专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]多晶-CN202010558365.1在审
  • 海东良一 - 三菱综合材料株式会社
  • 2013-06-20 - 2020-09-11 - C30B29/06
  • 本发明提供一种多晶。通过FZ法使多晶单晶化时,不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。多晶(11)具有多晶构成的种(11a)、以及在该种(11a)的外周面通过CVD法析出的多晶析出体(11b)。该多晶(11)被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。另外,多晶(11)的直径为77mm以下,用光学显微镜以相对于种(11a)的轴线正交的截面观察多晶(11)时,长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶析出体(11b)中以种(11a)为中心放射状地均匀分布。
  • 多晶
  • [发明专利]多晶-CN201310247464.8在审
  • 海东良一 - 三菱综合材料株式会社
  • 2013-06-20 - 2014-01-15 - C30B29/06
  • 通过FZ法使多晶单晶化时,不会发生错位且能够稳定地进行单晶化时的控制。多晶(11)具有多晶构成的种(11a)、以及在该种(11a)的外周面通过CVD法析出的多晶析出体(11b)。该多晶(11)被用作通过FZ法制备硅单晶的原料。另外,多晶(11)的直径为77mm以下,用光学显微镜以相对于种(11a)的轴线正交的截面观察多晶(11)时,长度为288μm以下且上述截面中的占有面积比例为78%以上的针状结晶在多晶析出体(11b)中以种(11a)为中心放射状地均匀分布。
  • 多晶
  • [发明专利]多晶-CN201380014588.X有效
  • 石田晴之;井村哲也;相本恭正 - 德山株式会社
  • 2013-02-27 - 2014-12-10 - C01B33/035
  • 本发明提供一种多晶,其熔解所需的能量少,而在用作单晶制造原料或铸造法锭制造时,可对削减能源成本具有贡献。本发明的多晶,是以芯线为中心放射状地析出多晶,其特征在于:将圆柱状的材相对于轴向垂直切割的切割面中,在芯线部分以外的面观察的结晶中,长径为50μm以上的粗大晶粒的面积比例为20%以上。
  • 多晶
  • [发明专利]多晶-CN201680044994.4有效
  • 宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 - 信越化学工业株式会社
  • 2016-08-02 - 2022-04-29 - C01B33/02
  • 如下所述的多晶显示出良好的FZ、L%值:其是以甲硅烷作为原料而培育出的多晶,其中,从任意的部位采取以与其径向垂直的截面作为主面的板状试样,由对该板状试样的主面照射电子射线而得到的电子背散射衍射图像求出的结晶粒径处于此外,在板状试样的主面测定的热扩散率的值在25±1℃时处于75~85mm2/秒的范围的多晶显示出良好的FZ、L%值,适合作为单晶化原料。
  • 多晶
  • [发明专利]一种无接触破碎多晶的方法-CN201410057558.3无效
  • 季静佳;王体虎 - 亚洲硅业(青海)有限公司
  • 2014-02-20 - 2014-05-28 - B02C19/18
  • 本发明公开了一种无接触破碎多晶的方法,更具体的说,本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶的方法。本发明的无接触破碎多晶的方法,把至少一束激光射向多晶或者多晶块,多晶或者多晶块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后,该多晶多晶块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶多晶块的局部区域膨胀,在多晶柱或多晶块的表面或体内产生热膨胀应力,致使多晶多晶块破碎。
  • 一种接触破碎多晶方法
  • [发明专利]用于区熔的多晶的预处理方法-CN202210781422.1有效
  • 张天雨;田新;蒋文武;吴鹏;闫家强 - 江苏鑫华半导体科技股份有限公司
  • 2022-07-05 - 2022-09-23 - C30B13/00
  • 本发明公开了一种用于区熔的多晶的预处理方法,该方法包括:(1)将机械法套取得到的多晶进行机械抛光,以便得到表面Ra为0.1~1μm的多晶;(2)将步骤(1)得到的多晶进行化学刻蚀,且控制刻蚀深度为30~40μm;(3)对步骤(2)得到的多晶进行清洗和干燥。该方法得到的多晶表面均匀致密,平坦度好,多晶表面隐裂去除的效果好,且不会对多晶表面造成二次损伤,且多晶的杂质去除率高,用该多晶区熔得到的单晶良率高且杂质含量稳定,从而能更真实的反映改良西门子法生产的多晶的非金属杂质含量,进而为下游多晶掺杂量的计算提供良好的数据支持,提高多晶产品品质。
  • 用于多晶预处理方法
  • [发明专利]一种多晶样芯的制备方法-CN202111637037.1在审
  • 郭荣;刘建中;曹得财;陈文凯;刘强强;刘禹劭;乔亮 - 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
  • 2021-12-29 - 2022-03-25 - B28D5/00
  • 本发明公开了一种多晶样芯的制备方法,涉及半导体制造技术领域。该方法的一具体实施方式包括:取第一多晶,对所述第一多晶进行横向切割,得到高度为50‑100mm的第一柱体多晶;根据所述第一柱体多晶直径不同,对所述第一柱体多晶纵向切割一刀、两刀或者四刀,然后从纵向切割后的所述第一柱体多晶上钻取芯样芯;取第二多晶,对所述第二多晶进行横向切割,得到高度为70‑100mm的第二柱体多晶;根据所述第二柱体多晶直径不同,对所述第二柱体多晶纵向切割一刀或两刀,然后从纵向切割后的所述第二柱体多晶上钻取生长层样芯。该实施方式能够解决成品率低、能耗高和浪费多晶的技术问题。
  • 一种多晶硅样芯制备方法
  • [实用新型]一次能取出多根多晶的取装置和取装置组合件-CN200820137429.5有效
  • 卡罗.保迪;玛太罗.玛塞里;皮艾罗.斯凯德拉 - 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
  • 2008-08-22 - 2009-09-16 - C30B28/14
  • 本实用新型涉及一种光伏和半导体技术领域的多晶生产结束后的转移取方法及其取装置和取装置组合件,特别是涉及一种一次能取出多根多晶的取方法及其取装置和取装置组合件,面对分布在同轴的多个圆环上的多根多晶,先一次性取分布在最外圈圆环上的多晶,再一次性取次外圈圆环上的多晶,依次从外到里,一圈圈地取出所有多晶。取装置是由壁、空腔组成;取装置下部还设置有可以支撑断裂后的多晶的接触件。降低了在转移过程中多晶被污染的风险;使用本实用新型,大大简化了生产工艺,减少了转移多晶所需时间,降低了多晶生产周期;同时解决了操作工容易被多晶刮伤的危险。
  • 一次取出多晶装置组合
  • [发明专利]多晶破碎方法及多晶破碎装置-CN201611009573.6在审
  • 鲍守珍;郑连基;马龙;高志明;金珍海;王生红;蔡延国;宗冰;王体虎 - 亚洲硅业(青海)有限公司
  • 2016-11-16 - 2017-02-15 - B02C19/16
  • 发明提供一种多晶破碎方法及多晶破碎装置,属于多晶技术领域。破碎方法包括将多晶置于破碎装置中,并将破碎装置的破碎触头与多晶的表面接触。调整破碎触头的振动频率与多晶的固有频率一致,在多晶破碎之前,保持破碎触头始终与多晶接触。破碎装置中破碎触头连接有驱动装置,驱动装置用于驱动破碎触头沿设定的方向运动以使工作面始终与多晶接触。调频振动模块与破碎触头连接并用于调节破碎触头的振动频率,检测模块与调频振动模块电连接。通过此破碎装置实施的破碎方法,使多晶块大小可控,有效减少碎料和微粉的产生,满足大批量生产的多晶的破碎,节省人力,节省时间,提高破碎效率。
  • 多晶破碎方法装置
  • [发明专利]一种多晶破碎装置及方法-CN201810163162.5有效
  • 张孝山;汪生菊;金珍海;汪成洋;陈斌;镡菊英 - 亚洲硅业(青海)股份有限公司
  • 2018-02-26 - 2020-07-28 - B02C1/00
  • 本发明涉及多晶生产领域,具体涉及一种多晶破碎装置及方法。本发明的实施例中提供的多晶破碎装置,在破碎过程中,将还原内的多晶置入盛有制冷剂(如液氩或液氮)的容纳腔中,快速冷却,多晶在制冷剂中自然破碎。采用制冷剂对刚停炉的多晶进行冷却,充分利用多晶生成的余温。敲击装置对多晶进一步破碎。进料管道用于向冷却装置提供制冷剂,出料管道用于将使用后的制冷剂回收置入储物装置中,形成冷却循环。设置控制装置,便于实现多晶破碎装置的自动化。本发明的实施例中提供的多晶破碎装置具备有节约人力、物力,在充分破碎的同时大大提高破碎效率的显著效果。
  • 一种多晶破碎装置方法
  • [发明专利]电子级多晶热破碎方法-CN202210135541.X在审
  • 闫家强;张天雨;田新;吴鹏;韩秀娟 - 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
  • 2022-02-14 - 2022-04-15 - B02C19/18
  • 本发明提出了一种电子级多晶热破碎方法,包括(1)采用第一传送单元将待加热的多晶传送至加热仓内,通过所述加热仓内的加热元件对所述多晶进行加热,加热过程中所述加热仓内充满保护气体;(2)采用所述第一传送单元将加热完成的所述多晶运出所述加热仓,并将所述多晶传送至冷却槽中进行快速冷却;(3)将冷却完成的所述多晶转移至第二传送单元上进行干燥;(4)采用所述第二传送单元将干燥完成的所述多晶传送至接料槽内,进行破碎,以获得破碎的多晶由此,能避免多晶在破碎过程中被污染,同时,多晶通过晶间应力破碎,可避免大量碎屑和微粉的产生。
  • 电子多晶硅棒热破碎方法

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