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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使用一个或多个无定形碳硬模层来处理基板的方法、系统和装置-CN202280019632.5在审
发明人： K·尼塔拉;S·M·博贝克;K·D·李;R·林杜尔派布恩;K·基欧希斯;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模层之后在基板上进行快速热退火操作。快速热退火操作持续达60秒或更短的退火时间。快速热退火操作包括将基板加热到在600摄氏度至1,000摄氏度的范围内的退火温度。所述方法包括在进行快速热退火操作之后蚀刻基板。
使用一个无定形碳硬模层来处理方法系统装置

[发明专利]在低温下含硅膜的等离子体增强沉积-CN202180090330.2在审
发明人： A·爱丁;程睿;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括使含硅前驱物流动到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在半导体处理腔室的面板与基座之间的处理区域中点燃等离子体。基座可支撑包括图案化的光刻胶的基板。方法可包括将基板温度维持在小于或约200℃。方法还可包括沿着图案化的光刻胶沉积含硅膜。
低温下含硅膜等离子体增强沉积

[发明专利]改善在氧化硅上的超薄非晶硅膜的连续性的预处理方法-CN201880036516.8有效
发明人：程睿;Y·杨;陈一宏;K·嘉纳基拉曼;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在一个实现方式中，提供了一种在处理腔室中的衬底上形成非晶硅层的方法。所述方法包括在衬底上沉积预定厚度的牺牲介电层。所述方法还包括通过去除所述牺牲介电层的部分以暴露所述衬底的上表面来在所述衬底上形成图案化特征。所述方法还包括对所述图案化特征执行等离子体处理。所述方法还包括在所述图案化特征和所述衬底的所述暴露上表面上沉积非晶硅层。所述方法还包括使用各向异性蚀刻工艺从所述图案化特征的上表面和所述衬底的所述上表面选择性去除所述非晶硅层，以提供填充在由所述非晶硅层形成的侧壁间隔件内的所述图案化特征。
改善氧化超薄非晶硅膜连续性预处理方法

[发明专利]用于减少节流阀漂移的主动冷却式前级管道陷阱-CN202180088856.7在审
发明人：付高生;T·A·恩古耶;A·班塞尔;K·嘉纳基拉曼;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统包括：处理腔室，所述处理腔室限定处理区域。半导体处理系统可包括前级管道，所述前级管道与处理腔室耦合。前级管道可限定流体导管。半导体处理系统可包括前级管道陷阱，所述前级管道陷阱与前级管道的远端耦合。半导体处理系统可包括可移除插件，在前级管道陷阱的内部内提供所述可移除插件。半导体处理系统可包括节流阀，所述节流阀在可移除插件的下游与前级管道陷阱耦合。
用于减少节流阀漂移主动冷却式前级管道陷阱

[发明专利]用于改善热化学气相沉积(CVD)均匀性的设备和方法-CN201880056745.6有效
发明人：黄祖滨;程睿;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。
用于改善热化学沉积 cvd 均匀设备方法

[发明专利]用于3D NAND存储器器件的基于CVD的氧化物-金属多结构-CN201780040172.3有效
发明人： S·辛哈罗伊;K·陈;H·M·李;S·卡玛斯;A·B·玛里克;S·冈迪科塔;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
用于 nand 存储器器件基于 cvd 氧化物金属结构

[发明专利]硬模和通过等离子体增强化学气相沉积形成硬模的工艺-CN202180080877.4在审
发明人：许瑞元;K·尼塔拉;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。
通过等离子体增强化学沉积形成工艺

[发明专利]形成硬模的方法-CN202180080876.X在审
发明人：许瑞元;B·库玛;K·嘉纳基拉曼;P·曼纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总体涉及形成硬模的方法。本文描述的实施例使得能够例如形成具有降低的膜应力的含碳硬模。在实施例中，提供了处理基板的方法。方法包括将基板定位在处理腔室的处理空间中，并在基板上沉积类金刚石碳(DLC)层。在沉积DLC层之后，通过执行等离子体处理来降低膜应力，其中等离子体处理包括施加约100W至约10,000W的射频(RF)偏压功率。
形成方法

[发明专利]硼硅膜中的硼浓度可调性-CN202180077566.2在审
发明人： Y·杨;K·尼塔拉;程睿;K·嘉纳基拉曼;D·凯德拉亚;黄祖滨;A·爱丁 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。
硼硅膜中的浓度调性

[发明专利]掺杂半导体膜-CN202180069574.2在审
发明人： A·爱丁;程睿;杨毅;K·尼塔拉;K·嘉纳基拉曼;戚波;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。
掺杂半导体

[发明专利]微体积沉积腔室-CN201780023308.X有效
发明人： D·R·杜波依斯;K·嘉纳基拉曼;祝基恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述了具有盖、基板支座及内挡环的处理腔室，该盖具有下表面，该基板支座具有面向该盖的上表面，该内挡环在该基板支座与该盖之间。描述了使用该处理腔室的方法。
体积沉积

[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转-CN201780023993.6有效
发明人： A·K·班塞尔;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;K·嘉纳基拉曼;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本说明书所述实施例总体上有关在沉积工艺期间对基板支撑件与气体分配媒介之间的处理间距的动态、实时控制。于沉积工艺期间的任何时间，利用多维自由度来改变基板平面相对于气体分配媒介的角度及间距。如此，在沉积工艺期间可校平、倾斜、旋转、摇晃和/或移动基板和/或基板支撑件，以达到改善的膜均匀度。此外，由于在基板平面相对于喷头的校平的持续变化，可得到对各层的独立调校，以平均化基板上的有效沉积，因而改良整体的叠层沉积性能。
化学沉积工艺期间动态晶片倾斜旋转

[发明专利]用于产生用于硬掩模和其他图案化应用的高密度、氮掺杂碳膜的方法-CN202180042770.0在审
发明人：许瑞元;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施例总的来说涉及制造集成电路。更特定地，本文描述的实施例提供了用于沉积用于图案化应用的氮掺杂的类金刚石碳膜的技术。在一个或多个实施例中，一种用于处理基板的方法包括：使含有烃化合物和氮掺杂剂化合物的沉积气体流入在静电卡盘上定位有基板的工艺腔室的处理体积中；和通过将第一RF偏压施加到静电卡盘来在基板处或上方产生等离子体，以在基板上沉积氮掺杂的类金刚石碳膜。氮掺杂的类金刚石碳膜具有大于1.5g/cc的密度和约‑20MPa至小于‑600MPa的压缩应力。
用于产生硬掩模其他图案应用高密度掺杂方法

[发明专利]用于非晶硅中减少氢掺入的离子布植-CN202180051316.1在审
发明人：程睿;R·普拉萨德;K·嘉纳基拉曼;G·K·赫玛尼;K·尼塔拉;S·唐;Q·高 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。该非晶硅层可以由第一氢掺入量表征。方法可包括对非晶硅层执行束线离子布植工艺或等离子体掺杂工艺。方法可包括从非晶硅层移除氢直至小于第一氢掺入量的第二氢掺入量。
用于非晶硅中减少掺入离子

[发明专利]用于产生用于硬掩模及其他图案化应用的高密度碳膜的方法-CN202180043452.6在审
发明人：许瑞元;P·曼纳;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施例总体上涉及集成电路的制造。更具体地，本文描述的实施例提供了用于产生用于图案化应用的应力减小的类金刚石碳膜的方法。在一个或多个实施例中，一种方法包括将含有碳氢化合物的沉积气体流入具有定位在静电夹盘上的基板的处理腔室的处理容积中，及通过将第一RF偏压施加到静电夹盘在处理容积中的基板上方产生等离子体以在基板上沉积受应力的类金刚石碳膜。受应力的类金刚石碳膜具有‑500MPa或更大的压缩应力。方法进一步包括加热受应力的类金刚石碳膜以在热退火工艺期间产生应力减小的类金刚石碳膜。应力减小的类金刚石碳膜具有小于‑500MPa的压缩应力。
用于产生硬掩模其他图案应用高密度方法

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