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[其他]气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件-CN201390000636.5有效
发明人： D·李;朴范洙;Y·崔;W·N·斯特林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供气体扩散组件、低温多晶硅处理腔室系统及令处理气体流入处理腔室的组件。本实用新型包括：背板，具有入口用以提供一处理气体至处理腔室；扩散板，包含数个开口用以允许处理气体流入处理腔室；阻隔板，设置于背板及扩散板之间，包含数个开口；以及至少一气流引导元件(guide)，设置于阻隔板及背板之间，适于引导该处理气体侧向地(laterally)流动。
气体扩散组件低温多晶处理系统流入

[发明专利]半导体反应腔中部件的处理方法以及半导体反应腔-CN202111523461.3在审
发明人：郑旭东;吴凤丽;杨华龙 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C25D5/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体反应腔中部件的处理方法，包含：执行一镀覆步骤，在一薄膜镀覆工艺前，将所述部件浸入一镀覆液中进行镀覆，以在所述部件的一表面生成一镀覆层；以及将具有所述镀覆层的部件装配至反应腔后执行所述薄膜镀覆工艺整体而言，本发明的所述部件的一表面生成有一镀覆层，从而延长了反应腔中部件的使用寿命。此外，本发明提供了一种半导体反应腔包含所述部件。
半导体反应部件处理方法以及

[发明专利]腔室组件及应用该腔室组件的半导体处理设备-CN201010549068.7无效
发明人：吕铀;郑金果 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室组件，包括：腔室主体，所述腔室主体内限定有处理腔室；屏蔽部件，所述屏蔽部件设置在所述处理腔室内；和屏蔽冷却单元，所述屏蔽冷却单元至少设置在所述腔室主体的一端且与所述屏蔽部件接触，用于冷却所述屏蔽部件根据本发明的腔室组件，通过单独设置屏蔽冷却单元对屏蔽部件进行冷却，因此屏蔽冷却单元可以单独制造，拆装，因此在拆装、更换时屏蔽冷却单元与屏蔽部件之间不会相互影响，从而频繁更换屏蔽部件时无需更换屏蔽冷却单元本发明还公开一种具有上述腔室组件的半导体处理设备。
组件应用半导体处理设备

[发明专利]具有改进的处理流体流的处理腔的工件处理装置-CN00808191.3无效
发明人：格雷戈里·J·威尔逊;凯利·M·汉森;保罗·R·麦克休 -专利权人：塞米用具公司
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： C25D3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在对微电子工件的至少一个表面进行浸入处理过程中用于提供处理流体流的处理容器(610)。该处理容器包括一个向所述工件的至少一个表面提供处理流体流的主流体流动腔(505)和多个向主流体流动腔提供处理流体流的喷口(535)。本发明还提供一种使用这种处理容器的典型装置,该装置特别适合于进行电镀处理。另外,本发明还提供一种在微电子工件浸入处理过程中用于将流体从主流体流动腔排出的改进的排出通道(640)。
具有改进处理流体工件装置

[实用新型]处理腔室和适合在处理腔室的端点检测系统中使用的倾斜窗口-CN201921753152.3有效
发明人：连雷;P·韩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文公开了一种处理腔室和适合在处理腔室的端点检测系统中使用的倾斜窗口。所述倾斜窗口具有安装框架，所述安装框架具有主体，所述主体包括第一区段和垂直于所述第一区段延伸的第二区段。
处理适合端点检测系统使用倾斜窗口

[发明专利]用于血液处理系统的腔室、腔室用途、血液导管系统和血液处理系统-CN201180061405.0有效
发明人： R·瑞特;P·斯塔比利尼 -专利权人：弗雷森纽斯医疗护理德国有限责任公司
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： A61M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于血液处理系统的腔室，该腔室具有由腔壁限定的至少一个空间、至少一个血液入口和用于另一种液体的至少一个入口，所述的至少一个血液入口和用于另一种液体的至少一个入口与所述空间相连，其中，所述的至少一个血液入口和用于另一种液体的至少一个入口形成在伸入腔室空间的管段上，在腔室工作状态下，该腔室的空间至少部分填充有血液或者血液和另一种液体的混合物或者其它液体。在此，至少其中一个且优选两个或更多的所述管段有这样的长度，使血液入口和/或用于另一种液体的入口位于腔室内的血液水平面或液体水平面的下方。
用于血液处理系统用途导管

[发明专利]超临界处理腔室和用于处理基板的设备-CN201811088273.0在审
发明人：朴相真;赵炳权;赵庸真;高镛璇;吉娟真;李光旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
主体框架缓冲腔室超临界处理第一表面突起凹室连接器处理基板内部容器腔室空间可拆卸腔室处理空间处理腔室封闭腔室竖直向上联接封闭

[发明专利]半导体晶片处理腔室及半导体处理设备-CN201910281869.0在审
发明人：贾强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片处理腔室及半导体处理设备，该半导体晶片处理腔室包括腔体、设置在该腔体内可沿竖直方向移动的片盒和设置在腔体内的加热组件，还包括温度检测组件，该温度检测组件的检测部为温度检测板，该温度检测板设置在腔体内本发明提供的半导体晶片处理腔室，其可以解决现有的热电偶的导线连接安全问题。
半导体晶片处理设备

[发明专利]具有改良的处理空间密封的基板处理腔室-CN201880060246.4在审
发明人：伊利亚·拉维特斯凯;基思·A·米勒;约翰·马佐科 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本文提供处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种处理腔室包括：腔室壁，腔室壁限定处理腔室内的内部空间；基板支撑件，基板支撑件设置在内部空间中，基板支撑件具有支撑表面以支撑基板，其中内部空间包含处理空间和非处理空间，处理空间设置在支撑表面上方，非处理空间至少部分地设置在支撑表面下方；气体供应气室，气体供应气室经由设置在支撑表面上方的气体供应通道而流体地耦接到处理空间；泵送气室，泵送气室经由设置在支撑表面上方的排气通道而流体地耦接到处理空间；和密封设备，密封设备经配置当基板支撑件处于处理位置时，将处理空间与非处理空间流体地隔离，其中当基板支撑件处于非处理位置时，处理空间和非处理空间流体地耦接。
具有改良处理空间密封

[发明专利]具有基板边缘增强处理的处理腔室-CN201980067121.9在审
发明人： C·李;M·D·威尔沃斯;V·N·托多罗;H·C·李;H·S·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上提供用于处理基板的设备和方法。更具体地，本公开的实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室对设置在处理腔室中的基板的边缘具有增强的处理效率。在一个实施例中，处理腔室包含：腔室主体，所述腔室主体在处理腔室中界定内部处理区域；设置在处理腔室中的喷头组件，其中喷头组件具有多个区，其中在喷头组件的边缘区处的孔隙密度比在喷头组件的中心区处的孔隙密度更高；设置在处理腔室的内部处理区域中的基板支撑组件；以及设置在基板支撑组件的边缘上并且围绕基板支撑组件的集中环，其中集中环具有台阶，所述台阶具有基本上类似于底部宽度的侧壁高度。
具有边缘增强处理

[发明专利]加热器、处理腔室、处理设备及其控制方法-CN202310407814.6在审
发明人：施述鹏;沈安磊 -专利权人：江苏微导纳米科技股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C23C16/48 文献下载
摘要：本申请涉及一种加热器、处理腔室、处理设备及其控制方法，包括加热件1和导热结构，导热结构形成有气流通道，且位于加热件的加热范围内，用于加热流通于气流通道内的气体。
加热器处理设备及其控制方法

[发明专利]热处理装置用的腔室及热处理装置-CN201410356050.3有效
发明人：笠次克尚;西村圭介;浦崎义彦;森川清彦;中西裕也 -专利权人：光洋热系统股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置用的腔室及热处理装置，对于热处理装置用的腔室，即使是大型的，也能够进一步减少制作所花费的劳力和时间。热处理装置(1)的腔室(4)具有筒状的侧壁(12)，其用于包围被处理物；以及端壁(13)，其封闭侧壁(12)的一方的开口部(12b)。腔室(4)是将以氧化硅为主要成分的多个部件(侧壁(12)、端壁(13)、第1连结部件(14)、第2连结部件(15))机械结合起来而形成的。
热处理装置

[发明专利]热处理腔室和热处理方法、涂布设备-CN201410350605.3有效
发明人：伍强;胡华勇;孔德平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种热处理腔室和热处理方法、涂布设备，其中所述热处理腔室包括晶圆载板，适于放置待加热晶圆；热源，位于晶圆载板下方，适于对晶圆载板进行加热；第一驱动单元，与热源相连接，适于驱动所述热源靠近或远离所述晶圆载板本发明热处理腔室的热源可以在第一驱动单元的作用下远离或靠近所述晶圆载板，因而在对晶圆载板进行升温或降温时，不仅可以通过调节热源的温度来使得晶圆载板的温度上升或下降，而且可以通过调节热源与晶圆载板的距离实现晶圆载板的温度的上升或下降
热处理方法布设

[发明专利]热处理装置用的腔室及热处理装置-CN201710846916.2有效
发明人：笠次克尚;西村圭介;浦崎义彦;森川清彦;中西裕也 -专利权人：光洋热系统股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置用的腔室及热处理装置，对于热处理装置用的腔室，即使是大型的，也能够进一步减少制作所花费的劳力和时间。热处理装置(1)的腔室(4)具有：筒状的侧壁(12)，其用于包围被处理物；以及端壁(13)，其封闭侧壁(12)的一方的开口部(12b)。腔室(4)是将以氧化硅为主要成分的多个部件(侧壁(12)、端壁(13)、柱状连结部件(14)、梁状连结部件(15))机械结合起来而形成的。
热处理装置

[发明专利]腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置-CN201810383771.1有效
发明人：郑镇优;李暎熏 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供用于清洁腔室的装置和方法。一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法包括：通过向处理空间中供应清洁介质来清洁腔室。清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。相对于非极性污染物和极性污染物，腔室的清洁效率得以改善。
清洁方法处理装置

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