设置的主结区和围绕主结区设置的终端区，还包括：于元胞区中设置穿过元胞区且与主结区同时形成的一掺杂区域。有益效果：通过在元胞区中设置穿过芯片中心区域的和主结同时形成的掺杂区域，使得电流不仅向四周发散，同时也流向芯片中心区域，从而可以有效改善电流集边效应；在不增加快恢复二极管制备工艺步骤情况下，改善了快恢复二极管的集边效应，提高了芯片的可靠性。
一种恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种提高阈值电压一致性的碳化硅半导体器件制造方法-CN202310773224.5在审
发明人：刘鹏飞;张伟;刘雯娇;刘庆红;沈海波;王军 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种提高阈值电压一致性的碳化硅半导体器件制造方法，包括，步骤S1，在外延片上通过光刻获得第一掺杂层和第一阱区，步骤S2，沉积可控制厚度的一多晶硅层，对多晶硅层的表面进行氧化第一氧化层，通过设置阻挡层确定第三离子注入区的蚀刻位置；步骤S3，对第一氧化层和多晶硅层进行蚀刻，获得位于第一阱区的边缘的上方的可控制宽度的矩形状侧墙；本发明通过使用矩形的侧墙工艺，不但解决了沟道长度不一致的问题，也解决了第二掺杂离子杂质分布不均匀的问题，大大提高了阈值电压的一致性，为器件在车上并联使用提供了便利。
一种提高阈值电压一致性碳化硅半导体器件制造方法

[发明专利]场限环-沟槽负斜角复合终端结构的制备方法-CN202011005385.2有效
发明人： 刘雯娇;刘琦;李恩求;李铁生;徐西昌 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及场限环‑沟槽负斜角复合终端结构及其制备方法，步骤为：制备器件的有源区和终端区，终端区设置至少一个以上的场限环；用掩模版1进行掩蔽曝光，在终端区刻蚀垂直沟槽；用掩模版2进行掩蔽曝光，在终端区进行二次刻蚀，形成负斜角沟槽；在负斜角沟槽区填充氮氧化硅绝缘材料，最后进行背面减薄、镀金及三端电极引出，得到场限环‑沟槽负斜角复合终端结构。本发明适用于功率MOS器件的场限环‑沟槽负斜角复合终端结构，由于工艺简单，高温稳定性好，并且能在芯片面积与击穿电压两者之间取得较好的折衷，因此，该复合终端也可推广到IGBT和IEGT等功率器件。
场限环沟槽斜角复合终端结构制备方法

[发明专利]垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件-CN202111237767.2有效
发明人： 刘雯娇;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直DMOSFET及其制备方法、BCD器件，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题，该垂直DMOSFET包括，P型衬底；在P型衬底上表面形成的NBL埋藏层；在NBL埋藏层上表面形成的N型外延层；在N型外延层上表面形成的氧化层；N型外延层内依次设有N‑Well区和P‑Body区；N‑Well区的上表面设置有N+接触区，形成漏极，N‑Well区的底端与NBL埋藏层相连通；P‑Body区的上表面设置有N+接触区，形成源极；N型外延层的上表面自下至上依次设置有栅氧化层和多晶硅层，形成栅极。
垂直 dmosfet 及其制备方法 bcd 器件

[发明专利]一种纵向BCD器件及其制备方法-CN202111237759.8有效
发明人： 刘雯娇;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向BCD器件及其制备方法，主要解决现有LDMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。本发明纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW，使得HVPW与N型外延层N‑EPI之间形成二极管。当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿。该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD中的CMOS器件造成的影响。
一种纵向 bcd 器件及其制备方法

[发明专利]一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法-CN202111237760.0有效
发明人： 刘雯娇;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法。主要解决现有DMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。该纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW和P型埋层PBL，使得HVPW、PBL与N型外延层N‑EPI之间形成二极管，当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW、PBL之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿，该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD器件中的CMOS器件造成的影响，同时PBL埋层作为BCD器件中寄生管NPN晶体管的基区，可通过调节其浓度来抑制寄生管NPN晶体管的导通。
一种能够抑制寄生纵向 bcd 器件及其制备方法

[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法-CN202111065763.0在审
发明人： 刘雯娇;杨世红 -专利权人：陕西亚成微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管及制备方法，管中，N型埋层层叠于P型衬底的上表面，N型埋层内注入有N型离子，N型外延层层叠于N型埋层的上表面，N型外延层内设有注入P型离子的P阱，P阱包括背栅P区和分压隔离环P区，背栅P区内分别形成有N+接触区，N+接触区注入有N型离子，栅氧化层层叠于N型外延层的上表面，栅氧化层上形成有多晶硅栅极，中间介质层层叠于栅氧化层及多晶硅栅极上，D端接触孔依次穿通中间介质层、栅氧化层、N型外延层及N型埋层，S端接触孔依次穿通中间介质层、栅氧化层及N+接触区，G端接触孔依次穿通中间介质层与多晶硅栅极。
垂直扩散金属氧化物半导体场效应制备方法

[发明专利]分段式复合场板的终端结构-CN202011201439.2在审
发明人：刘琦;杨乐;刘雯娇 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提出一种分段式复合场板的终端结构，隶属于功率半导体器件技术领域。本发明包括环注入区、多晶硅、短场板、接触孔、以及截止环金属；环注入区位于栅极引线外侧，多晶硅位于环注入区外侧；环注入区和多晶硅重复排布多组；截止环金属在最后一个多晶硅外侧，是芯片最外面一圈结构；短场板在环注入区和多晶硅上面，通过接触孔实现和环注入区的连接；短场板在多晶硅的上面阵列式排列形成多晶硅和短场板的阵列区。该结构解决了在实现金属场板和场限环的连接时会遇到场限环间距太近、接触孔和金属边缘距离不够、导致金属间距不能满足金属湿法刻蚀工艺要求的问题，在有限的终端面积上实现了更高的耐压，同时还提高了器件抗热应力的能力。
段式复合终端结构

[实用新型]一种污水处理厂的进水泵-CN201921130776.X有效
发明人：赵志丽;张宁;刘雯娇;连龙飞;苏倩;刘东洋;郑卓越 -专利权人：中原环保股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： F04D13/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种污水处理厂的进水泵，包括底板、支撑板和泵体，所述底板上表面四周焊接有减震器，所述减震器顶端焊接有所述支撑板，所述支撑板中部一侧设有电机，所述电机一侧设有所述泵体，所述泵体的外侧面顶端设有出液管，所述出液管顶端口焊接有第一法兰盘，所述泵体的外侧面前端设有进液管，所述进液管的顶端焊接有第二法兰盘，所述支撑板上表面位于所述电机一侧设有电源开关，所述电源开关与所述电机的输入端电性连接。有益效果：安装的减震器减少污水泵在移动或者工作时的损害，延长设备的使用寿命，锁止万向轮方便进水泵的移动，推杆和把手更加便于移动，节省使用者的体力，工具箱便于对设备的维修和使用。
一种污水处理进水

[实用新型]一种用于污水处理厂干化车间的污泥储料仓-CN201920988839.9有效
发明人：赵志丽;张宁;刘雯娇;连龙飞;苏倩;刘东洋 -专利权人：中原环保股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： B65G65/32 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于污水处理厂干化车间的污泥储料仓，料仓的左侧壁和右侧壁呈倾斜状态，使得料仓的横截面呈倒梯形；料仓的前侧壁和后侧壁呈倒梯形，且二者竖直设置；料仓内设有螺旋机构，螺旋机构的转轴通过前侧壁和后侧壁安装；料仓设有震荡机，震荡机设置在左侧壁或者右侧壁；料仓上侧设有第一螺旋传送机，第一螺旋传送机下侧设有入料口；料仓下侧设有第二螺旋传送机，料仓底部设有出料口。第一螺旋传送机传送到料仓上侧的污泥，通过入料口进入料仓，料仓内的螺旋机构运行，在污泥中形成扰动较少堆积，通过振荡器的震动能够避免污泥堆积，污泥通过出料口进入第二螺旋传送机。该料仓结构具有较高的出泥效率，保证干化机安全连续稳定进料。
一种用于污水处理厂干化车间污泥储料仓

[实用新型]一种用于污水处理厂干化车间的传送机构-CN201920988840.1有效
发明人：赵志丽;张宁;刘雯娇;张聪;刘东洋 -专利权人：中原环保股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： B65G37/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于污水处理厂干化车间的传送机构，包括：三个传送带和一个螺旋传送装置，螺旋传送装置架设于两个泥仓上侧，螺旋传送装置包括U型槽和螺旋推送杆，螺旋推送杆位于U型槽内，U型槽位于泥仓上侧的底部具有落料口；传送带一端位于板框机下侧，其中两个传送带的另一端位于泥仓上侧，第三个传送带的另一端位于螺旋传送装置上侧，三个传送带的传送方向均从板框机一侧向螺旋传送装置一侧传送；螺旋推送杆的推送方向是从第三个传送带所在一侧向料仓所在一侧推送。该传送机构实现了三台板框设备压滤的泥饼，输送至两台干化机中，解决了设备一对一的生产状况，提高了板框机的利用率，进而提高了生产效率。
一种用于污水处理厂干化车间传送机构

[实用新型]一种用于污水处理厂放空井的闸门装置-CN201921128205.2有效
发明人：赵志丽;张宁;刘雯娇;苏倩;张聪;刘东洋 -专利权人：中原环保股份有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： E03F7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于污水处理厂放空井的闸门装置，包括：支架、手柄、长杆和抓手；所述支架固定在放空井的井沿上，所述支架的中部设有定位环，所述定位环位于所述放空井的阀门的正上方；所述长杆穿过所述定位环，所述长杆的下端固定所述抓手，所述长杆的上端固定所述手柄；所述抓手与所述阀门的开关配合，二者能够同步转动。该阀门装置直接卡放在放空井的阀门上，需要打开或关闭放空井时，直接在井上操作手柄，手柄转动通过长杆带动抓手和开关同时转动，能够实现对阀门的开关操作，操作人员不用下井就可以开关放空井阀门，既方便操作又安全可靠。
一种用于污水处理放空闸门装置

[实用新型]层叠结构栽培容器-CN201220161262.2有效
发明人：侯荣琦;王太华;于堃;侯静文;刘雯娇;周婷婷;刘安庆;王钊 -专利权人：侯荣琦
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：层叠结构栽培容器。一种层叠结构的栽培容器，彻底颠覆了栽培容器的传统功能与平面摆放的种植模式，既是盛载植物及栽培基质的栽培容器，又是结构构件。是若干开口的几何体壳体容器构件遵循自然规律，按规则在三维空间以一定的开口方向（相对与水平面和朝向）纵横并合（间隔）层叠、排列或交错并合（间隔）层叠、排列架构成另外的一定几何形状、任意空间几何尺寸的组合立体栽培表面。它能以自体强度架构空间任意造型穹隆结构的立体绿化面，也可以依附（包裹）墙（柱）体、护坡外表形成栽培面，还可以纵横链接成直（斜）立面悬（披）挂栽培表面美化路街栅栏，甚至，电线杆、路灯杆上也能搭建设施栽花种草。充分的、立体的绿化、美化、净化环境。
层叠结构栽培容器

[发明专利]层叠结构栽培容器-CN201210111673.5无效
发明人：侯荣琦;王太华;于堃;侯静文;刘雯娇;周婷婷;刘安庆;王钊 -专利权人：侯荣琦
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：一种层叠结构的栽培容器，彻底颠覆了栽培容器的传统功能与平面摆放的种植模式，既是盛载植物及栽培基质的栽培容器，又是结构构件。是若干开口的几何体壳体容器构件遵循自然规律，按规则在三维空间以一定的开口方向（相对与水平面和朝向）纵横并合（间隔）层叠、排列或交错并合（间隔）层叠、排列架构成另外的一定几何形状、任意空间几何尺寸的组合立体栽培表面。它能以自体强度架构空间任意造型穹隆结构的立体绿化面，也可以依附（包裹）墙（柱）体、护坡外表形成栽培面，还可以纵横链接成直（斜）立面悬（披）挂栽培表面美化路街栅栏，甚至，电线杆、路灯杆上也能搭建设施栽花种草。充分的、立体的绿化、美化、净化环境。
层叠结构栽培容器

1
共 14 条