|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2322284个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]一种TBU电路-CN202310634791.2在审
-
张少锋;赵兴杰;邓琪
-
成都方舟微电子有限公司
-
2023-05-31
-
2023-09-01
-
H02H3/08
- 本发明公开一种TBU电路，包括N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET、P沟道耗尽型MOSFET以及限流元件，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的源极连接P沟道耗尽型MOSFET的源极，N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的漏极连接P沟道耗尽型MOSFET的栅极，限流元件的一端连接N沟道耗尽型MOSFET或N沟道JFET的栅极，限流元件的另一端连接P沟道耗尽型MOSFET的漏极。本发明采用P沟道耗尽型MOSFET作为高压器件，既能限流，也能够抑制高压。
- 一种tbu电路
- [发明专利]基准电压产生电路和振荡器-CN202110393980.6在审
-
王红义;陈帅谦
-
拓尔微电子股份有限公司
-
2021-04-13
-
2022-10-18
-
G05F3/20
- 本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。
- 基准电压产生电路振荡器
- [实用新型]基准电压产生电路和振荡器-CN202120751339.0有效
-
王红义;陈帅谦
-
西安拓尔微电子有限责任公司
-
2021-04-13
-
2021-11-23
-
G05F3/20
- 本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。
- 基准电压产生电路振荡器
- [发明专利]基准电压电路-CN201310077421.X有效
-
宇都宫文靖
-
精工电子有限公司
-
2013-03-12
-
2013-09-18
-
G05F1/567
- 通过使栅极与源极连接且有恒定电流流过的第一耗尽型晶体管的恒定电流流过具有与第一耗尽型晶体管相同的阈值的第二耗尽型晶体管，从而在第二耗尽型晶体管的栅极和源极之间产生第一电压。使第一耗尽型晶体管的恒定电流以及栅极与源极连接且有恒定电流流过的第三耗尽型晶体管的恒定电流流过第四耗尽型晶体管。第四耗尽型晶体管具有与第三耗尽型晶体管相同的阈值，由于与第一耗尽型晶体管的阈值不同，所以在栅极和源极之间产生第二电压。基于与这两个电压的电压差来产生基准电压。
- 基准电压电路
- [发明专利]电平转换逻辑电路与电子设备-CN202110495468.2在审
-
郑新年;钟林;孙凯;柯庆福
-
晋江三伍微电子有限公司
-
2021-05-07
-
2021-07-13
-
H03K19/0175
- 本发明提供了一种电平转换逻辑电路与电子设备，包括：第一耗尽型逻辑管、第二耗尽型逻辑管与第一增强型逻辑管；所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为具有负压开启特性的逻辑管；所述第一耗尽型逻辑管的第一端直接或间接连接至所述第一增强型逻辑管的控制端，所述第一增强型逻辑管的第一端连接电压源，所述第一增强型逻辑管的第二端连接所述第二耗尽型逻辑管的第一端；所述第一耗尽型逻辑管的控制端与所述第二耗尽型逻辑管的控制端均接地；所述第一增强型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第一端还连接信号输出端，所述第一耗尽型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。
- 电平转换逻辑电路电子设备
- [实用新型]电平转换逻辑电路与电子设备-CN202120962695.7有效
-
郑新年;钟林;孙凯;柯庆福
-
晋江三伍微电子有限公司
-
2021-05-07
-
2022-01-14
-
H03K19/20
- 本实用新型提供了一种电平转换逻辑电路与电子设备，包括：第一耗尽型逻辑管、第二耗尽型逻辑管与第一增强型逻辑管；所述第一耗尽型逻辑管与所述第二耗尽型逻辑管均为具有负压开启特性的逻辑管；所述第一耗尽型逻辑管的第一端直接或间接连接至所述第一增强型逻辑管的控制端，所述第一增强型逻辑管的第一端连接电压源，所述第一增强型逻辑管的第二端连接所述第二耗尽型逻辑管的第一端；所述第一耗尽型逻辑管的控制端与所述第二耗尽型逻辑管的控制端均接地；所述第一增强型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第一端还连接信号输出端，所述第一耗尽型逻辑管的第二端与所述第二耗尽型逻辑管的第二端均连接信号输入端。
- 电平转换逻辑电路电子设备
- [发明专利]一种ESD保护电路-CN200710172933.9有效
-
单毅
-
上海宏力半导体制造有限公司
-
2007-12-25
-
2008-07-02
-
H01L27/02
- 本发明的一种ESD保护电路，它包括耗尽型MOS管、厚氧化层管和电荷泵。电荷泵与耗尽型的MOS管栅极连接，厚氧化层管和耗尽型MOS管的漏极与输入/输出焊盘连接，氧化层管和耗尽型MOS管的源极与衬底短接，耗尽型MOS管的源极与氧化层管的衬底短接。耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，厚氧化层管为N型厚氧化层管，电荷泵为负电荷泵。N型厚氧化层管可采用长沟道管替代。IC芯片上电，通过电荷泵关闭耗尽型MOS管，不启动保护电路。IC芯片不上电，寄生于厚氧化层管的双极型晶体管通过耗尽型MOS管导通，降低保护电路的触发电压，解决ESD保护电路过电流均匀性问题。
- 一种esd保护电路
- [发明专利]自举D类宽带RF功率放大器-CN201680038029.6有效
-
Q·迪达克
-
艾尔丹通信设备公司
-
2016-04-20
-
2021-05-07
-
H03F3/193
- 输出级被设置为D类放大器配置，并且包括：第一耗尽型场效应晶体管(FET)、第二耗尽型FET、以及将输出级的输出联接到第二FET的栅极的自举路径。第一耗尽型FET和第二耗尽型FET在单相驱动器的引导下被切换为异相且在完全导通(ON)与完全截止(OFF)状态之间切换。单相驱动器直接控制第一耗尽型FET的导通/截止状态，并且提供放电路径，通过该放电路径，输出级中的第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以放电，以截止第二耗尽型FET。自举路径提供电流路径，通过该电流路径，第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以充电，以导通第二耗尽型FET。
- 宽带rf功率放大器
|
