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[实用新型]多晶硅破碎台-CN200820182364.6无效
发明人：刘文;王荣跃 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F24C15/20 文献下载
摘要：一种多晶硅破碎台，包括破碎台表面，多晶硅棒置于该破碎台表面上以便进行破碎，其特征在于，所述破碎台表面由高纯硅层的表面形成。本实用新型的多晶硅破碎台在工作时，将待破碎的多晶硅棒放置在由高纯硅形成的破碎台表面上，并用汽锤等机械方式击打破碎该多晶硅棒以形成碎硅块。当外力冲击造成破碎台表面磨损时，所产生的碎屑会混入多晶硅棒形成的碎硅块中，但是由于该碎屑本身就是高纯硅，因此，不会造成产品纯度下降，有利于后续拉制单晶的进行。
多晶破碎

[发明专利]多晶硅棒和用于生产多晶硅的方法-CN201280063457.6有效
发明人：米哈伊尔·索芬;埃里克·多恩贝格尔;赖纳·佩什 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2012-12-12 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及包含具有0.01至20mm厚度的由多晶硅制成的外层的多晶硅棒。所述外层包含具有大于20μm的平均尺寸的微晶。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在第二步骤的沉积中棒的温度相对于第一步骤升高至少50℃，在第二步骤的沉积中反应气体中含硅组分的浓度是5mol％或更小并且含硅组分的供应是每1m²棒表面为0.25mol或更少。本发明进一步涉及通过将包括含有硅的组分并且包含氢气的反应气体引入反应器中用于生产多晶硅的方法，由此，以棒的形式沉积多晶硅，其特征在于，在沉积结束之后，在棒状多晶硅周围流动无污染气体并且棒状多晶硅用由塑料制成的袋覆盖并且从反应器移开
多晶用于生产方法

[发明专利]多晶硅还原炉和多晶硅化学气相沉积方法-CN202110226249.4在审
发明人：吴锋;黄金发;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体材料科技有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅还原炉和多晶硅化学气相沉积方法。其中，多晶硅还原炉包括：炉体；以及炉顶，所述炉顶设在所述炉体的顶部，所述炉顶的内表面设有热反射涂覆层。该多晶硅还原炉的炉顶内表面设有热反射涂覆层，由此，可以有效地将热量反射至硅棒顶部，从而提高硅棒顶部的温度，使该部分硅棒的温度与硅棒整体一致，对该部分硅棒的沉积起到积极作用，进而有效提高产品的良率。
多晶还原化学沉积方法

[发明专利]一种颗粒状多晶硅中O、C、Ⅲ、Ⅴ族元素的检测方法-CN201910290250.6有效
发明人：李辉;宗凤云;贺珍俊;高云龙;宋佳宁;董燕军;曹忠 -专利权人：内蒙古神舟硅业有限责任公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒状多晶硅中O、C、Ⅲ、Ⅴ族元素的检测方法，包括实验样棒制作检测单元、对比样棒制作检测单元和颗粒状多晶硅元素含量计算单元，由于颗粒状多晶硅本身的颗粒性，不具备直接低温红外检测的条件，采用常规的在石英坩埚里直接熔化拉单晶或者利用容器(如石英管)熔成棒状，都会不同程度地给样品带来污染，无法得到颗粒硅真实杂质含量。而本方案使用高纯的母料棒作为颗粒状多晶硅的载体，并分别测出高纯母料样棒的杂质浓度，以及混合单晶样棒的杂质浓度，利用差减法可以精确的计算出颗粒状多晶硅中的杂质含量。
一种颗粒状多晶元素检测方法

[发明专利]一种多晶硅棒制备方法及装置-CN202310680277.2在审
发明人：杨明财;王海礼;魏东亮 -专利权人：青海亚洲硅业多晶硅有限公司;亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海亚洲硅业半导体有限公司;青海亚洲硅业硅材料有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅棒制备方法及装置，属于多晶硅棒制备技术领域，多晶硅棒制备方法包括如下步骤：在第一阶段时，首先生产一定量的致密料作为支撑，在第二阶段时，可以对疏松料进行生产，在第三阶段时，再次对致密料进行生产本发明公开的多晶硅棒制备方法根据需要事先对多晶硅棒中的致密料和疏松料的比例进行设定，当多晶硅棒加工完成后，其中的致密料和疏松料刚好为拉制时需要的比例，之后直接将整个多晶硅棒全部敲碎即可进行包装，操作简单快捷
一种多晶制备方法装置

[发明专利]一种多晶硅高效破碎装置-CN202310030636.X在审
发明人：徐建均;周同义;王强 -专利权人：南通友拓新能源科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅高效破碎装置包括破碎装置主体、多晶硅清洗装置、破碎装置控制主机、破碎腔封盖、激光破碎装置、激光破碎腔，在多晶硅底座上设置有中心刻度线，通过调整多晶硅棒在中心刻度线上的位置，方便多晶硅定位选择合适的击碎点，通过旋转组件的转动来调节激光器的角度改变照射点，从而调节多晶硅的破碎点，方便操作，在破碎装置主体的一侧设置有多晶硅清洗装置，通过多晶硅清洗装置对多晶硅表面进行清洗，去除杂质颗粒，保证破碎后的多晶硅粒的纯净度，通过激光照射使得多晶硅局部区域吸收激光能量后被瞬时加热，瞬间加热后发生膨胀导致破碎，取代了现有的手工破碎多晶硅棒的方法，提高破碎多晶硅棒的效率。
一种多晶高效破碎装置

[发明专利]一种单晶铜键合线的制备方法-CN202210990905.2在审
发明人：陈斌;李鹤 -专利权人：成都万智汇科技有限公司;嘉兴固美科技有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B21C37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶铜键合线的制备方法，包括如下步骤：将多晶铜棒通过挤压处理制得多晶铜细棒；将多晶铜细棒经过多道次拉拔，制得多晶铜细线；将多晶铜细线进行退火处理，制得单晶铜键合线。以多晶铜坯料为初始原料，摒弃以昂贵的单晶铜棒材为原料的限制，操作简单、成本低。
一种单晶铜键合线制备方法

[发明专利]电子级多晶硅破碎方法-CN202310420218.1在审
发明人：张天雨;田新;蒋文武;李明峰;王付刚;崔会为;袁北京 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅破碎方法。电子级多晶硅破碎方法包括：将多晶硅棒切割为多个多晶硅段，所述多晶硅段的长度为10cm‑50cm；对所述多晶硅段进行加热处理；利用喷射组件向加热处理后的所述多晶硅段的柱面和至少一个侧面喷射冷却液，使所述多晶硅段破碎由此，通过先将多晶硅棒切割为较短的多晶硅段，之后通过加热和急冷处理，使多晶硅破碎为所需的尺寸，破碎效果较好。
电子多晶破碎方法

[发明专利]一种单晶硅棒的制造方法-CN201910713504.0有效
发明人：周嘉浩;李强;涂准 -专利权人：宁夏隆基硅材料有限公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种单晶硅棒的制造方法，所述单晶硅棒的制造方法包括：将原生多晶硅料装入坩埚中；加热熔化所述坩埚内的原生多晶硅料，得到原始硅液；将所述原始硅液进行提纯，得到硅液；在所述硅液中执行引晶、放肩、等径操作，以得到单晶硅棒，其中，在所述等径操作过程中发生晶棒断线时，执行重新熔化所述晶棒断线处的固态硅以及续接拉晶的操作。本发明实施例中可以提高单晶硅棒的品质，降低所述单晶硅棒的断线率，提高所述单晶硅棒的整根率。在所述单晶硅棒用于生产多晶硅时，可以相应提高所述多晶硅的品质。
一种单晶硅制造方法

[发明专利]一种24对棒多晶硅还原炉供电系统-CN201110154310.5有效
发明人：王清华 -专利权人：重庆大全新能源有限公司
申请日： 2011-06-09 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种24对棒多晶硅还原炉供电系统，多晶硅还原炉中的24个硅棒对呈外环一、外环二、外环三、中环一、中环二和内环排列，供电系统包括运行电源、高压启动电源、三相三绕组变压器、第一功率柜、第二功率柜本发明公开的24对棒多晶硅还原炉供电系统中，减小了占地面积；另外，多晶硅还原炉中的硅棒对呈外环、中环和内环排列，仅仅位于外环的硅棒对由高压启动电源启动，因此只有与位于外环的硅棒对对应的电极和电缆需要采用高绝缘等级材料制作，与现有的24对棒多晶硅还原炉供电系统相比，可以减少电极和电缆产生的费用。
一种 24 多晶还原供电系统

[实用新型]提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装-CN201120269561.3有效
发明人：葛相麟;周帆;周静 -专利权人：江苏兆晶光电科技发展有限公司
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装，用于将多晶硅棒粘结在底板和玻璃基板上，包括水平的底板和垂直的靠板，所述的靠板中部具有长槽，靠板上长槽的两端还具有用于微调多晶硅棒位置的调节杆。本实用新型的提高多晶硅切片成品率的专用粘胶工装结构简单，制作方便，便于清除多晶硅棒内侧面上的胶水，有利于后续操作。
提高多晶切片成品率专用粘胶工装

[实用新型]一种金刚石切割多晶硅棒的输送装置-CN201920535271.5有效
发明人：刘爱军;曹丙强;庄艳歆;周浪 -专利权人：江苏金晖光伏有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： B65G13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金刚石切割多晶硅棒的输送装置，包括低位安装架、高位安装架和驱动电机，所述低位安装架和高位安装架之间设有倾斜设置的固定框，所述固定框的两侧分别与低位安装架和高位安装架固定连接，所述固定框内通过运输机构连接有输送带本实用新型通过设置运输机构和固定机构的配合，从而可防止多晶硅棒掉落，当运输到高位安装架处时，由于重力作用会带动多晶硅棒下落从而会带动挡板转动，从而带动挡板打开，从而可使得多晶硅棒下落，从而可完成多晶硅棒的输送，从而使得多晶硅棒的输送效率提高。
多晶硅棒高位安装固定框低位安装输送带本实用新型固定机构运输机构金刚石切割挡板打开等距排列倾斜设置驱动电机输送效率输送装置重力作用挡板防护板掉落转动运输配合

[实用新型]一种还原后多晶硅棒材表层毛刺、发黑去除装置-CN202223336540.6有效
发明人：马英中;陈彦玺;王盼盼;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;董德智;路小卫;马强龙;陈朝霞 -专利权人：宁夏润阳硅材料科技有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种还原后多晶硅棒材表层毛刺、发黑去除装置，固定平台上设置有第一驱动装置、垂直设置的导向杆和第二驱动装置，移动平台开设有导向孔，导向杆与导向孔导向滑动配合，第一驱动装置驱动移动平台沿着导向杆垂直移动通过该装置对多晶硅棒车削操作代替人工打磨，提高工作效率，该装置对多晶硅棒车削操作的精度高，本装置加工多晶硅棒的尺寸无限制，在车削操作过程中，多晶硅棒处于竖直状态，从而能够避免多晶硅棒因水平悬臂设置导致其在自重作用下容易折断
一种还原多晶硅棒材表层毛刺发黑去除装置

[发明专利]多晶硅的包装-CN201680021564.0有效
发明人： W·拉萨鲁斯;F·贝格曼;M·菲茨 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： B65B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及包装多晶硅的方法，所述方法包括：以在反应器中以棒形式沉积多晶硅所产生的破碎多晶硅棒的块的形式提供多晶硅，清洁所述多晶硅，包装所述多晶硅，其中所述多晶硅在清洁期间位于工艺碗中，其中将工艺碗中的多晶硅包装到塑料袋中，其中所述工艺碗和塑料袋被固定至填充单元中，该填充单元被设置为旋转，以使得多晶硅从工艺碗滑入塑料袋中。
多晶包装

[发明专利]太阳能级多晶硅产品及其生产方法-CN201810335325.3在审
发明人：齐林喜;陈建宇;郝爱科;赵亮 -专利权人：内蒙古盾安光伏科技有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：太阳能级多晶硅产品及其生产方法。该多晶硅产品包括硅芯和围绕硅芯长成的多晶硅体。在该多晶硅棒产品的横截面上，多晶硅体形成大致椭圆形，硅芯则形成基本居中位于椭圆形内的大致矩形。本发明的椭圆棒多晶硅产品物理性能好，有利于后续高效运输，并能以更经济的方式生产。
硅芯太阳能级多晶硅多晶硅产品多晶硅体大致矩形多晶硅棒物理性能椭圆生产运输