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[实用新型]一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台-CN201020591711.8无效
发明人：钱其峰;钱鹏飞 -专利权人：浙江芯能光伏科技有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶硅棒晶硅锭切割用锯床承接台。包括M型承接座和L型承接座，所述M型承接座设置于所述L型承接座之上。多晶硅块的切割时，可取下M型承接座，利用L型承接座；单晶硅棒切割时，可以重新将M型承接座安装于L型承接座上。采用本实用新型，能分别完成单晶硅棒和多晶硅锭的切割，使切割车间对于单晶硅棒、多晶硅块的生产安排更加灵活。
一种晶硅棒晶硅锭切割锯床承接

[发明专利]一种硅晶加工装置-CN201810131766.1有效
发明人：朱文志;李海威;林冬;黄田玉;林孝狮;许光先;梁兴华;林光展 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及了一种硅晶加工装置，包括底座、机架、开方装夹机构、硅晶截断装夹机构和线锯切割机；所述开方装夹机构用于夹持待进行开方的籽晶棒，所述硅晶截断装夹机构用于夹持待截断的单晶硅棒或者多晶硅块，所述线锯切割机用于籽晶棒的开方以及单晶硅棒、多晶硅块截断。本发明硅晶加工装置集硅晶的开方与截断功能于一体，既能实现籽晶棒的开方，又能实现单晶硅棒和多晶硅块的截断或者切片，结构简单紧凑，降低厂家的生产使用成本，提高设备利用率。
一种加工装置

[发明专利]一种整体十字型硅芯切割方法-CN201810681601.1在审
发明人：薛建云 -专利权人：江阴兰雷新能源科技有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种整体十字型硅芯切割方法，用于加工多晶硅原料生产过程中的CVD还原炉使用的整体十字型硅芯，其包括以下步骤：1)将单晶硅或多晶硅硅棒切割成横截面为正方形或长方形的若干根方形硅棒；2)将方形硅棒固定在切割设备上，通过切割设备沿方形硅棒的长度方向进行切割，形成互相分离的一个位于原方形硅棒正中间的横截面为“十”字型的硅芯和位于原方形硅棒四角的四个小方形硅棒。上述整体十字型硅芯切割方法便于成型出用于多晶硅CVD多晶硅还原炉的整体十字型硅芯。不仅加工效率高，节约能耗，成本低；而且硅棒利用率高，除了切割刀缝损失，无材料浪费。
方形硅棒十字型硅芯切割硅芯切割设备硅棒切割多晶硅还原炉单晶硅多晶硅硅棒多晶硅原料互相分离加工效率生产过程多晶硅还原炉切割刀小方形字型成型能耗节约加工

[发明专利]一种集成化多晶硅还原炉电源系统及其运行方法-CN202210858679.2在审
发明人：丁少云;黄瑞炉;张崎;吴从买 -专利权人：九江历源整流设备有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H02M5/257 文献下载
摘要：本发明提供一种集成化多晶硅还原炉电源系统及其运行方法，属于多晶硅还原炉技术领域，包括：升压模块、还原模块和可控开关模块，可控开关模块包括：第一还原输入开关、多个可控输入开关和多个可控输出开关，还原模块的输出端通过第一还原输入开关与串联的硅棒组的第一端连接，升压模块通过一个可控输入开关与硅棒组的第一端连接，升压模块的输出端还通过至少一个可控输入开关与串联的硅棒组中相邻的两对硅棒之间连接，硅棒的另一端通过可控输出开关接地；本发明的集成化多晶硅还原炉电源系统，通过升压模块对多晶硅还原炉内的硅棒进行击穿后，通过还原模块对每一对或多对被击穿的硅棒进行立刻还原，从而保证被击穿的硅棒不会冷却，提高工作效率。
一种集成化多晶还原电源系统及其运行方法

[实用新型]一种集成化多晶硅还原炉电源系统-CN202221910709.1有效
发明人：丁少云;黄瑞炉;张崎;吴从买 -专利权人：九江历源整流设备有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M5/257 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成化多晶硅还原炉电源系统，属于多晶硅还原炉技术领域，包括：升压模块、还原模块和可控开关模块，可控开关模块包括：第一还原输入开关、多个可控输入开关和多个可控输出开关，还原模块的输出端通过第一还原输入开关与串联的硅棒组的第一端连接，升压模块通过一个可控输入开关与硅棒组的第一端连接，升压模块的输出端还通过至少一个可控输入开关与串联的硅棒组中相邻的两对硅棒之间连接，硅棒的另一端通过可控输出开关接地；本实用新型的集成化多晶硅还原炉电源系统，通过升压模块对多晶硅还原炉内的硅棒进行击穿后，通过还原模块对每一对或多对被击穿的硅棒进行立刻还原，从而保证被击穿的硅棒不会冷却，提高工作效率。
一种集成化多晶还原电源系统

[发明专利]用于生产硅块的方法-CN201980098522.0在审
发明人：马蒂亚斯·维特兹 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产多晶体硅块的方法，包括以下步骤：a)提供多晶体硅棒，b)用锤子和/或针锤处理硅棒的表面以去除至少部分表面层，和c)将硅棒粉碎成块。锤子和/或针锤施加的冲击能为1至15J。
用于生产方法

[发明专利]具有卷发棒形状结构的电容器及其制造方法-CN202111428582.X在审
发明人：罗杰 -专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有卷发棒形状结构的电容器及其制造方法，方法包括：在衬底上交替层叠设置多个高掺杂多晶硅层和低掺杂多晶硅层；根据设计设置掩膜进行第一次刻蚀，形成多晶硅柱；围绕多晶硅柱边沿周向间隔设置多个碳柱；由多个碳柱的间隙向多晶硅柱注入掺杂物，将碳柱间隙露出的多晶硅柱形成带多个轴向肋板的高掺杂浓度第一骨架；去除碳柱；根据多晶硅柱的不同掺杂浓度确定选择比，进行第二次刻蚀，留存的高掺杂多晶硅层形成层极板以及卷发棒形状的第一骨架形成下极板通过上述方法制作成竖立的具有卷发棒形状结构的电容器。
具有卷发形状结构电容器及其制造方法

[实用新型]多晶硅生产装置-CN201120352026.4有效
发明人：李严州;周劲松;茅陆荣;张华芹;周积卫 -专利权人：上海森松新能源设备有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能光伏领域，公开了一种多晶硅生产装置。该装置包含第一工艺管道、第二工艺管道、多晶硅反应炉、包含硅芯电极的硅棒；第一工艺管道和第二工艺管道分别接至多晶硅反应炉，包含硅芯电极的硅棒位于多晶硅反应炉内；第一工艺管道将SiCl4和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si和HCl，得到的Si沉积在硅芯电极上，直至硅棒的直径达到预设门限Do，此时，第二工艺管道将SiHCl3和H2按一定摩尔配比输送至多晶硅反应炉，得到Si、HCl和SiCl4，得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上从而降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题。
多晶生产装置

[实用新型]24对棒多晶硅还原炉-CN201020215600.7有效
发明人：王姗 -专利权人：成都蜀菱科技发展有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本24对棒多晶硅还原炉在炉子底盘上采用大对数电极、还原炉内壁设置光滑的银层，均匀设置多个进气喷嘴，使多晶硅还原炉中反应时的供料气体分布更均匀，反应更充分，多晶硅棒数量更多，从而显著提高了反应效率和单炉产量；并利用银的化学特性和良好的加工性，以及抛光后的镜面效果，在生产出纯度更高的多晶硅产品的同时，大幅度降低了能耗，大大降低了多晶硅的生产成本。
24 多晶还原

[实用新型]一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路-CN201320022680.8有效
发明人：陈林 -专利权人：浙江海得新能源有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：一种多晶硅还原炉高频加热电源逆变主电路，包括相同的第一、第二逆变模块，负载、第一、第二电容组，第一逆变模块是由第一、第二、第三开关管组并联而成，第一电容组与第三开关管组并联；其中，电容组中包含2个电容；本实用新型的优点：采用IGBT高频逆变电路，利用趋肤效应，根据多晶硅棒的直径大小，控制通过多晶硅棒的电流大小和频率，达到只在多晶硅棒表面进行加热，降低生产能耗，同时降低在多晶硅棒生产后期大直径时的还原炉的温度，降低多晶硅还原生产的电能单耗。
一种多晶还原高频加热电源逆变主电路

[实用新型]一种多晶硅还原炉电极防护装置-CN202320981354.3有效
发明人：杨凡;曹得财;陈文凯;马维庆;张江涛;王杰;李星月;刘禹劭;乔亮;雷雨;邵开文;刘赵博 -专利权人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉电极防护装置，包括外护筒、内护筒和硅棒承接件；其中，所述的外护筒放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰上，且在所述内护筒上端设置有所述硅棒承接件该实施方式能够解决多晶硅还原炉电极都处于裸露、无防护状态的技术问题。
一种多晶还原电极防护装置

[发明专利]太阳能电池组件用多晶硅片的制备系统-CN201810991725.X在审
发明人：孟静 -专利权人：孟静
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池组件用多晶硅片的制备系统，涉及多晶硅片的制备装置技术领域。所述系统在制备多晶硅棒的过程中，首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步通过铝‑硅合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及真空电子束熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步实现太阳能级多晶硅的提纯，能够去除多晶硅中的多种杂质，制备的多晶硅棒的纯度较高，因此，制备的所述多晶硅片的纯度较高。
多晶硅片去除制备太阳能电池组件定向凝固多晶硅棒制备系统多晶硅硅合金提纯共晶熔体太阳能级多晶硅真空电子束熔炼等离子熔炼二硅化钛制备装置硅熔体提拉

[发明专利]多晶硅辊道运输破碎生产线工艺-CN201310607829.3无效
发明人：鲍定胜 -专利权人：安徽赛耐尔机械制造有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：多晶硅辊道运输破碎生产线工艺，涉及多晶硅生产技术领域，通过拆棒、破碎、分拣、筛分，纯气动执行，工作过程无油、无水、无污染，低压启动，高频冲击。1.8m～2.4m的棒料仅在10秒钟之内击碎完成，破碎过程不产生粉尘，破碎冲击头钨钴合金或PTFE，对多晶硅无污染，设备操作简单，安全可靠，整体布局结构紧凑、智能、高效，与晶棒及多晶硅碎粒接触面均采用碳化钨合金工艺处理过的优质316SS，对多晶硅粒度的污染小，多晶硅粒度的纯度高。
多晶硅辊道运输破碎生产线工艺

[发明专利]一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法-CN202210780398.X有效
发明人：陈巨喜;肖亮;朱福林;聂蓉 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明属于多晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于生产多晶硅的还原炉及进料控制方法，包括底盘；设置于底盘上的多组电极，每个电极与底盘柔性连接；设置于底盘上的进气组件，进气组件包括多个进气支管；以及用于控制进气和/或控制电极通电的控制机构，控制机构通过称重传感器反馈信号控制进料阀开关和/或电极通电，由控制机构分析，能够及时发现异常情况，判断有硅棒产生“爆米花”，控制机构单独控制某个进料阀开关和/或电极通电，调整异常电极上硅棒的生长，不让此硅棒上的“爆米花”过分生长，使还原炉顶的气流场保持稳定；阻止出现“爆米花”的多晶硅棒继续生长，减少了整炉多晶硅棒产生“爆米花”，减少了原料和能源的浪费。
一种用于生产多晶还原进料控制方法

[发明专利]一种多晶硅棒的制造方法-CN200910234373.4无效
发明人：陈其国;陈明元;钟真武;崔树玉;梁强;孔营;王永亮 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2009-11-25 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅棒的制造方法，它是通过向反应器中连续通入由氢气和含硅气体构成的混合气体作为原料气，在所述反应器中所述原料气发生反应，由此制造多晶硅棒的方法，其包括通过调节作为原料气的所述氢气的进气量M，和/或调节作为原料气的所述含硅气体的进气量N，使所述氢气和所述含硅气体的摩尔比值Q满足特定的关系式，且当硅棒直径长到85～100mm时，此刻的Q值以振幅A波动的步骤。根据本发明的制造多晶硅棒的方法，在提高还原过程中三氯氢硅单程转化率的同时，降低了三氯氢硅还原的直接电耗，有效地降低了多晶硅棒的制造成本。
一种多晶制造方法