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[发明专利]原位半导体处理腔室温度装置-CN201880014818.5在审
发明人： A·恩古耶;Y·萨罗德;X·常;K·拉马斯瓦米 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：气体分配板包括多个通孔，用于将工艺气体输送至处理腔室。气体分配板被分成多个温度控制区域。
热控制装置喷头组件温度控制区域第一电极气体分配面板气体分配板热电模块急冷板电极半导体处理腔室关联处理腔室工艺气体热管组件温度装置热传递主表面通孔耦接开口穿过管理

[发明专利]用于处理腔室的气体分配设备-CN201880013181.8在审
发明人： D·R·杜鲍斯;K·N·祝;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一个实现中，用于处理基板的处理腔室包含腔室主体与基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述腔室主体中并且适于支撑基板。所述处理腔室包含定位在所述基板支撑件上方的多个气体入口，以在所述基板支撑件上方引导处理气体。可移动式扩散器通过枢转架座被可枢转地安装为与所述基板支撑件相邻。所述可移动式扩散器包含沉积头，所述沉积头具有多个入口开口与多个排气开口，所述多个入口开口用于将处理气体导向所述基板支撑件，所述多个排气开口用于对所述可移动式扩散器设置在所述基板支撑件上方的处理气体提供排气
基板支撑件处理腔室可移动式扩散器排气处理气体腔室主体入口开口沉积头开口气体分配设备沉积材料处理基板可枢转地气体入口引导处理支撑基板枢转架基板

[发明专利]处理腔室气流设备、系统和方法-CN201380061955.1有效
发明人：尼尔·玛利;昌达瑞坎特·M·沙普卡里;卡鲁帕萨米·穆图卡姆特什;杰弗里·C·赫金斯;潘查拉·N·坎卡纳拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：披露了具有可倾斜阀的处理腔室气流控制设备。所述气流设备包括适于容纳基板的处理腔室；处理腔室的出口，所述出口包括阀座和可倾斜阀，所述可倾斜阀被配置成适合相对于阀座倾斜，以控制处理腔室内的流动非均匀性。
处理气流设备系统方法

[发明专利]用于制备乳液的超声处理腔室-CN200880123165.0有效
发明人： R·A·詹森;S·W·温策尔;D·W·克尼希;T·D·埃勒特;S·庄;J·G·阿勒斯;P·W·拉斯马森;S·罗夫斯 -专利权人：金伯利-克拉克环球有限公司
申请日： 2008-12-23 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： B01F13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有处理腔室的超声混合系统，在所述处理腔室中可以将至少两个分离的相混合以制备乳液。具体地，至少一相为分散相，而另一相为连续相。处理腔室具有加长的壳体，相通过所述壳体分别从第一入口和第二入口纵向流向所述壳体的出口。加长的超声波导组件在壳体内延伸并且可以预定频率运行以在壳体内通过超声赋予相能量。构造并设置所述搅动构件和所述振杆用于搅动构件相对于振杆以预定频率动态运动，并且在相应的预定频率下以搅动构件的超声空化模式运行以及相在腔室中混合。
用于制备乳液超声处理

[发明专利]用于热处理腔室的支撑圆柱-CN201480043642.8有效
发明人：梅兰·贝德亚特;阿伦·缪尔·亨特;约瑟夫·M·拉内什;诺曼·L·塔姆;杰弗里·托宾;继平·李;马丁·德兰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式大体涉及用于热处理腔室中的支撑圆柱。在一个实施方式中，支撑圆柱包括具有内周表面和外周表面的环形主体，其中环形主体包括不透明石英玻璃材料且其中环形主体被光学透明层涂布。
用于热处理支撑圆柱

[发明专利]用于快速热处理腔室的灯-CN200880005300.1有效
发明人： J·M·瑞尼西;K·索拉吉 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F26B19/00 文献下载
摘要：本发明是揭露一种适用于一基板热处理腔室中以将基板加热至高达至少约1100℃的温度的灯组件。
用于快速热处理

[发明专利]用于快速热处理腔室的灯-CN200880005351.4有效
发明人： J·M·瑞尼西;K·索拉吉 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F26B19/00 文献下载
摘要：揭露了一种用于基板热处理腔室中加热基板至高达至少1100℃的温度的灯组件。在一实施例中，该灯组件包括了一灯泡，其包围住贴附至一对导线的至少一可产生光线的灯丝，该灯泡具有一内表面与一外表面；一灯座是配置以接收该对导线，且该灯泡中具有表面处理以使光线可反射离开灯座的至少一部份。
用于快速热处理

[发明专利]用于热处理腔室的边缘环-CN201280009401.2有效
发明人：布莱克·凯尔梅尔;约瑟夫·M·拉内什;阿布拉什·J·马约尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-02-20 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的实施例提供具有增加温度均匀度的用于支撑基板的边缘环。更特定言之，本发明的实施例提供边缘环，该边缘环具有形成于边缘环的能量接收表面上的一或更多个表面面积增加结构。
用于热处理边缘

[发明专利]用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法-CN202211143523.2在审
发明人：宁腾飞 -专利权人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01D53/30 文献下载
摘要：本申请提供一种用于半导体废气处理设备的反应腔和反应腔的监测方法，用于半导体废气处理设备的反应腔包括：反应腔本体，呈圆筒状，半导体制程产生的废气生成于反应腔本体内；薄膜压力传感器，覆盖反应腔本体的壁面，薄膜压力传感器用于监测反应腔本体内部的气压变化；控制模块，与薄膜压力传感器电性连接，控制模块根据薄膜压力传感器传达的监测信号实时获取反应腔本体内部的气压变化。本申请反应腔的腐蚀泄漏高发区为无溢流水覆盖区，其腐蚀后内部负压环境造成薄膜压力传感器受力，控制模块根据薄膜压力传感器的阈值判断进行报警停机。本申请通过简单的装置，有效监测反应腔腐蚀，避免半导体制程可能产生的泄漏危机，保护操作者的人身安全。
用于半导体废气处理设备反应监测方法

[发明专利]反应腔室以及设置有该反应腔室的半导体处理设备-CN201310239143.3有效
发明人：党志泉 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应腔室以及设置有该反应腔室的设备，涉及半导体设备领域，可解决现有反应腔体安装维护麻烦，石英筒容易受径向应力碎裂的问题。本发明所述反应腔室包括反应腔，以及覆盖于所述反应腔顶端的反应腔上盖，所述反应腔包括呈桶状的金属腔体，与所述反应腔上盖密封连接；嵌套于所述金属腔体内的石英筒，设置在所述石英筒的外壁的感应加热线圈；以及，嵌套于所述石英筒内的带孔石墨筒
反应以及设置半导体处理设备

[发明专利]工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的基片处理设备-CN201110116006.1有效
发明人：周卫国 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明提出了一种工艺腔室装置和具有该工艺腔室装置的基片处理设备。工艺腔室装置包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有工艺腔，所述腔室本体的顶壁和底壁中的至少一个的中部设有排气口，所述腔室本体的周壁内设有进气通道，所述进气通道具有与外界连通的进气口，所述腔室本体的周壁上设有将所述进气通道与所述工艺腔连通的分配孔；和托盘，所述托盘设置在所述工艺腔内。根据本发明实施例的工艺腔室装置，可以有效地降低工艺气体在到达衬底表面上方之前由于预反应、热分解等所导致的消耗，从而可以提高工业气体的利用率，并且有利于化学反应的副产物被快速排出。此外，根据本发明上述实施例的工艺腔室还具有结构简单、易操作的特点。
工艺装置具有处理设备

[发明专利]基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法及基片处理设备-CN201010606908.9有效
发明人：夏威 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-12-16 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供一种基片加热腔室、使用基片加热腔室的方法以及基片处理设备。其中，基片加热腔室至少可同时加热2片基片，用于在基片处理工艺之前对基片进行加热。借助该基片加热腔室对基片进行加热能够有效避免后续的基片处理工艺因等待基片加热而处于空闲状态的问题，从而可有效提高设备的产能利用率。此外，本发明提供的使用基片加热腔室的方法及基片处理设备同样能够有效提高设备的产能利用率。
加热使用方法处理设备

[发明专利]用于真空处理装置的腔室以及具有该腔室的装置-CN200610002076.3有效
发明人：曹生贤;李珠熙;韩在柄 -专利权人： IPS有限公司
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空处理装置，尤其是涉及一种用于对例如液晶显示(LCD)板的玻璃、半导体的晶片等的基板进行蚀刻处理或者沉积处理的装置。还公开了一种真空处理装置的腔室，其包括：一个具有多边形外形的腔室主体；至少一个与腔室主体的一个侧壁可拆卸地连接的侧壁单元，在平行于腔室主体的上表面方向上具有一定曲率的水平部分；一个上部面板单元和一个下部面板单元，上部面板单元和下部面板单元分别地与腔室主体和侧壁单元的上部以及下部可拆卸地连接，以覆盖腔室主体和侧壁单元上部和下部。
用于真空处理装置以及具有

[发明专利]工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备-CN201810522206.9有效
发明人：武学伟;王军;董博宇;王厚工;丁培军;郭冰亮;耿玉洁;马怀超;王庆轩;李丽;徐宝岗;张鹤南;刘绍辉;王桐;崔亚欣 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
工艺腔室用匀流件半导体处理设备

[发明专利]电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法-CN200510069959.1无效
发明人：艾力克斯恩德·派特森;伊莉莎白·G·佩弗;凡廉泰·N·特都罗;汉·蓝·纳格彦;汤玛斯·J·阔培尼克;布莱恩·K·海雀;约翰·P·后兰 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是有关于一种电浆腔室及在此电浆腔室中处理基底的方法。其提供一种蚀刻或化学气相沉积电浆制程和装置，其可藉由传送至电浆制程腔室中的多个电浆控制器件的电源的脉冲调变，而在基底的表面上产生均匀的电浆。在电浆制程腔室中所产生及/或维持的电浆的形成方法是使用传送至射频电源的能量在进行电浆制程步骤期间，藉由一个或多个电浆控制器件来控制、产生、增强及/或塑型电浆。
电浆腔室电浆腔室中处理基底方法