“冈田哲郎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多晶硅棒及多晶硅棒的制造方法-CN202310422830.2在审
发明人： 冈田哲郎;星野成大;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅棒，通过西门子法制造，其长度方向上的长度大于等于1米，其棒体侧面长度方向的残留应力的压缩应力与拉伸应力之差的绝对值小于等于22Mpa。
多晶制造方法

[发明专利]多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法-CN201710958219.6有效
发明人：宫尾秀一;祢津茂义;星野成大;冈田哲郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法。提供适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅块、多晶硅棒。作为单晶硅的制造原料，使用在将在1400℃以上的温度范围内以60℃/分钟以下的速度升温时的熔化的开始温度设为Ts并将熔化的完成温度设为Te时ΔT＝Te‑Ts的值为50℃以下的多晶硅块。
多晶单晶硅制造方法

[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块-CN201580044611.9有效
发明人：祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
多晶制造反应炉装置方法以及

[发明专利]多晶硅制造装置-CN202010673757.2在审
发明人： 冈田哲郎;星野成大;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器与设置在所述金属电极的螺合部之间被设为非导通。此外，本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器通过固定机构部被固定于所述金属电极，并且所述电极适配器与所述固定机构部之间被设为非导通。
多晶制造装置

[发明专利]多晶硅棒的制造方法-CN202010529313.1在审
发明人：星野成大;石田昌彦;冈田哲郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：发明涉及的多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。例如，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。
多晶制造方法

[发明专利]硅芯线-CN202010285747.1在审
发明人：星野成大;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及的第一方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的外螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的内螺纹部相互螺合后紧固。此外，本发明涉及的第二方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的螺纹部通过在两端部形成有螺纹部的接合器相互螺合后紧固。
硅芯线

[发明专利]多晶硅制造装置-CN201911370744.1在审
发明人：星野成大;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。
多晶制造装置

[发明专利]多晶硅制造装置以及多晶硅-CN202010079430.2在审
发明人： 冈田哲郎;星野成大;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种通过西门子法制造多晶硅的装置，其具备芯线保持器(14)，其中，芯线保持器(14)的下端侧与向芯线保持器(14)通电的电极部(10)的顶部(18)接触，进一步，设置有固定部(17)，其从芯线保持器(14)的下端侧向下方延伸，用于将芯线保持器(14)固定至电极部(10)，其中，固定部(17)的下端部构成螺纹连接部(17a)，该螺纹连接部(17a)位于芯线保持器(14)与电极部(10)的顶部接触的表面的下方。芯线保持器(14)的下端侧与电极部(10)的顶部(18)接触的表面的电阻被设计成低于紧固螺纹连接部(17a)的部位的电阻。通过该装置能够提供一种避免电极的损坏或硅棒的污染的技术。
多晶制造装置以及

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法-CN202010025708.8在审
发明人：星野成大;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
多晶及其制造方法

[发明专利]临时脚手架用的连结件-CN201780084721.7有效
发明人：关山正胜;冈田哲郎;和田壮平;伊藤昌树;佐佐木博文;佐藤忍;篠原叶月 -专利权人：日商日建租赁工业株式会社
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： E04G7/32 文献下载
摘要：同时实现连结解除时的构件的防止脱出和分解作业时的构件的取出的容易性。连结件至少包括：楔体(A)，其在横向构件(Y)的端部沿上下相对移动自如；卡定体(B)，其爪部(70)利用楔体(A)的向下移动从初始位置向卡定位置移动；以及施力体(C)，其用于将所述卡定体(B)向所述楔体(A)侧推压。在楔体(A)设有向卡定体(B)侧突出的肩部(40)，卡定体(B)设有向楔体(A)侧突出的干涉部(80)。在爪部(70)处于初始位置的状态下，利用干涉部(80)阻挡肩部(40)向上方的移动，从而限制楔体(A)的向上移动和卡定体(B)向施力体(C)侧的移动。
临时脚手架连结

[发明专利]多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块-CN202010051606.3在审
发明人：祢津茂义;星野成大;冈田哲郎;齐藤弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅制造用反应炉、多晶硅制造装置、多晶硅的制造方法、以及多晶硅棒或多晶硅块。本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。
多晶制造反应炉装置方法以及

[发明专利]多晶硅棒-CN201910431751.1在审
发明人：星野成大;祢津茂义;冈田哲郎;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。
多晶硅棒单晶硅晶粒西门子法晶片粒径位错培育制造采集筛选

[发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅-CN201580023889.8有效
发明人：宫尾秀一;祢津茂义;冈田哲郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-04-24 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：在本发明中，暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒，然后将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验，利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力，而且，没有引起金属污染的风险，也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施，也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明，可以得到基于2θ‑sin²Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒，以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时，能够得到优质的单晶硅。
多晶制造方法以及单晶硅

[发明专利]多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法-CN201810724213.7在审
发明人：宫尾秀一;星野成大;冈田哲郎;祢津茂义;石田昌彦 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
多晶硅棒制造硅芯化学气相法单晶硅析出反应炉配置

[发明专利]多晶硅棒制造用的硅芯线和多晶硅棒的制造装置-CN201580036608.2在审
发明人：田中秀二;冈田哲郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：芯线支架(34)(保持构件)其下端部具有形成正锥角的锥度。另一方面，关于在用于对硅芯线(100)通电的金属电极(30)与芯线支架(34)(保持构件)的连接中使用的转接器(33)(支撑构件)，插入芯线支架(34)(保持构件)的下端部的孔部的内表面具有在将该孔部的开口侧设为上方并将保持构件的下端部插入方向设为下方时锥角为正的锥度。芯线支架(34)(保持构件)的下端部插入到该转接器(33)(支撑构件)的孔部中而使硅芯线(100)固定。通过设定为这样的结构，可防止通过CVD法使多晶硅在硅芯线上析出时的、火花的产生等所导致的硅芯线的局部性熔断、结构性损伤。
多晶制造硅芯线装置

1
2
下一页»
尾页
共 16 条