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[发明专利]半导体处理腔室-CN202080070212.0在审
发明人： G·托兰;K·D·沙茨;L·卡琳塔;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：示例性半导体处理系统可包含被配置为支撑半导体基板的基座。基座可以作为第一等离子体产生电极操作。系统可包含限定径向容积的盖板。系统可包含用盖板支撑的面板。面板可以作为第二等离子体产生电极操作。等离子体处理区域可以在由面板限定的径向容积内被限定在基座与面板之间。面板可限定多个第一孔。系统可包含定位在面板与基座之间的喷头。喷头可限定多个第二孔，所述多个第二孔包含比多个第一孔更多数量的孔。
半导体处理

[发明专利]半导体处理腔室-CN201780025151.4有效
发明人：阿伦·缪尔·亨特;梅兰·贝德亚特;尼拉杰·默钱特;道格拉斯·R·麦卡利斯特;姚东明;龙·刚·塞缪尔·陈;劳拉·哈夫雷查克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述了一种半导体处理装置，所述半导体处理装置具有：具有壁的主体，所述壁定义所述主体内的两个处理腔室；穿过所述壁的通路，在所述两个处理腔室之间形成流体耦合；盖，可移除地耦合至所述主体，所述盖具有与所述通路流体连通的门户；气体活化器，在所述处理腔室外面耦合至所述盖，所述气体活化器具有与所述盖的所述门户流体连通的出口；基板支撑件，设置在各处理腔室中，各基板支撑件具有至少两个加热区，各加热区具有嵌入式加热构件；气体分布器，
半导体处理

[实用新型]半导体处理腔室-CN201821726698.5有效
发明人： S·朴;T·Q·特兰;N·卡尔宁;D·卢博米尔斯基;A·德瓦拉孔达 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了半导体处理腔室。系统和方法可用于制定等离子体过滤。示例性处理腔室可包括喷淋头。处理腔室可包括基板支撑件。处理腔室可包括电源，所述电源与基板支撑件电气耦合并且经构造以向基板支撑件提供电力，来在喷淋头与基板支撑件之间限定的处理区域内产生偏压等离子体。处理系统可包括等离子体屏蔽件，所述等离子体屏蔽件与基板支撑件耦合并且经构造以实质上消除穿过等离子体屏蔽件的等离子体泄漏。等离子体屏蔽件可与电气接地耦合。
基板支撑件等离子体屏蔽件处理腔室半导体处理腔室耦合喷淋头电源等离子体等离子体泄漏偏压等离子体处理区域处理系统电气接地电气耦合可用过滤穿过制定

[发明专利]一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法-CN202110018473.4在审
发明人：李焕珪;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体处理腔室、设备及半导体处理方法，涉及半导体加工技术领域，以提高半导体处理件的清洗效率。半导体处理腔室，用于对半导体处理件进行氢等离子体清洗处理。该半导体处理腔室包括腔室本体。腔室本体上设有与氢气发生器连通的窗口，腔室本体内设有加热组件。该半导体处理腔室还包括与加热组件通信连接的控制组件。控制组件用于在半导体处理件处于氢等离子体清洗阶段时，控制加热组件，使腔室本体内的温度达到预设温度，以减少半导体处理件的清洗时间。上述半导体处理设备包括上述半导体处理腔室。上述半导体处理方法应用于上述半导体处理腔室及上述半导体处理设备。
一种半导体处理设备方法

[发明专利]半导体元件处理系统、半导体元件处理装置及半导体元件处理方法-CN201811621243.1有效
发明人：刘晏宏;陈鸿文;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一实施例中，一种系统包括：气闸；第一半导体处理腔室；第二半导体处理腔室；及传送模块，配置以将感测器移动到第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室中，及移动出第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室，其中感测器配置以：当在第一半导体处理腔室内时，收集表征第一半导体处理腔室的感测器数据；及当在第二半导体处理腔室内时，收集表征第二半导体处理腔室的感测器数据，其中传送模块、第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室在气闸的第一侧面上的受控内部大气内
半导体元件处理系统装置方法

[发明专利]多腔室半导体处理装置-CN201110217259.8有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种多腔室半导体处理装置，所述多腔室半导体处理装置包括至少两个沿纵向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，每个微腔室包括形成上工作表面的上腔室部和形成下工作表面的下腔室部，每个微腔室的上腔室部和下腔室部的边缘包含对应的柱位孔，所述上腔室部和所述下腔室部可沿纵向贯穿所述柱位孔的立柱的导引在一用于装载或移除该半导体晶圆的打开位置和一用于容纳和处理半导体晶圆的关闭位置之间相对移动。与现有技术相比，本发明中的多腔室半导体处理装置采用立柱导引结构，并在所述立柱上纵向设置多个微腔室。使得所述多腔室半导体处理装置能够同时对多个半导体晶圆进行单晶圆化学处理。
多腔室半导体处理装置

[发明专利]半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法-CN202011194714.2在审
发明人：魏愷进;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法，半导体制程系统在制程腔室中处理半导体晶圆。制程腔室包括用于在腔室内执行半导体制程的半导体处理设备。制程腔室包括与制程腔室的一或多个部件整合在一起的热管。热管有效地将来自腔室内的热转移至腔室外部。
半导体系统以及处理方法

[发明专利]半导体处理设备组以及半导体处理设备-CN201610496004.2有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭露了一种半导体处理设备组以及半导体处理设备，其中，半导体处理设备组包括至少两个沿横向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室和承载半导体晶圆在多个横向分布的微腔室之间移动的晶圆承载部。在微腔室处于关闭位置时，半导体晶圆被晶圆承载部安置于微腔室中，进行单晶圆化学处理；在打开位置时，晶圆承载部承载半导体晶圆从一个微腔室移动到另一微腔室。使得本发明提供的半导体处理设备组在保留单晶圆处理技术的同时能够对半导体晶圆进行批量化处理。
半导体处理设备组以及设备

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN202210226125.0在审
发明人：林晨弘;邱雅琴;林明贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法，实施例是针对一种优化沉积在半导体处理腔室中的半导体基板上的目标材料膜的厚度的方法，其中半导体处理腔室包含位于半导体处理腔室上的磁性组件，磁性组件包含在磁性组件内的多个磁柱。方法包含：操作半导体处理腔室以在位于半导体处理腔室内的半导体基板上沉积目标材料膜；量测沉积膜的均匀性；调整一个或多个磁柱在磁性组件中的位置；及在调整一个或多个磁柱的位置之后，操作半导体处理腔室以沉积目标材料的膜
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件-CN201710031113.1在审
发明人：林以正;孙志铭;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种半导体处理器件包括第一蚀刻腔室、第二蚀刻腔室、以及蚀刻模块。蚀刻模块适于可交换地包含用于晶圆蚀刻的第一蚀刻腔室或第二蚀刻腔室。还提供了使用半导体处理器件的半导体工艺。本发明实施例涉及半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件。
半导体工艺使用处理器件

[发明专利]半导体制造系统-CN202110474543.7在审
发明人：姚志远;陈禹佑;邹翔龙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种半导体制造系统，包括一半导体处理设备、一颗粒吸引构件以及一监控装置。半导体处理设备包括一处理腔室以及一传送模块。处理腔室配置以对一半导体晶圆执行一半导体处理。传送模块配置以将半导体晶圆传入以及传出处理腔室。颗粒吸引构件具有一涂层。监控装置配置以当半导体晶圆不在处理腔室中时，控制传送模块将颗粒吸引构件装载至一清洁循环中的处理腔室，以及在清洁循环之后控制传送模块将颗粒吸引构件由处理腔室移出。在清洁循环中，在处理腔室中的颗粒是因为涂层以及处理腔室中的颗粒之间的一电位差被吸引到颗粒吸引构件的涂层的一表面。
半导体制造系统

[发明专利]一种半导体处理装置-CN201610209867.7有效
发明人：刘建生;陈鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理装置。该半导体处理装置包括射频电源、阻抗匹配单元和处理腔室，射频电源连接阻抗匹配单元，用于将射频能量传输至处理腔室；阻抗匹配单元连接处理腔室，用于对处理腔室的阻抗和射频电源的阻抗进行匹配，阻抗匹配单元包括切换元件，处理腔室包括至少两个，切换元件用于将射频能量切换传输至各个处理腔室。该半导体处理装置能够使至少两个处理腔室共用一个射频电源和一个阻抗匹配单元，从而降低了半导体处理装置的生产成本，并简化了半导体处理装置的结构，进而提升了半导体处理装置的核心竞争力。
一种半导体处理装置

[发明专利]模块化半导体处理设备-CN201110453921.X有效
发明人：温子瑛;马彦圣 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化半导体处理设备，其包括半导体处理模块、流体传送模块、流体承载模块和控制模块。所述半导体处理模块包括一用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室，所述微腔室包括一个或多个供流体进入所述微腔室的入口和一个或多个供流体排出所述微腔室的出口。所述流体传送模块用于将各种未使用流体通过管道和所述微腔室入口驱动至所述微腔室内，所述控制模块用于控制所述半导体处理腔室和所述流体传送模块。所述半导体处理装置具有体积较小、结构简单、组装方便灵活、组件更换方便等优点。
模块化半导体处理设备

[实用新型]半导体处理腔室部件组件-CN201720101925.4有效
发明人： V·菲鲁兹多尔;I·优素福;S·E·巴巴扬;R·丁德萨;C·李;K·多恩;A·奥马利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文所公开的实施方式涉及一种半导体处理腔室部件组件。在一个实施方式中，半导体处理腔室部件组件包括第一半导体处理腔室部件、第二半导体处理部件和密封构件。密封构件在第一半导体处理腔室部件和第二半导体处理腔室部件之间提供密封。主体包括第一表面、第二表面、第一密封表面和第二密封表面。第一表面被配置成暴露于等离子体处理区域。第二表面与第一表面相对。第一密封表面接触第一半导体处理腔室部件。第二密封表面接触第二半导体处理腔室部件。
半导体处理部件组件

[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备-CN202110805469.2在审
发明人：鲍锡飞;周刘涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制造方法及半导体器件蚀刻设备，半导体结构的制造方法包括，提供待处理半导体结构，并将待处理半导体结构置于处理腔室中，待处理半导体结构包括基底和位于基底上的待处理目标结构，待处理目标结构的侧壁覆盖有含溴聚合物层；去除含溴聚合物层，形成半导体结构；将去除含溴聚合物层过程中产生的过程物清除出处理腔室。在本公开中，将含溴聚合物层从待处理半导体结构上去除，并清除出处理腔室，避免含溴聚合物在处理腔室的环境下生成HBr，使处理腔室内除溴更加彻底，减小HBr在半导体结构上凝聚的概率，提高半导体结构的良率。
半导体结构制造方法半导体器件蚀刻设备

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