[发明专利]多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块在审
申请号: | 201910783086.2 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN110482555A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C30B29/06;C30B33/00 |
代理公司: | 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 杨青;安翔<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及多晶硅棒的制造方法、多晶硅棒及多晶硅块。通过西门子法合成硅多晶棒(S101)。在反应器内从硅多晶棒的上部覆盖清洗了内表面的塑料制袋而将硅多晶棒收容后(S103),将硅多晶棒取出到反应器外(S104),进行热封而在密闭化的状态下保管(S105)。根据本发明,不一定需要清洗、蚀刻、水洗这样的以往被认为必需的工序,因此,能够使残留在表面的氟离子、硝酸根离子、亚硝酸根离子均低于0.2ppbw。另外,通过覆盖塑料制袋,金属污染水平显著地降低。而且,如果进行本发明的操作,则即使长期保管,表面污染也几乎不会加重。 | ||
搜索关键词: | 多晶棒 多晶硅棒 塑料制袋 反应器 清洗 保管 蚀刻 亚硝酸根离子 硝酸根离子 表面污染 多晶硅块 金属污染 西门子法 氟离子 合成硅 内表面 密闭 覆盖 热封 收容 取出 残留 制造 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅棒,其是在利用西门子法培育后密封在塑料制袋内的状态下保管1个月以上的期间的多晶硅棒,其中,/n该硅多晶棒的杂质以表面浓度换算计为Li、K、Mn、Ni、Cu、Zn、Mo、Sn和Pb各元素小于2ppbw,Na元素为8ppbw以下,Mg元素为4ppbw以下,Al元素为3ppbw以下,Ca元素为4ppbw以下,Ti元素为2ppbw以下,Cr和Fe元素为7ppbw以下,Co元素为3ppbw以下,氟离子(F-)、硝酸根离子(NO3-)和亚硝酸根离子(NO2-)均小于0.2ppbw。/n
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