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[发明专利]一种脱胶装置-CN201810571157.8有效
发明人：王宗海 -专利权人：江苏润生光伏科技有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱胶装置，包括多晶硅棒芯放置装置以及加热装置，所述加热装置设于放置装置旁，所述放置装置包括支架A、转动连接于支架A上的转动架与设于支架A上的定位组件A，定位组件A位于远离加热装置的一侧，转动架的转轴靠近定位组件A一侧，所述加热装置包括支架B与设于支架B上的水槽，水槽内设有加热管，该加热管与电源相连；由于重力作用，转动架的靠近定位组件A的一端翘起时，转动架的另一端位于水槽内，所述水槽内的液面没过多晶硅棒芯与挂架的连接处本发明结构简单，多晶硅棒芯的端部脱胶时，仅将多晶硅棒芯的端部放入热水池中融化胶体，操作简单，耗时短。
一种脱胶装置

[实用新型]一种多晶硅棒接棒小车-CN202220520728.7有效
发明人：何敬敬;牛强;赵长森;姚海英;徐凯 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅棒接棒小车，涉及多晶硅棒截断辅助设备领域，包括车体和升降系统；所述车体包括车身及固定在所述车身底部的行走机构；所述升降系统包括底架、底座、升降结构和载件台；所述底架固定在所述车体上该多晶硅棒接棒小车能够使其在复杂的生产环境中准确的进行硅棒的放置和截取，减少人为随机的硅料损坏和浪费，且利于减少对人工的危害和操作的劳动强度，增加整个多晶硅生产流程的智能性，提升生产工艺的高效性。
一种多晶接棒小车

[发明专利]多晶硅棒的自动包装装置及包装方法-CN201710145616.1有效
发明人：蔡延国;王生红;宗冰;肖建忠;尹东林;郑连基 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： B65B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅棒的自动包装装置及包装方法，属于多晶硅技术领域。将多晶硅棒放置于第一传送带上，并使用切割装置分切成小段。通过旋转装置从第一传送带往倾斜板移动。在位于倾斜板上的包装槽内进行薄膜包装。包装完成后继续通过倾斜板运输至第二传送带上的包装箱内储存。通过此装置此方法进行包装，完成了多晶硅棒的自动切割与包装，提高包装效率，避免包装过程中多晶硅棒的二次污染。
多晶自动包装装置方法

[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统-CN202210759614.2有效
发明人：吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。
生产多晶控制方法控制系统

[实用新型]一种多晶硅破碎装置-CN201420777805.2有效
发明人：范协诚;刘平;胡光健;曹正宇;吕学谦;银波 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多晶硅破碎装置，包括用于电弧放电的高压电极和低压电极，该装置还包括冲击波会聚装置，高压电极和低压电极固设在所述冲击波会聚装置上；冲击波会聚装置能够将高压电极和低压电极发生电弧放电产生的冲击波会聚到待破碎的多晶硅棒上；一方面，使得产生的冲击波更具有指向性，从而实现能量会聚，避免能量浪费，提高能量利用率；另一方面，对于不同规格或者不直的多晶硅棒来说，无需再频繁调整电极和/或多晶硅棒的相对位置，也可以保证破碎效果，提高破碎效率，操作更为简单方便；通过采用具有良好导电性能、抗电弧烧蚀性能和抗冲击破坏能力的材料制造高低压电极，提高电极的使用寿命，并降低电极烧蚀对多晶硅棒的污染。
一种多晶破碎装置

[发明专利]浮区法生长大尺寸Ta₂O₅单晶的方法-CN201110257469.X有效
发明人：蒋毅坚;徐宏;范修军;王越 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：包括以下步骤：将Ta2O5粉料经过球磨、烘干；装入橡胶管中，放入等静压下压制成素坯棒；将素坯棒经烧结后获得多晶棒；将素坯棒或多晶棒作为料棒，并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一直线，其接触点与卤素灯处于同一水平线上；升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；通过聚焦镜的移动或上下棒的移动，使熔区远离聚焦点，使熔区温度下降实现结晶，晶体生长速度
浮区法生长尺寸 ta sub 方法

[实用新型]用于磷检炉的硅棒预热器-CN201020178369.9无效
发明人：钱承荣;陆俊宏;张熠俊;施宇 -专利权人：雅安永旺硅业有限公司
申请日： 2010-05-04 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H05B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于磷检炉的硅棒预热器。该用于磷检炉的硅棒预热器包括呈圆弧状的发热体(5)、套管(6)、连接棒(7)，所述套管(6)形状与发热体(5)相匹配且发热体(5)设置于套管(6)内，连接棒(7)的一端与套管(6)固定连接。本实用新型采用高纯石墨作发热体，用耐高温、高纯石英玻璃做套封，通过高频加热石墨，以辐射传热的形式加热多晶硅检验棒，避免了多晶硅在加热过程中，金属杂质挥发，沾污多晶硅检验棒，保证检测的准确性。
用于磷检炉预热器

[发明专利]多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片-CN201610310977.2在审
发明人：杨瑜民;杨承叡;周鸿昇;余文怀;许松林;徐文庆 -专利权人：中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片。多晶硅晶铸锭的实施例具有垂直方向，包含成核促进层，位于多晶硅晶铸锭的底部；以及多个硅晶粒，沿垂直方向成长，其中硅晶粒包含至少3种晶向，多晶硅晶铸锭在成核促进层上方的切片的晶粒面积变异系数是沿着垂直方向递增
多晶铸锭硅晶棒芯片

[发明专利]硅芯夹持件及其制备方法、还原炉-CN202310387428.5在审
发明人：张天雨;王付刚;袁北京;田新;蒋文武 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅制备技术领域，具体涉及一种硅芯夹持件及其制备方法、还原炉。硅芯夹持件包括：石墨本体，石墨本体具有相对设置的第一端和第二端、以及连接第一端和第二端的侧面，第一端具有硅芯固定槽，第二端具有电极连接槽，硅芯固定槽的侧壁具有硅芯接触区和与硅芯接触区邻接的非接触区；多晶硅层，多晶硅层覆盖第一端的端面和侧面且不覆盖电极连接槽的内壁和硅芯接触区。位于石墨本体表面的多晶硅层将多晶硅棒制备过程中石墨本体原本暴露在反应气氛中的第一端的端面和侧面覆盖住，避免了石墨本体暴露在反应气氛中，从而避免了石墨本体中的杂质进入到反应气氛中进而沉积到硅芯上，降低了多晶硅棒中的杂质含量，提高了多晶硅棒的纯度。
夹持及其制备方法还原

[发明专利]多晶硅晶棒翻转架-CN201810729042.7在审
发明人：鄂晨;周炎;王海庆 -专利权人：江苏美科硅能源有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅晶棒翻转架，涉及机械设备技术领域，包括立柱，所述立柱的上端设置有横杆，所述横杆上设置有翻转机构，所述翻转机构包括悬空设置的吊板，所述吊板沿水平方向设置，所述吊板的下端设置有支板，所述支板上穿设有转轴本发明在多晶硅晶棒的整个翻转过程中操作人员不会触摸到晶棒，避免产生污染；同时，操作方便省力，避免出现人工翻转使晶棒出现崩缺、移位等，保证了多晶硅晶棒的质量。
多晶硅晶棒转轴吊板水平方向设置翻转机构传动轮翻转架翻转横杆晶棒立柱支板带动转轴固定设置环形皮带机械设备悬空设置上端移位上套下端转轮省力触摸污染保证

[发明专利]多晶硅破碎物及其制造方法-CN202180038742.1在审
发明人：滑川真人 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅破碎物，其能将多晶硅破碎物填充于树脂袋时、填充后的运输时以及从树脂袋取出时的树脂污染控制为利用现有方法无法实现的水平。本发明的多晶硅破碎物，由通过多晶硅棒的破碎产生的具有棱部的破碎片构成，上述破碎片中的具有70°以下的角度的棱部尖端的平均曲率半径(r)为50μm以上，该多晶硅破碎物通过以下方法得到，该方法包括：破碎工序，将多晶硅棒破碎而得到破碎片；以及蚀刻工序，将上述破碎工序中所得到的破碎片浸渍于蚀刻液中，以2.5μm/分钟以下的蚀刻速度，以蚀刻深度为5μm以上的方式进行蚀刻。
多晶破碎及其制造方法

[发明专利]太阳能电池发电控制装置-CN200910210430.5无效
发明人：吉基祥;贲昆树;姜凡;王峰;肖正德;张小琴;卢森 -专利权人：南通科强能源研发有限公司
申请日： 2009-11-02 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H02N6/00 文献下载
摘要：硅矿(1)与冶金矿(2)连接，冶金矿(2)与高纯多晶硅(3)连接，高纯多晶硅(3)与单晶硅棒/多晶硅锭(4)连接，单晶硅棒/多晶硅锭(4)与单晶硅电池/多晶硅电池(5)连接，单晶硅电池/多晶硅电池(5)
太阳能电池发电控制装置

[实用新型]一种多晶硅还原炉视镜保护气重分布装置-CN202021765121.2有效
发明人：陈其国;刘丹阳;满慈皊;陈姝;杨东风;高兴 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉视镜保护气重分布装置,还原炉炉筒冷却水出口、视镜、还原炉炉筒外壳、还原炉炉筒内壳、还原炉炉筒冷却水进口、还原炉炉筒底部法兰，在视镜管的视镜保护气进气口处安装视镜保护气重分布装置可有效保护多晶硅还原炉视镜在多晶硅沉积过程中期和后期不粘附少量硅粉，解决了多晶硅还原炉沉积过程中期和后期因视镜粘附少量硅粉导致硅棒表面温度测不准的问题，有利于在多晶硅沉积中期和后期控制多晶硅棒表面温度，
一种多晶还原炉视镜保护分布装置

[发明专利]多晶硅沉积装置-CN201210260881.1有效
发明人：朴钟薰;金昇铉;李旭基;李昶徕;姜承吾;朴奎东;张今相 -专利权人：半材料株式会社
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅沉积装置，其特征在于，包括：反应室；N个硅芯棒，其配置在反应室内部，并具有通过电流通电的一对硅棒，并被通电的电流加热，且通过工艺气体的反应而沉积多晶硅；夹套单元，形成有M个收容孔，该收容孔收容具有一对硅棒的N个硅芯棒，工艺气体被供给至该收容孔并进行反应，而且，所述夹套单元冷却被收容于M个收容孔的硅芯棒的一对硅棒。
多晶沉积装置

[发明专利]一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法-CN201010129749.8无效
发明人：牛小群;余新明 -专利权人：浙江星宇电子科技有限公司
申请日： 2010-03-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶棒直拉过程中除去杂质的方法，该方法是将多晶硅料放入石英坩埚中，逐渐升温至硅的熔点温度以上，多晶硅料开始溶化；当多晶硅料熔化到剩余很少的多晶硅料时，把炉内温度下降至中温，使剩余部分的多晶硅料溶化速度减缓或是不会被熔化，之后，漂浮在硅溶液表面上的熔点高于硅熔点温度的所有杂质，会逐渐并充分吸附在剩余部分未熔的多晶硅料上，然后插入籽晶，将吸附杂质的剩余部分的多晶硅硅料吊起即可。采用本发明方法，与原有技术相比，能减少1至2个小时的高温挥发时间，降低了能耗，而且高于硅熔点的所有杂质不被熔入硅溶液中，大大提高了拉制的单晶棒的纯度及质量。
一种单晶棒直拉过程除去杂质方法