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[实用新型]一种取单晶硅多晶棒装置-CN202223245338.2有效
发明人：龚小伦;关树军;洪华;路建华;曾宏强 -专利权人：乐山市京运通新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种取单晶硅多晶棒装置，包括支撑架和盒子，所述支撑架置于所述盒子的内部，在所述支撑架与所述盒子之间设置一个垫板，所述垫板放置于盒子的内部，所述盒子的底部与所述垫板组合装置用于承接所述支撑架与所述支撑架内部的多晶棒所述支撑架为一个四脚结构，所述支撑架的上端具有一个镂空的圆柱体结构，用于放置多晶棒。本实用新型的取单晶硅多晶棒装置在放置多晶棒时，盒子通过使用耐高温材质制得的垫板，避免多晶棒与金属的直接接触，出现炸裂现象时，盒子用于承装多晶棒碎料，有效减少了多晶棒碎料的杂质污染，提高了二次使用率，降低了单晶硅的生产成本
一种单晶硅多晶装置

[实用新型]一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置-CN201820627841.9有效
发明人：汪成洋;张孝山;陈斌 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种多晶硅硅棒预处理装置及破碎装置。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置包括加热装置以及冷却装置，冷却槽内盛放有超纯水，将多晶硅硅棒输送至加热通道中，经过加热通道将多晶硅硅棒加热至预设温度，并从加热通道的出口端输出，置于第二传送装置的进料口，经过超纯水的冷却后，通过第二传送装置传送至出料口，输送至现有的破碎装置中，轻轻敲击就能达到破碎多晶硅棒的效果。本实用新型提供的多晶硅硅棒预处理装置具备有破碎效率高，结构简单、操作方便、节约资源且不易污染多晶硅硅棒的有益效果。本实用新型提供的破碎装置，包括上述的多晶硅硅棒预处理装置，因此也具有上述的有益效果。
多晶硅硅棒预处理装置本实用新型破碎装置加热通道传送装置超纯水破碎多晶硅棒加热装置节约资源冷却装置出口端出料口多晶硅进料口冷却槽敲击盛放预设加热冷却传送输出污染

[实用新型]具有硅棒预热器的磷检炉-CN201020178370.1无效
发明人：陆俊宏;钱承荣;白锐;施宇 -专利权人：雅安永旺硅业有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有硅棒预热器的磷检炉。该具有硅棒预热器的磷检炉，包括炉体(1)、转轴(10)、夹具(11)，转轴(10)一端固定于炉体(1)顶部，另一端位于炉体(1)内并与夹具(11)一端固定连接，夹具(11)另一端为用于固定多晶硅检验棒(2)的夹持部，所述多晶硅检验棒(2)下方设有高频线圈(3)，多晶硅检验棒(2)侧面临近多晶硅检验棒(2)处设有硅棒预热器(4)。本实用新型以辐射传热的形式加热多晶硅检验棒，用以替换现有技术中采用钼丝缠绕检验棒直接加热，避免了多晶硅在加热过程中，金属杂质挥发，沾污多晶硅检验棒，保证检测的准确性。
具有预热器磷检炉

[发明专利]一种多晶硅中碳含量的检测方法-CN202111580332.8在审
发明人：刘翠;杨伟;李阳;于生海 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明为一种多晶硅中碳含量的检测方法。一种多晶硅中碳含量的检测方法，所述的检测方法包括以下步骤：(1)取样，获得多晶样棒；(2)所述的多晶样棒进行清洗，得清洗后的多晶样棒；(3)将所述的清洗后的多晶样棒安装在区熔炉内，炉内先抽真空再充氩气后，加热，拉制成单晶棒；(4)将所述的单晶棒制成单晶片后，测定碳含量。本发明所述的一种多晶硅中碳含量的检测方法，可将检测过程的影响降低到最低水平，使检测结果充分体现出多晶硅料中实际的碳含量。
一种多晶硅中碳含量检测方法

[发明专利]成品多晶硅棒的包装方法-CN201810014858.1有效
发明人：陈建生;李海龙;蒋鹏;王玉丽;陈文岳;马永飞 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B65B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种成品多晶硅棒的包装方法，包括以下步骤：(1)使用保护膜将成品多晶硅棒包裹起来；(2)在风琴袋上设置用于封口的封口线、折叠后用于固定缓冲的握边缓冲线，握边缓冲线距离风琴袋的开口的距离大于封口线距离风琴袋的开口的距离；(3)将包裹好的成品多晶硅棒装入风琴袋中；(4)通过风琴袋的封口线将风琴袋封口；(5)顺着握边缓冲线折叠，对风琴袋内的成品多晶硅棒进行固定缓冲。该方法降低成品多晶硅棒包装过程中包装袋破损损失和综合损失，可使成品多晶硅棒包装成本下降20～30％；避免了多晶硅棒破碎后，进行运输过程中碎料和粉末状的多晶硅质量损失2～5％；由于无需进行多晶硅棒的破碎工序，保障多晶硅高纯质量。
成品多晶包装方法

[发明专利]多晶硅棒的切断方法、多晶硅棒的短棒的制造方法、多晶硅棒的硅粒的制造方法及多晶硅棒的切断装置-CN202080033334.2在审
发明人：阪井纯也;田崎博之 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B28D7/02 文献下载
摘要：本发明实现一种在切断多晶硅棒时防止金属污染的方法。本发明的切断方法是包括利用切断工具(133)切断多晶硅棒(S)的切断步骤的多晶硅棒(S)的切断方法，且在切断步骤中，从第一喷嘴(14)向多晶硅棒(S)的切断位置供给液体(L1)，从第二喷嘴(15)向多晶硅棒
多晶切断方法制造装置

[发明专利]多晶硅棒以及多晶硅棒的制造方法-CN201180033481.0有效
发明人：祢津茂义;久米史高;冈田淳一 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G01N29/12 文献下载
摘要：本发明通过简便地挑选较硬的多晶硅棒，提供不易破裂的高品质的多晶硅棒。用卷尺测定多晶硅棒(100)的长度，接着，用锤(120)进行多晶硅棒(100)的敲击，将该敲击音通过传声器(130)收录到录音器(140)中。然后，对敲击音的音响信号进行快速傅立叶变换，显示频率分布。求出多晶硅棒的长度(L)与峰值频率f的关系，通过峰值频率f是否属于f≥1471/L的区域(A区域)来判断多晶硅棒的硬度。
多晶以及制造方法

[实用新型]一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置-CN202122156712.0有效
发明人：王德志;高尚谦 -专利权人：山东双辉机电设备有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B24B7/16 文献下载
摘要：本实用新型属于多晶硅加工技术领域，尤其涉及一种去除原生多晶硅棒端面石墨的装置，包括加工平台、粗加工装置、夹持台、安装台、马达和精磨刀具，粗加工装置由底座、粗磨筒、螺纹管、碎屑盒、粗磨面和漏孔组成，加工平台的左侧固定安装有电动伸缩装置该去除原生多晶硅棒端面石墨的装置，在对多晶硅棒进行粗加工时，将多晶硅棒放置在粗磨筒的内部，使多晶硅棒的端面与粗磨面和接触，转动多晶硅棒，对多晶硅棒的端面进行粗磨，磨削产生的碎屑会从漏孔漏下，掉落在碎屑盒的内部
一种去除原生多晶端面石墨装置

[实用新型]一种多晶硅棒破碎装置-CN201821914014.4有效
发明人：李强;白忠学;陈立军;白喜军;王雪峰 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种多晶硅棒破碎装置，包括壳体、盛料篮和冷却介质；壳体顶端开口；盛料篮用于放置多晶硅棒，盛料篮的开口方向与壳体的开口方向一致，并放置于壳体内，盛料篮的非开口面上开设有若干通孔，盛放于壳体内的冷却介质通过通孔流入或流出盛料篮，冷却介质与放置于盛料篮中的多晶硅棒接触，利用冷却介质与多晶硅棒的温度差，使多晶硅棒破碎，冷却介质与多晶硅棒的温度差至少为70摄氏度。本实用新型利用冷却介质与多晶硅棒的温度差实现破碎，破碎效率高且无金属污染。
多晶硅棒冷却介质盛料篮温度差破碎本实用新型开口方向壳体通孔开口体内金属污染壳体顶端破碎装置盛放流出

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅-CN201580023889.8有效
发明人：宫尾秀一;祢津茂义;冈田哲郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：在本发明中，暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒，然后将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验，利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力，而且，没有引起金属污染的风险，也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施，也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明，可以得到基于2θ‑sin²Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒，以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时，能够得到优质的单晶硅。
多晶制造方法以及单晶硅

[发明专利]硅片加工方法、刻槽主辊和切片设备-CN201911059302.5在审
发明人：郭庆红;李飞龙;熊震;朱军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;洛阳阿特斯光伏科技有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片加工方法、刻槽主辊和切割设备，其中，硅片加工方法包括：获取多晶硅棒的红外图像；根据所述红外图像确定所述多晶硅棒中杂质点的位置和尺寸；根据所述杂质点的位置将所述多晶硅棒中尺寸大于预设尺寸的杂质点去除；将所述多晶硅棒进行粘结以形成待切割硅棒；对所述待切割硅棒进行金刚线切割，以获得硅片。根据本发明的方法和设备，可以降低多晶硅棒加工成薄硅片的难度，提高加工效率，更利于硅片的薄片化。
硅片加工方法刻槽主辊切片设备

[发明专利]多晶硅棒的裂纹产生方法和裂纹产生装置-CN201010239811.9有效
发明人：林田周平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅棒的裂纹产生方法及裂纹产生装置。多晶硅棒的裂纹产生方法在对多晶硅棒加热后进行急冷，由此产生裂纹，其特征在于，该方法具有将冷却流体喷射到上述多晶硅棒的表面的一部分以在其表面成为点状的局部冷却工序。
多晶裂纹产生方法装置

[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783400.7在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： B65B5/04 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块-CN201910783086.2在审
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103)，将硅多晶棒取出到反应器外(S104)，进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。
多晶棒多晶硅棒塑料制袋反应器清洗保管蚀刻亚硝酸根离子硝酸根离子表面污染多晶硅块金属污染西门子法氟离子合成硅内表面密闭覆盖热封收容取出残留制造

[实用新型]多晶硅还原炉电极棒分布结构-CN201120229699.0有效
发明人：郑飞龙;程佳彪;许国文;茅陆荣 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，包括底盘，所述底盘上设有进气口、电极座，所述电极座上安装有电极体，所述电极体上连接多晶硅棒，所述电极座在底盘上呈正多边形分布。本实用新型多晶硅还原炉电极棒分布结构，通过电极座、电极体、多晶硅棒的正多边形分布，以及进气口位于正多边形的中心位置，使得混合气进气均匀，流场稳定，进而使得还原炉内硅棒的生长均匀。同时，相同的多晶硅棒数量的前提下，可以有效减小多晶硅还原炉的直径，减小设备体积，降低设备制造成本并减少多晶硅厂房占地面积。
多晶还原电极分布结构