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[发明专利]高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法-CN202211598067.0在审
发明人：陈大正;穆昌根;张春福;赵胜雷;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高阈值电压稳定性和低栅漏电的GaN HEMT器件结构及制备方法，GaN HEMT器件结构包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、源极、漏极、钝化层、纯p型SnO层、原子掺杂的SnO基薄膜层和栅极，其中，衬底、缓冲层、沟道层、势垒层依次层叠；源极位于势垒层的一端，漏极位于势垒层的另一端；纯p型SnO层位于源极和漏极之间的部分势垒层上；原子掺杂的SnO基薄膜层覆盖纯p型SnO层的上表面；栅极位于原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面上；钝化层覆盖纯p型SnO层和源极之间的势垒层表面、纯p型SnO层和漏极之间的势垒层表面，且覆盖原子掺杂的SnO基薄膜层的部分表面。
阈值电压稳定性漏电 gan hemt 器件结构制备方法

[发明专利]双沟道晶体管及其制备方法-CN201210335697.9有效
发明人：赵妙;郑英奎;刘新宇;彭铭曾;李艳奎;欧阳思华;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了双沟道晶体管，以GaN为材料，包含双沟道，即第一沟道和第二沟道，第一沟道为势垒层和GaN沟道层的界面，第二沟道为背势垒层和GaN沟道层的界面，所述势垒层和背势垒的材料均为AlGaN；所述AlGaN背势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％，所述AlGaN势垒层的厚度为20nm，铝组分为30％。本发明提供的双沟道晶体管及其制备方法，采用一定铝组分和厚度的铝镓氮作为背势垒层，形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，强极化电场使沟道中的二维电子气（2DEG）被限制在两个非常高的势垒中，形成双沟道
沟道晶体管及其制备方法

[发明专利]有机EL设备及其制造方法-CN201780097018.X有效
发明人：岸本克彦 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：薄膜密封结构具有：第一无机势垒层(12)、与第一无机势垒层的上表面相接的有机势垒层(14)、与第一无机势垒层的上表面和有机势垒层的上表面相接的第二无机势垒层(16)。周边区域具有：第一突状结构体(22a)，其包含由基板支承的、沿有源区域的至少一个边延伸的部分；以及在第一突状结构体上延伸设置的第一无机势垒层的延伸设置部(12e)，第一突状结构体的高度大于第一无机势垒层的厚度
有机 el 设备及其制造方法

[发明专利]InGaN/GaN量子阱结构及其制备方法和应用-CN202210104087.1在审
发明人：本钰豪;赵德刚;梁锋;杨静;刘宗顺;陈平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：该InGaN/GaN量子阱结构的制备方法包括：生长GaN垒层；在GaN垒层上生长一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构；其中，在一个或多个周期的InGaN量子阱层/GaN垒层的交替结构的生长间隙中，通入含氢气的反应气体并维持预设时长，以及在经过氢气处理的InGaN量子阱层上继续生长GaN垒层，以获得InGaN/GaN量子阱结构。
ingan gan 量子结构及其制备方法应用

[发明专利]一种双波长单片集成面发射半导体激光器-CN202010600397.3有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;李功捷;乔忠良;赵志斌;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种双波长单片集成面发射半导体激光器，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底顶端自下而上依次生长有缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层，窗口层。
一种波长单片集成发射半导体激光器

[发明专利]一种多插指埋栅结构的增强型高压HEMT器件及其制备方法-CN202110906419.3在审
发明人：尹以安;连梦小;毛明华 -专利权人：迪优未来科技（清远）有限公司;华南师大（清远）科技创新研究院有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种多插指埋栅结构的增强型高压HEMT器件及其制备方法，包括依次层叠的应力释放层、高阻缓冲层、沟道层、插入层和势垒层；源极和漏极位于势垒层两端，与所述插入层接触；栅极位于势垒层上；栅电介质层，位于栅极和势垒层之间；包含插指埋栅单元的多插指埋栅结构，沿势垒层表面延伸至势垒层中一定深度，沿源极指向漏极的方向上，所述多插指埋栅结构与势垒层之间构成多个依次排列的PN结。
一种多插指埋栅结构增强高压 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件-CN202111011687.5在审
发明人：张龙;崔永久;马杰;骆敏;刘培港;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明是一种具有低饱和电流特性的氮化镓功率器件，包括：P型硅衬底上方设有氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层、源极和漏极，作为连接铝镓氮势垒层两端至外围的输入\输出，源极与铝镓氮势垒层左端形成欧姆接触，漏极金属和铝镓氮势垒层右端形成欧姆接触，铝镓氮势垒层上方设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上方设有栅极金属连接铝镓氮势垒层至结构外围的输入\输出，栅极金属和P型氮化镓层形成肖特基接触，P型氮化镓层和栅极在源漏极之间相对距离源极较近，相对距离漏极较远，铝镓氮势垒层上方漏极和P型氮化镓之间设有氮化物钝化层，本发明结构可以有效降低氮化镓功率器件的饱和电流，提高整个器件结构的安全性和可靠性。
一种具有饱和电流特性氮化功率器件

[实用新型]常关型高电子迁移率晶体管-CN201820885095.3有效
发明人： F·尤克拉诺;G·格雷克;F·罗卡福尔特 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种常关型高电子迁移率晶体管，包括：异质结构，异质结构包括沟道层和沟道层上的势垒层；异质结构中的2DEG层；与势垒层的第一区域接触的绝缘层；以及穿过绝缘层的整个厚度的栅极电极，栅极电极终止于与势垒层的第二区域接触势垒层和绝缘层具有晶格常数的失配(“晶格失配”)，晶格常数的失配仅在势垒层的第一区域中生成机械应力，引起在位于势垒层的第一区域下方的二维传导沟道的第一部分中的第一电子浓度，第一电子浓度大于位于势垒层的第二区域下方的二维传导沟道的第二部分中的第二电子浓度
势垒层绝缘层第一区域异质结构高电子迁移率晶体管第二区域晶格常数栅极电极沟道层二维沟道失配传导本实用新型机械应力晶格失配穿过

[发明专利]GaN基发光二极管的外延片的制备方法-CN201410072074.6在审
发明人：武艳萍;魏世祯;谢文明 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述方法包括：提供一衬底；在该衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、n型层、多量子阱层和p型层，该多量子阱层为超晶格结构，每个周期包括量子阱层和量子垒层，紧邻p型层的至少2层量子垒层的生长温度高于除了至少2层量子垒层以外的量子垒层的生长温度。本发明通过使靠近n型层的量子垒层生长温度较低，晶体的质量较差，将应力逐步释放，从而降低压电极化效应，进而有利于靠近p型层的量子垒层的生长，且靠近p型层的量子垒层由于生长温度较高，晶体的质量得到很好的改善
gan 发光二极管外延制备方法

[发明专利]红外LED外延结构及其制备方法-CN202210555718.1在审
发明人：王亚宏;李森林;廖寅生;薛龙;赖玉财;谢岚驰 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种红外LED外延结构及其制备方法，其中所述红外LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的缓冲层、n型半导体层、多量子阱层以及p型半导体层，所述多量子阱层是由非掺势阱层、非掺势垒过渡层以及掺杂势垒层交替层叠而成的周期性结构本发明通过在非掺势阱层和掺杂势垒层之间引入非掺势垒过渡层，能够提高多量子阱层的晶体质量，而且通过掺杂势垒层能够提高多量子阱层的界面质量和组分均匀性，进而改善波长均匀性。
红外 led 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法-CN201310180367.1有效
发明人：李永 -专利权人：合肥彩虹蓝光科技有限公司
申请日： 2013-05-16 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种提高GaN基LED发光效率的量子阱垒层生长方法，该LED外延片结构中的发光层多量子阱从下往上依次包括低温浅量子阱、低温多量子阱发光层结构；其中低温多量子阱垒层采用高生长速率生长且垒阱温差保持在130℃左右，量子阱全部采用高压大于200Torr进行生长，具体生长方法为：第一量子阱垒层通入TMGa源代替TEGa源；第二量子阱垒层用TMGa代替TEGa后，为提高生长速率将TMGa源通入量加倍；第三垒层通入TMGa源加倍后，为维持整个量子阱层周期厚度不变，相应将垒层生长时间减半。
一种 gan led 发光效率量子阱垒层生长方法

[实用新型]集成增强型和耗尽型的HEMT-CN201822240713.1有效
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及本申请提出一种集成增强型和耗尽型的HEMT，包括：衬底；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的第一势垒层和位于第一势垒层上并覆盖部分第一势垒层的第二势垒层，其中，所述第一势垒层的厚度为1nm‑30nm；位于所述第一势垒层上的第一源极、第一漏极和第一栅极以及位于所述第二势垒层上的第二源极、第二漏极和第二栅极。
势垒层增强型耗尽型缓冲层衬底漏极源极氮化镓HEMT器件耗尽型晶体管模拟混合信号本实用新型单片集成高速数字射频电路申请电路覆盖

[发明专利]适于BEOL集成的修改的双磁隧道结结构-CN202080072785.7在审
发明人：孙赞红 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了修改的双磁隧道结(mDMTJ)结构(100)，其包括夹在磁性自由层(108)和第一隧道势垒层之间的非磁性自旋导电金属层(106)；所述第一隧道势垒层(104)接触第一磁性参考层(102)。第二隧道势垒层(110)位于磁性自由层(108)上，并且第二磁性参考层(112)位于第二隧道势垒层(110)上。所述mDMTJ结构展现有效切换和快速读出。
适于 beol 集成修改隧道结构

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN202210423574.4在审
发明人：朴永焕;全祐彻;金钟燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管包括：沟道层；势垒层，在沟道层上并具有比沟道层的能带隙大的能带隙；在势垒层上的栅极结构；源电极和漏电极，在势垒层上彼此间隔开且栅极结构在其之间；场板，电连接到源电极并在栅极结构之上延伸；以及与势垒层和漏电极接触的场分散层。场分散层可以朝栅极结构延伸。
电子迁移率晶体管

[发明专利]一种半导体激光器及光学设备-CN202211078531.3在审
发明人：李辉杰;李含轩;李善文;牛守柱;颜虎;何志芳 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：半导体激光器包括：衬底；第一布拉格反射镜，位于衬底一侧；第一势垒层，位于第一布拉格反射镜远离衬底一侧；有源层，位于第一势垒层远离衬底一侧；第二势垒层，位于有源层远离衬底一侧；第二布拉格反射镜，位于第二势垒层远离衬底一侧，第二布拉格反射镜包括至少一层电流扩散层；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜均为N型布拉格反射镜；第一势垒层和第二势垒层其中之一为P型势垒层；其中，还包括第一隧道结，位于N型布拉格反射镜与P型势垒层之间通过在半导体激光器中的第二布拉格反射镜中设置至少一层电流扩散层，提高电流的扩散效果，保证电流的注入均匀性。
一种半导体激光器光学设备