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[发明专利]用于处理腔室的涂层材料-CN201980051346.5在审
发明人： S·拉斯;李铜衡;A·A·哈贾;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷，导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造：形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。
用于处理涂层材料

[发明专利]加热腔结构和硅片处理设备-CN202011182874.5在审
发明人：左国军;梁建军;候岳明 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种加热腔结构和硅片处理设备。其中，加热腔结构包括：加热腔体，用于提供真空环境，加热腔体的侧壁上设有通孔；隔离套管，由通孔伸入加热腔体内，隔离套管的至少一端位于加热腔体外；加热器，加热器的发热部分设于隔离套管内，加热器的引线端由隔离套管位于加热腔体外的一端伸出
加热结构硅片处理设备

[发明专利]用于处理腔室的多孔喷头-CN202080016998.8在审
发明人： S·阿加瓦尔;C·彼德森;M·舒尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：喷头可被包含在用于处理基板的处理腔室内。
用于处理多孔喷头

[发明专利]双腔室流体处理系统-CN202110772216.X在审
发明人：李大青 -专利权人：青净光能科技股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种双腔室流体处理系统，其包括有：一第一腔室与一第二腔室相连通，一层流装置设置于所述第一腔室与所述第二腔室之间，所述第一腔室设置有一第一光源模块以及一入口提供一流体输入；所述第二腔室设置有一第二光源模块以及一出口提供所述流体输出；所述层流装置具有复数个透孔，所述复数个透孔具有一直线内壁与所述第二腔室之腔壁平行。
双腔室流体处理系统

[发明专利]计量腔室和液体处理装置-CN202111576914.9在审
发明人：渡边英夫 -专利权人：旭化成医疗株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： A61M1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在抑制输送时等的破损的同时简单地安装于液体处理装置的计量腔室。计量腔室(53)具备：腔室主体(350)，其具有内部流路(420～426)和贮存部(400～402)，该内部流路(420～426)供液体流动，该贮存部(400～402)与内部流路(420～426)相连通，用于贮存液体；以及保护罩(351)，其覆盖腔室主体(350)的前表面和后表面，用于保护腔室主体(350)。保护罩(351)具备用于将该计量腔室(53)设置于血液净化装置(1)的装置主体部(10)的侧突起部(520)。保护罩(351)具有：前表面罩(451)，其位于腔室主体(350)的前表面侧；后表面罩(450)，其位于腔室主体(350)的后表面侧；以及卡合机构(600)，其将前表面罩(451)和后表面罩(450)卡合
计量液体处理装置

[发明专利]陈化处理腔室的方法-CN202180082511.0在审
发明人： V·V·哈桑;B·库玛;A·K·辛格 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本公开的实施例关于半导体处理。更具体地，本公开的实施例关于用于陈化处理腔室的一个或多个部件的方法。在至少一个实施例中，一种用于陈化处理腔室的方法包括在约4mTorr至约20mTorr的腔室压力和低于约200℃或约200℃至约400℃的温度下将陈化膜沉积到处理腔室的部件上。在至少一个实施例中，方法包括将含氮气体引入陈化膜以形成经氮处理的陈化膜。在将沉积膜沉积到陈化膜上之前执行将含氮气体引入陈化膜。
陈化处理方法

[发明专利]研磨腔及废弃食物处理装置-CN201510430789.9有效
发明人：高静远;张弛;陈伟杰;陈诗洁;黄健;滕勇;李松 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： E03C1/266 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨腔，包括具有物料入口和腔体内壁的腔体，所述腔体内壁处设置若干个突起的减速块。本发明还涉及一种具有上述研磨腔的废弃食物处理装置。本发明的研磨腔及废弃食物处理装置，在研磨腔的腔体内壁处设置若干个突起的减速块，食物垃圾随研磨盘高速旋转过程中，碰到减速块，速度的方向和大小将改变，同步旋转现象会消除，食物垃圾将得到有效的切削粉碎，解决了现有废弃食物处理器在处理密度大的非骨类食物垃圾时容易出现垃圾与研磨盘同步旋转
研磨废弃食物处理装置

[发明专利]用于高温处理的腔室衬垫-CN201780019944.5有效
发明人： S·巴录佳;段仁官;K·高希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：于此公开的实施例一般相关于用于在处理腔室中高温处理基板的腔室衬垫。处理腔室利用惰性底部净化流来屏蔽基板支撑件以免于卤素反应物的影响，使得基板支撑件可被加热至高于约摄氏650度的温度。腔室衬垫控制流轮廓，使得沉积期间，底部净化流限制反应物及副产物在基板支撑件下方沉积。在清洁处理期间，底部净化流限制卤素反应物接触基板支撑件。因而，腔室衬垫包含锥状内表面，该锥状内表面具有向内的角度以引导净化气体环绕基板支撑件的边缘并减少在基板支撑件下方及边缘上的沉积。
用于高温处理衬垫

[发明专利]多腔室半导体处理装置-CN201110217259.8有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种多腔室半导体处理装置，所述多腔室半导体处理装置包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，每个微腔室的上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿所述柱位孔的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。与现有技术相比，本发明中的多腔室半导体处理装置采用立柱导引结构，并在所述立柱上纵向设置多个微腔室。使得所述多腔室半导体处理装置能够同时对多个半导体晶圆进行单晶圆化学处理。
多腔室半导体处理装置

[发明专利]双腔式滚筒钢渣处理装置-CN99127012.6有效
发明人：肖永力 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 1999-12-29 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： C21B3/06 文献下载
摘要：本发明是一种用于处理钢渣的双腔式滚筒钢渣处理装置。本发明能处理不同流动性的液渣，尤其能处理流动性差的转炉渣，并能提高整体装置使用寿命，具有流程短、能耗低、环保佳的优点。
双腔式滚筒钢渣处理装置

[发明专利]双腔式滚筒钢渣处理装置-CN01105800.5有效
发明人：肖永力;王建刚;王国荣;刘茵;王英均;曹志栋;孙力活 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2001-03-29 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： C21B3/06 文献下载
摘要：本发明是一种用于处理钢渣的双腔式滚筒钢渣处理装置。它包含有腔内部分填充钢球的、以同一轴线而开口相对安置的两个鼠笼式滚筒，两个滚筒的开口之间有一个固定安置的固定圈，在固定圈内腔装有一个转动的分流盘，固定圈上方有开口，有一个漏斗对准固定圈的开口；分流盘的转轴与滚筒同轴线
双腔式滚筒钢渣处理装置

[发明专利]半导体处理腔室及其垫圈-CN201911114409.5有效
发明人：徐官基;金志勋;徐康元 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开的一个方面提供了一种半导体处理腔室，其包括：盖体，具有顶表面和与顶表面相对的底表面；主体，具有可机械地附接到盖的底表面的顶表面；和布置在所述盖体和所述主体之间的垫圈；其中，所述垫圈具有密封部和从所述密封部突出的至少一个把柄部
半导体处理及其垫圈

[发明专利]干法刻蚀腔的处理方法-CN202010495406.7有效
发明人：吴堃;杨猛 -专利权人：上海邦芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种干法刻蚀腔的处理方法，包括：提供刻蚀腔；采用所述刻蚀腔对多片晶圆分别进行本证刻蚀工艺，所述本证刻蚀工艺在所述刻蚀腔的腔壁形成第一高聚物；在对至少部分晶圆进行本证刻蚀工艺的工艺间隔中，在所述刻蚀腔的腔壁形成第二聚合物所述方法能够延长干法刻蚀腔的生产run货周期，提高平均生产效率。
刻蚀处理方法

[发明专利]基片处理设备及其腔室装置-CN201110343642.8无效
发明人：赵梦欣;王厚工;刘旭;文莉辉;丁培军 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了基片处理设备及其腔室装置。所述腔室装置包括：腔室本体，其内限定有处理腔室；加热部件，设在所述处理腔室内的顶部；支承台，设在所述处理腔室内用于支撑基片，支承台的上表面与加热部件相对；匀热板，设在处理腔室内且位于石英窗与支承台之间；和透明介质窗，透明介质窗位于加热部件与匀热板之间，透明介质窗的外周沿与腔室本体的内周壁相连以将处理腔室隔成加热部件所处的上部腔室和匀热板所处的用于对基片进行处理的下部腔室。根据本发明实施例的腔室装置，可以将由加热灯产生的热均匀化后再通过热辐射、热对流等方式传导给基片，因此可以实现对基片的均匀加热。
处理设备及其装置

[发明专利]等离子处理腔室的基座-CN201110181583.9无效
发明人： K·S·洛;D·毛;R·K·F·劳;M·A·伦塔 -专利权人：奥博泰克LT太阳能公司
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子处理腔室的基座，特别是一种等离子处理装置的基座，所述基座具有石墨主体，所述石墨主体具有用于支撑至少一个衬底的顶表面，所述顶表面具有等离子喷涂氧化铝涂层。一种真空处理腔室具有主腔室本体、设置在所述腔室本体的顶板处的莲蓬头、设置在所述腔室本体内部的支座和耦接到所述支座的基座，所述基座由具有用于支撑至少一个衬底的顶表面的石墨主体构成，所述顶表面具有例如等离子喷涂氧化铝涂层的电介质涂层
等离子处理基座