“处理腔”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5732791个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体处理腔室及清洁半导体处理腔室的方法-CN202080054583.X在审
发明人： N·帕塔克;张宇星;T·A·恩古耶;K·高希;A·班塞尔;J·C·罗查 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：处理腔室可以包括气体分配构件、基板支撑件、以及泵送衬垫。气体分配构件与基板支撑件可以至少部分定义处理容积。泵送衬垫可以定义经由围绕处理容积周向设置的泵送衬垫的多个孔隙而与处理容积流体连通的内部容积。处理腔室可以进一步包括流量控制机构，流量控制机构可操作以在从气体分配构件进入处理容积的流体分配期间经由泵送衬垫的多个孔隙的子集将流体流从泵送衬垫的内部容积引导进入处理容积。
半导体处理清洁方法

[发明专利]一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔-CN202210191513.X在审
发明人：刘欣然;张南;毛朝斌;高桑田;罗骞;孔倩茵 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C25D7/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阳极，Nb金属板作为阴极放入盛有base:Sub>混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
一种石墨表面处理方法薄板

[发明专利]负载腔室及其使用该负载腔室之多腔室处理系统-CN201610153803.X有效
发明人：周仁;范川;吕光泉;张孝勇;方仕彩;廉杰;门恩国 -专利权人：沈阳拓荆科技有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明所揭露之内容为一种负载腔室，包括一腔室本体，该腔室本体包括：至少一对腔室，用于承载一或多个晶圆基板；及至少一内部管线，设置于该对腔室的两者之间并连接该对腔室，以提供该对腔室之气体回填或抽取。所述负载腔室具有多层结构，而该等多层结构之任一者包含该对腔室。所述腔室本体包含一框架，该框架具有复数个内壁，该等内壁定义该对腔室。所述腔视本体更包含复数个盖板，该等盖板以可拆卸的方式结合至该框架，并且该等盖板与该框架的内壁定义出该对腔室。
负载及其使用之多处理系统

[发明专利]腔室盖组件及清洁处理腔室的方法-CN201580054256.3有效
发明人：崔安青;法鲁克·京格尔;吴典晔;维卡斯·詹格拉;穆罕默德·M·拉希德;唐薇;杨义雄;枭雄·袁;夫景浩;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;雨·常;威廉·W·光 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供用于清洁原子层沉积腔室的方法及设备。在一些实施方式中，腔室盖组件包含：外壳，外壳围绕中央通道，中央通道沿着中心轴延伸且具有上部分及下部分；盖板，盖板耦接至外壳且具有轮廓底表面，轮廓底表面从中央开口向下及向外延伸至盖板的周边部分，中央开口耦接至中央通道的下部分
腔室盖组件清洁处理方法

[发明专利]腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810305925.5有效
发明人：白志民;李强;耿宏伟;彭文芳;魏延宝;丁培军;王伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室盖、工艺腔室和半导体处理设备。腔室盖用于透光，包括盖本体和吸收层，盖本体具有受光表面，吸收层设置在受光表面的预定区域，用于吸收照射至所述预定区域的部分光，以使预定区域的透光率满足预定值。通过在受光表面上的预定区域所设置的吸收层，改变腔室盖在预定区域的透光率，可以使得晶圆各位置处的介电常数和硬度基本相同，提高片内均匀性，改善晶圆的性能。同时，本发明的腔室盖，结构简单，并不需要为了提高片内均匀性所引入复杂的光路设计的结构，因此，可以有效降低制作成本，提高经济效益。
腔室盖工艺半导体处理设备

[发明专利]腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810493616.5有效
发明人：邱国庆;赵梦欣;白志民;王厚工;丁培军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部；第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间；过渡连接部上设置有第一收容结构，用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构，能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。
内衬工艺半导体处理设备

[发明专利]处理腔导向装置、处理腔和用于将基体支架引导至处理位置处的方法-CN201880025293.5在审
发明人： S·瑞伯;K·席林格;B·瑞卡特 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理腔导向装置，所述处理腔导向装置构造成用于沿导向方向直线引导能在所述处理腔导向装置中移动的基体支架，以利用所述基体支架向处理位置处的移动，使得处理腔导向装置和基体支架至少构成处理腔导向装置的局部的边界本发明的特征在于，所述处理腔导向装置具有用于基体支架的滚动体支承结构和至少一个密封面，所述密封面平行于导向方向延伸并且构造和设置成使得，当设置在处理腔导向装置中的基体支架处于处理位置处时，密封面与基体支架隔开小于本发明还涉及一种处理腔和一种用于将基体支架引导到处理位置处的方法。
处理腔导向装置基体支架处理位置密封面滚动体支承方向延伸移动隔开平行

[发明专利]改良的热处理腔室-CN201710619838.2在审
发明人：约瑟夫·M·拉内什;阿伦·缪尔·亨特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：描述于此的实施方式提供一种基板处理设备，所述基板处理设备包括真空腔室，所述真空腔室包括第一拱形结构和第二拱形结构；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述真空腔室内部的所述第一拱形结构和所述第二拱形结构之间
改良热处理

[发明专利]晶圆热处理腔室-CN201811063808.9在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开提供了一种晶圆热处理腔室，属于半导体技术领域。该腔室包括：壳体；载物台，设于所述壳体内；加热装置，至少部分设于所述壳体内，用于对所述载物台上的物体加热；测温装置，至少部分设于所述壳体内；阻隔板，设于所述载物台与所述测温装置之间。本公开可以降低热处理过程中晶圆残留物质挥发的气体对于热处理腔室控温精度的影响，改善晶圆热处理效果。
热处理

[发明专利]清洁处理腔室的方法-CN202080017849.3在审
发明人： B·S·权;许璐;P·K·库尔施拉希萨;S·李;D·H·李;K·D·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开的实施方式大致关于清洁半导体处理腔室的方法。在一个实施方式中，一种清洁沉积腔室的方法包括以下步骤：将含氮气体流至沉积腔室内的处理区域中；利用射频功率在处理区域中冲击等离子体；将清洁气体引入流体连接至沉积腔室的远程等离子体源；在远程等离子体源中产生清洁气体的反应物质；将清洁气体引入沉积腔室；以及以不同蚀刻速率移除在沉积腔室的内部表面上的沉积物。
清洁处理方法

[发明专利]用于处理腔室的衬里-CN202310037948.3在审
发明人：哲鹏·丛;舒伯特·S·楚;尼伊·O·奥美;卡提克·沙赫;苏拉吉特·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
用于处理衬里

[发明专利]缩减空间的处理腔室-CN202211571621.6在审
发明人：罗曼·古科;陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;简·德尔马斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
缩减空间处理

[发明专利]缩减空间的处理腔室-CN201680058294.0有效
发明人：罗曼·古科;陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;简·德尔马斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在此描述的实施方式一般涉及具有缩减空间的处理腔室，以执行超临界干燥处理或其他相变处理。该腔室包含可移动地设置于第一轨道上的基板支撑件和可移动地设置于第二轨道上的门。基板支撑件和门可经配置以相互独立地移动，且该腔室可经配置以最小化腔室内基板的垂直移动。
缩减空间处理

[发明专利]用于处理腔室的衬里-CN201910717274.5有效
发明人：哲鹏·丛;舒伯特·S·楚;尼伊·O·奥美;卡提克·沙赫;苏拉吉特·库马尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文的实施方式涉及用于处理腔室中的具有多件式设计的腔室衬里。所述多件式设计可以具有内部部分和外部部分。所述热阻挡在腔室衬里内表面处产生较高温度，因此导致在所述腔室内的较短加热时间。另外，所述热阻挡还在基环以及外环的外表面附近产生较低温度，从而保护腔室壁并在所述腔室壁处需要较少热调节/耗散。
用于处理衬里

[实用新型]用于处理基板的腔室-CN201320533432.X有效
发明人：杰瑞德·阿哈默德·里;马丁·杰夫·萨里纳斯;保罗·B·路透;伊玛德·尤瑟夫;阿尼鲁达·帕尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于处理基板的腔室，所述腔室包括箍组件，箍组件包括:限制环，该限制环于该限制环内限定限制区；及三或更多个升降指，该三或更多个升降指附接于该箍。
用于处理

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top