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[发明专利]用于切割硅芯的多晶硅棒及其制备方法-CN202211501341.8在审
发明人：高召帅;王锐娟;王海豹;徐玲锋 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了用于切割硅芯的多晶硅棒及其制备方法。该多晶硅棒沿其径向方向由内至外包括：原始硅芯区和至少三层致密沉积区，相邻两层致密沉积区之间形成有一层缓冲沉积区，缓冲沉积区的致密度小于与其相邻的致密沉积区的致密度。通过对该多晶硅棒进行切割得到的硅芯产品质量不仅品质较高且生产成本较低，而且成品率高。
用于切割多晶及其制备方法

[发明专利]多晶硅棒-CN201380014588.X有效
发明人：石田晴之;井村哲也;相本恭正 -专利权人：德山株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅棒，其熔解所需的能量少，而在用作单晶硅制造原料或铸造法硅锭制造时，可对削减能源成本具有贡献。本发明的多晶硅棒，是以硅芯线为中心放射状地析出多晶硅，其特征在于：将圆柱状的棒材相对于轴向垂直切割的切割面中，在芯线部分以外的面观察的结晶中，长径为50μm以上的粗大晶粒的面积比例为20％以上。
多晶

[发明专利]多晶硅的制造方法及多晶硅制造用的反应炉-CN201080056268.7无效
发明人：斋藤金次郎;宗像浩;沟口隆 -专利权人：克斯莫石油株式会社
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅的制造方法，其特征在于，其是使四氯化硅与锌反应而生成多晶硅的多晶硅的制造方法，从反应炉的上部供给四氯化硅蒸气和锌蒸气，使排气从该反应炉的下部排出，在该反应炉内进行四氯化硅蒸气和锌蒸气的反应，并且使生成的多晶硅在碳化硅棒上析出。根据本发明，可以提供析出棒可再次使用的利用锌还原法的多晶硅的制造方法以及反应炉。
多晶制造方法反应炉

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及多晶硅的热处理方法-CN202180078110.8在审
发明人：阪井纯也;箱守明 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明的目的在于提高多晶硅棒整体的纯度。在多晶硅棒(1)中，外侧总浓度(C1)为100pptw以下，且外侧总浓度(C1)相对于内侧总浓度(C2)的比率为1.0以上且2.5以下。
多晶制造方法以及热处理

[发明专利]基于多晶硅负荷的含高渗透率风电孤立电网频率控制方法-CN201710698988.7有效
发明人：徐箭;陈元峰;廖思阳;鲍益;孙元章;柯德平;黎雄;杨军;彭晓涛 -专利权人：武汉大学;国家电网公司;国网湖北省电力公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H02J3/34 文献下载
摘要：本发明属于电力系统运行与控制技术领域，尤其涉及基于多晶硅负荷的含高渗透率风电孤立电网频率控制方法，对多晶硅的生长过程进行分析，并建立了多晶硅负荷的电气模型，结合工业数据，对电压电流与多晶硅棒半径的关系进行拟合，建立多晶硅负荷功率特性模型；根据多晶硅负荷功率特性模型，得出多晶硅负荷功率控制数学模型；在考虑冷却水进水速率与硅棒温度这两个限制因素情况下，改变拼波电压与拼波时刻可以快速改变多晶硅负荷消耗功率，在考虑多晶硅负荷多样性的情况下，提出多晶硅负荷响应孤立电网功率波动的控制策略，以赤峰孤立电网为背景，在极端风功率波动的情况下，通过负荷响应功率波动维持孤立电网稳定，验证所提控制策略的正确性。
基于多晶负荷渗透率风电孤立电网频率控制方法

[发明专利]一种多晶磷化铟材料的纯化方法-CN202310379618.2在审
发明人：黄小华;聂林涛 -专利权人：陕西铟杰半导体有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶磷化铟材料的纯化方法，一种多晶磷化铟材料的纯化方法，包括以下步骤：S1：固定多晶磷化铟棒。S2：吹扫并封焊。通过温度控制面板，使得局部多晶磷化铟处于半液化的熔融态；S5：精确控制移动速度。设置区熔移动速度为2.5cm/hr，控制区熔线圈从宽端缓慢移向窄端；S6：重复区熔。从窄端10％位置处截取多晶棒，即得到多晶棒的高纯度区。本发明无需传统的多晶磷化铟需要被破碎的步骤，保存磷化铟原有的晶格结构和电学特性参数。
一种多晶磷化材料纯化方法

[发明专利]一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置-CN201610422812.4在审
发明人：王淑琴;占时友 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅生产系统质量评价方法及装置。装置包括一对棒评价炉、进料控制模块、混合气电加热模块、电源系统、预热系统以及传动系统。通过采用西门子法生产一对棒产品快速便捷检测多晶硅生产系统特别是电子级多晶硅生产系统中原料纯度等质量参数，自动化水平高，可操作性强。可以多套批量用于多晶硅生产企业的生产流程中，有效提高生产效率。
一种多晶生产系统质量评价方法装置

[实用新型]一种多晶硅生产系统质量评价装置-CN201620579033.0有效
发明人：王淑琴;占时友 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅生产系统质量评价装置，包括一对棒评价炉、进料控制模块、混合气电加热模块、电源系统、预热系统以及传动系统，采用西门子法生产一对棒产品快速便捷检测多晶硅生产系统特别是电子级多晶硅生产系统中原料纯度等质量参数，自动化水平高，可操作性强，可以多套批量用于多晶硅生产企业的生产流程中，有效提高生产效率。
一种多晶生产系统质量评价装置

[发明专利]用于生产多晶硅的方法-CN201480052456.0有效
发明人：芭芭拉·米勒;沃尔特·哈克尔;沃尔夫冈·施托伊贝尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产多晶硅的方法，包括将包括含硅组分和氢气的反应气体引入包括底板、固定至底板的上反应器部和至少一个通过直接通电加热的支撑体的反应器，多晶硅在所述支撑体上沉积，从而获得至少一个多晶硅棒，其中，在沉积结束之后，在至少一个多晶硅棒的卸除过程中，将防护罩或防护壁侧向置于反应器周围。
用于生产多晶方法

[发明专利]多晶硅棒的选择方法及单晶硅的制造方法-CN201280025081.X有效
发明人：宫尾秀一;冈田淳一;祢津茂义 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：采集以与通过基于化学气相沉积法的析出进行生长而得到的多晶硅棒的长轴方向垂直的截面作为主面的板状试样，对采集的全部板状试样的面内的全部方向进行X射线衍射测定，选择<111>、<220>、<311>及<400>中任意一个的密勒指数均未观察到具有偏离于平均值±2标准偏差(μ±2σ)的衍射强度的X射线衍射峰的多晶硅棒作为无取向性的多晶硅棒，将其作为单晶硅制造用原料使用。使用这样的多晶硅原料时，能够抑制在局部发生部分熔融残留，有助于单晶硅的稳定的制造。
多晶选择方法单晶硅制造

[发明专利]一种RCZ直拉法大热场拉多晶工艺-CN202111594479.2在审
发明人：马新星;王军磊;王艺澄 -专利权人：包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种RCZ直拉法大热场拉多晶工艺，具体：（1）操作人员对单晶拉制过程中的情况进行判定，根据判定直接从单晶等径工序进入多晶等径工序；（2）当多晶长度达到要求时，开始自动多晶提出工艺，具体为：坩埚自动下降30mm；晶升以180mm/h的速度提升到副室，在副室内保压冷却30分钟后，将副室升上上限位，将副室旋转速度降到副室正常选转速度的50%，副室旋转加速度时间设置为正常的两倍进行晶棒旋出，旋出后正常取棒即可；该工艺提高了多晶的强度，降低多晶坠落导致的异常事故的发生，提高多晶的可利用性，提高安全性。
一种 rcz 直拉法大热场拉多晶工艺

[实用新型]一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路-CN201320022678.0有效
发明人：陈林 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，包括二个相同第一、第二的逆变模块，负载、第一、第二电容组，所述的第一逆变模块是第一、第二、第三开关管组并联而成，第一电容组与第三开关管组并联；其中，电容组中包含2本实用新型的优点：采用IGBT高频逆变电路，利用趋肤效应，根据多晶硅棒的直径大小，控制通过多晶硅棒的电流大小和频率，达到只在多晶硅棒表面进行加热，降低生产能耗，同时降低在多晶硅棒生产后期大直径时的还原炉的温度，降低多晶硅还原生产的电能单耗。
一种多晶还原高频加热电源逆变主电路

[实用新型]一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路-CN201320010517.X有效
发明人：陈林 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，包括二个相同的逆变模块，负载、电容组、接触器，第一逆变模块是由三组两两串接的开关管组并联而成，第一电容组与开关管组并联；其中，电容组中包含两个电容；第一开关管组、本实用新型的优点：采用IGBT高频逆变电路，利用趋肤效应，根据多晶硅棒的直径大小，控制通过多晶硅棒的电流大小和频率，达到只在多晶硅棒表面进行加热，降低生产能耗，同时降低在多晶硅棒生产后期大直径时的还原炉的温度，降低多晶硅还原生产的电能单耗。
一种多晶还原高频加热电源逆变主电路

[实用新型]一种多晶硅棒取棒装置-CN201220222244.0有效
发明人：娄彬;刘方洪;刘丽;黄娟;施国林;巩景平;王凯 -专利权人：山东瑞阳硅业科技有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阀门，尤其公开了一种多晶硅棒取棒装置，该多晶硅棒取棒装置包括横截面为半圆形的吊笼，其特征在于：两个吊笼相对通过螺栓连接成一个横截面为环状的取棒筒，取棒筒底部设置有挡板。本实用新型的有益效果是：较人工取棒安全系数增加，避免了因硅棒裂棒带来的安全隐患。使用机械手臂取棒能够减少了操作工的数量。此外，还具有动作灵敏、容易维护的优点。
一种多晶硅棒取棒装置

[发明专利]多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅块破碎装置-CN201580054867.8有效
发明人：川口一博;藤井正美;内田翔;近藤学;三户美文;义松信昭 -专利权人：株式会社德山
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅破碎物、其制造方法及多晶硅块破碎装置。多晶硅破碎物能够对制造单结晶硅晶棒时的操作性、生产性有所帮助。多晶硅破碎物是由破碎多晶硅块而得，其中粒子尺寸500～1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.1～40ppmw。
多晶硅破碎物多晶硅块破碎装置制造单结晶硅多晶硅生产性晶棒粒子破碎帮助