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[实用新型]一种多晶硅破碎装置-CN202020721398.9有效
发明人：周复礼;王永亮;谢岩;沈峰;胡永吉;徐永强 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B02C19/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅破碎装置，包括液态二氧化碳高压腔体，用于储存液态二氧化碳，并将腔体内液态二氧化碳转化为高压气体二氧化碳；多晶硅破碎室，用于储存破碎前的棒状多晶硅和破碎后的多晶硅碎片；气体脉冲破碎器，其一端与液态二氧化碳高压腔体连通，另一端密封并安装于多晶硅破碎室内，将液态二氧化碳高压腔体内产生的高压气体二氧化碳以脉冲方式释放于多晶硅破碎室内，将棒状多晶硅致裂成多晶硅碎片。该破碎装置破碎分选率高，棒状多晶硅破碎时受力均匀，可根据需求产出高分选率大小的硅块；棒状多晶硅破碎时受力平均，无易损部件，能够实现长时间运行；破碎原理为液态二氧化碳相变产生高压致裂过程，二氧化碳为非易燃易爆物质
一种多晶破碎装置

[实用新型]一种用于区熔炉多晶棒夹持机构-CN201320855792.1有效
发明人：刘剑 -专利权人：刘剑
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于区熔炉多晶棒夹持机构，包括通水上轴、挂架与挂盘，所述通水上轴下方水平安装一个挂架并且该挂架中心部位设置一通孔，位于该挂架下方卡接一个挂盘并且该挂盘中心柱顶端卡接在通孔内，所述挂盘下表面贴合一个自定心盘并且此自定心盘两侧分别垂直安装一个多晶夹头本实用新型有益效果为：通过设置旋转自定心盘推动多晶夹头卡住多晶棒，多晶棒上端径向自定心，在操作摆动调节螺杆修正多晶棒下端的径向跳动，该结构利于简化夹持工序、更加快捷且牢固、有利于提高加工效率。
一种用于熔炉多晶夹持机构

[发明专利]多晶硅棒的断线处理方法-CN201510156569.1在审
发明人：刘耀峰 -专利权人：无锡荣能半导体材料有限公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明属于切片机技术领域，公开多晶硅棒的断线处理方法，包括如下步骤：a、在多线切割机切割多晶硅棒过程中，切割线断线后记录断线的切割位置；b、提升多晶硅棒到多线切割机进程，以30mm/min的速度提升至进程15mm的位置；c、剪去原有线网将钢线留在晶棒中间，在提升至最高位置；d、将新的切割线重新绕至多线切割机导轮上；e、下压多晶硅棒至新线网处认好线位置后，抽出原留在晶棒上的旧钢线；f、下压进程位置在断线位置减去
多晶断线处理方法

[实用新型]多晶硅棒转运箱-CN201320150969.8有效
发明人：东方龙;方红升 -专利权人：金华申宇环保设备有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： B65D85/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅转运工具，尤其是一种多晶硅棒转运箱。包括主框架，在主框架外侧设有护板，在主框架内设有内衬，主框架一侧设有一个自动卡门，主框架的顶部设有快速连接吊卡。上述结构能快速安全地进行吊装；自动卡门能在其他机构的配合下，实现硅棒转运箱内的硅棒自动卸料，节省了操作时间，减轻了操作工人的劳动强度避免了人工搬运工程中存在的潜在的机械伤害（两人合作搬动一根重120Kg多晶硅棒，多晶硅棒易碎裂断开砸到作业工人的脚）和人体接触工程中对硅棒的污染，同时提高了转运的效率。
多晶转运

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法-CN202010025708.8在审
发明人：星野成大;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
多晶及其制造方法

[发明专利]一种多晶硅棒切割方法-CN201610548901.3在审
发明人：李小鹏;彭海英;何远湘;蔡先武;刘文峰;文凯;李青红 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅棒切割方法，在对硅棒进行多线切割之前，调整切割工作台上各硅棒的倾斜角度α，以使切割线网在收刀阶段先切割各硅棒出线侧的胶水层。本发明的多晶硅棒切割方法具有操作简便、切割质量稳定等优点。
一种多晶切割方法

[发明专利]一种多晶硅还原炉-CN201711067662.0在审
发明人：张宝顺;宗冰;吉红平;何乃栋;陈聪;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉，包括有炉体、底盘和电极，还原炉的内部分成热气流层、晶硅生长区及冷气流层三个区域，冷气流层位于还原炉的底部，其与底盘相接；在底盘设置有氢气喷嘴，通过氢气喷嘴朝还原炉喷射氢气气流形成冷气流层；热气流层位于还原炉的顶部，热气流层底部与硅棒顶部的距离为100‑500mm。本发明具有以下优点第一，多晶硅硅棒高度低于还原炉顶部热气流层，避免硅棒暴露在顶部热气流层而导致硅棒横梁熔断、生长菜花料；第二，多晶硅生长区气相及多晶硅棒温度均保持在适合物料反应、沉积的温度，可以产出具有高品质的多晶硅整棒
一种多晶还原

[发明专利]一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法-CN201210121671.4无效
发明人：范家骅;刘文兵;杜万毅;黄殿军 -专利权人：南京金美镓业有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度磷化铟多晶棒的制备方法，其步骤如下：在高压炉中设置坩埚，将高纯度铟置于坩埚中，高纯度无水氧化硼覆盖在高纯度铟之上；将高纯度磷蒸汽注入熔化的高纯度铟中，在高纯度无水氧化硼覆盖下，直接合成磷化铟；用引上杆将磷化铟多晶从磷化铟熔体中以棒状形状引出，高温时粘稠的氧化硼粘覆在多晶棒表面，防止了磷化铟多晶棒在高温下分解，保证了磷化铟中磷和铟的化学计量比。本发明是吸收了注入法的优点而发展的新型合成法，克服了磷泡易炸的工艺难题和化学计量比的问题，同时引入了磷化铟进一步提纯的工艺，可以稳定地生产优质磷化铟多晶棒。
一种纯度磷化多晶制备方法

[实用新型]一种多晶硅棒加工传送装置-CN201721157373.5有效
发明人：汪昌伟;陆昌忠 -专利权人：浙江华友电子有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅棒加工传送装置，包括轨道、上料轨道车、多晶硅棒、连接座、上料门、主动辊、金刚线、喷液头、压头、滤网、张弛轮、张弛液压缸、集液槽、收料门和收料轨道车，所述轨道有两组分别位于上料门和收料门的门前，在上料门门前的轨道上行驶上料轨道车，在收料门门前的轨道上行驶收料轨道车，所述上料轨道车内设有上料组件、机动组件、多晶硅棒、切割垫块和连接座，其中多晶硅棒的上表面上粘接切割垫块，切割垫块的上表面上粘接连接座本实用新型采用金刚线切割多晶硅棒，切割效率高，切割面更光滑，且切割液环保无污染。
多晶硅棒轨道车上料收料切割垫块本实用新型传送装置轨道连接座上表面机动组件切割效率上料组件粘接连接集液槽金刚线喷液头切割面切割液线切割液压缸主动辊两组滤网压头粘接光滑加工上行行驶环保

[实用新型]多晶硅棒热力学破碎装备-CN200920148006.8无效
发明人：陈军红;王正青;薛春芳 -专利权人：宝鸡宝色特种金属有限责任公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本实用新型属于材料加工技术领域中一种多晶硅棒热力学破碎装备，它包括：采用热力学的方法使多晶硅棒升温的加热装置和采用骤冷介质使热态硅棒急剧降温的骤冷装置。本装备破碎任何方法制得的多晶硅棒时不产生细微离子。破碎过程中不会引起铁、铬、镍等金属离子的污染。适合于大批量的企业化生产。
多晶热力学破碎装备

[发明专利]硅析出用芯线-CN202310074529.7在审
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
析出用芯线

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN201880011350.4有效
发明人：西川正芳;井上裕司 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。
多晶制造方法

[发明专利]一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法-CN200810080089.1在审
发明人：秦海滨;任晓军;许家云;李金龙;靳权 -专利权人：山西天能科技有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明一种去除原生多晶硅棒端面石墨的方法，属于多晶硅棒料加工技术领域，提供一种利用化学方法，方便、充分的去除硅棒端面石墨的方法，采用的方案为：先将多晶硅棒两端带有石墨夹头的原料敲下来，再将原料破碎成小块，然后将原生多晶硅两端带碳的原料进行热处理，再酸洗，然后水洗呈中性，最后烘干即可，上述热处理的方法为：将原生多晶硅两端带碳的原料装石英舟，在马弗炉里以8-15℃/min的升温速率加到880-920℃，恒温两小时，然后自然冷却；本发明广泛应用于批量加工多晶硅棒料中。
一种去除原生多晶端面石墨方法

[实用新型]多晶硅晶棒的制造装置-CN200820180533.2有效
发明人：蓝崇文;徐文庆;谢兆坤;王兴邦;何思桦 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型多晶硅晶棒的制造装置，其至少包含有：石英坩埚，该石英坩埚中容置有硅融浆；加热器，该加热器设于该石英坩埚的外围；旋转提拉件，该旋转提拉件设于该石英坩埚上方；多晶形式的硅晶种，该多晶形式的硅晶种浸入石英坩埚的硅融浆当中，以析出多晶硅的结晶，并且结晶逐渐被析的过程中，该旋转提拉件以既定的速度将硅晶种上拉，使硅晶种的下端结晶依序以晶冠以及晶体构成的多晶硅晶棒，利用上述装置可以长成可供制作太阳能晶片原料的多晶硅晶棒。
多晶硅晶棒制造装置

[发明专利]多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅-CN201010229761.6有效
发明人：漆原诚;水岛一树 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅的制造方法，其中，对反应炉内的硅芯棒进行通电而使硅芯棒发热，通过对硅芯棒供给包含氯硅烷类的原料气体，从而在硅芯棒的表面使多晶硅析出，作为棒而生长。该多晶硅的制造方法具有：前半部分工序，在以高压大量地供给原料气体的条件下，通过调整向硅芯棒的电流而将表面温度维持在规定范围中，并且在棒的中心温度达到多晶硅的熔点以下的规定温度之前，一边将每单位表面积的原料气体供给量维持规定范围内，一边供给原料气体；以及后半部分工序，通过设定为与棒直径对应地预先决定的电流值，并且使每单位表面积的氯硅烷类供给量降低，从而将棒的表面温度和中心温度维持在规定温度。
多晶制造方法装置

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