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[实用新型]硅基光伏电池-CN202021666991.4有效
发明人：葛学斌;吴守庆;冯成坤 -专利权人：上海先韦能源科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型发明太阳能电池技术领域一种高效率硅基光伏电池。一种硅基光伏电池，其特征在于：所述硅基光伏电池从下至上包括金属铝层、导电层、N型单晶硅片、P型硅层、氮化硅钝化层和铜栅电极，所述N型单晶硅片进行双面制绒处理，在N型单晶硅片的表面形成金字塔微结构的绒面层；所述P型硅层上沉积氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层上通过刻蚀处理在P+掺杂区的对应位置形成上电极的区域开口；在P型硅层的上表面沉积铜栅电极；N型单晶硅片下表面沉积导电层，导电层为二氧化钛/黑磷烯复合层，在所述N型单晶硅片的下表面形成下电极。
硅基光伏电池

[实用新型]一种基于硅纳米线结构的太阳能电池-CN201922495615.7有效
发明人：房冉冉;曹惠;聂顺;郭丽娟;张潇华 -专利权人：中国石油大学胜利学院
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅纳米线结构的太阳能电池，其自上而下包括正面电极（1）、ITO氧化铟锡透明导电薄膜（2）、P型非晶硅层（3）、正面本征非晶硅层（4）、硅纳米线绒面层（5）、N型硅衬底（6）、背面本征非晶硅层其中硅纳米线绒面层（5）由相互交叉堆叠的硅纳米线构成，通过酒精溶液转移至N型硅衬底（6）上形成的相互交叉堆叠的硅纳米线层，其每根硅纳米线直径为40‑80nm，长度为10‑40um，该硅纳米线层具有强烈的陷光特性，能够有效降低硅衬底表面的光反射率。本实用新型通过采用硅纳米线层，有效降低了电池表面的光反射率，增强了太阳能电池的陷光性能，提高了太阳能电池光电转换效率，可用于光伏发电。
一种基于纳米结构太阳能电池

[实用新型]一种光伏发电装置-CN201721837506.3有效
发明人：许常乐 -专利权人：北京中兑志远科技发展有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电转换效率高的光伏发电装置。其包括MPPT控制器、封装光伏电池组件、逆变器和微处理器；封装光伏电池组件中的光伏电池自下而上依次设有硅片基体、铝栅线、P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型非晶硅层；铝栅线经导电胶体连接到导透明电膜层；本征非晶硅层为非晶硅制成通过在本征非晶硅层中添入Sr14MgSb11后，能将200‑400nm波段的光转化为波长400nm以上的光，从而便于硅基光伏电池吸收利用。与现有技术相比，本实用新型所述的能提高光电转化效率的光伏发电装置，不仅稳定性高，而且通过对波长进行转化，使得太阳能的光电转化效率大大提高。
本征非晶硅层光伏发电装置光电转化效率光伏电池组件本实用新型光伏电池波长铝栅封装光电转换效率微处理器表面喷涂导电胶体硅片基体透明电膜非晶硅逆变器波段硅基转化太阳能吸收

[发明专利]氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法-CN201110008059.1无效
发明人：李新建;韩昌报;贺川;王伶俐;常立红;王晓霞 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-01-15 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管，包括上、下接触电极，还包括透明导电薄膜、氮化镓、p型硅纳米孔柱阵列、p型单晶硅层以及金属导电薄膜层，其中p型硅纳米孔柱阵列覆盖在p型单晶硅层顶面，氮化镓与p型硅纳米孔柱阵列形成异质结；透明导电薄膜沉积在n型氮化镓的表面，p型单晶硅层底部为金属导电薄膜层。本发明的黄绿光、近红外光二极管，具有较低的阈值电压和工作电压，它填补了长波光发射器件中没有氮化镓/硅异质结构发光二极管的空白，必将促进硅基氮化镓发光器件的进一步发展。
氮化纳米阵列结构黄绿红外光发光二极管及其制备方法

[发明专利]硅基光互连系统及其制备方法-CN201811563010.0在审
发明人：薛磊;岳庆东 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基光互连系统及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：制备硅一衬底和硅外延层；形成光电区域和CMOS区域；形成第一隔离层；制备PMOS和NMOS；形成第二硅衬底形成Ge籽晶层、P型Ge层、N型Ge层、N型Si层、第二隔离层；形成光源区域、光波导区域、光探测器区域；在所述光波导上形成第一应变层、所述PMOS区域上形成第二应变层；在所述探测器上形成第三应变层、所述NMOS区域上形成第四应变层以完成所述硅基光互连系统的制备本发明的本发明的硅基光互连系统制备工艺采用一套工艺制备硅基单片光电集成器件，集成了光电器件和CMOS器件，工艺简单且兼容性高。
硅基光互连系统及其制备方法

[发明专利]光检测装置及光检测测距装置-CN201811274233.5有效
发明人：国分弘一;松本展 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开提供光检测效率高的光检测装置。光检测装置具备：设置于半导体基板的第1主表面上的第1导电型的硅层；第1半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高；第2半导体层，设置于所述第1半导体层上，是第2导电型，与所述第1半导体层形成pn边界；第3半导体层，设置于所述硅层内，是第1导电型，杂质浓度比所述硅层的杂质浓度高，与所述第1半导体层分隔开；连接于所述硅层的第1电极；以及连接于所述第2半导体层的第2电极。
检测装置测距

[发明专利]一种基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池及其制备方法-CN201711330389.6在审
发明人：于晓明;余璇;陈立桥;冷哲;胡金飞;王亚宁 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池及其制备方法，电池上部采用金属栅线/氧化锌纳米柱层/氧化锌薄膜层复合结构电极接受光照，电池下部采用P型聚合物层/银纳米线层/P型保护层复合结构透明导电薄膜接受光照其优点是：通过简单的非真空方法制备P型聚合物层/银纳米线层/P型保护层复合薄膜应用于硅太阳能电池一侧，上述薄膜具有高度透过率的同时因纳米线能够实现光的有效散射，实现光受光/陷光的硅太阳能电池；在硅太阳能电池另外一侧，制备金属栅线/氧化锌纳米柱复合结构电极，也实现光的高度透过同时对光的有效散射，综合利用上述结构的三重光散射，实现基于纳米结构的双面受/陷光单晶硅太阳能电池。
陷光单晶硅太阳能电池制备硅太阳能电池复合结构纳米结构散射氧化锌纳米柱金属栅线银纳米线电极保护层光照电池透明导电薄膜氧化锌薄膜层复合薄膜非真空纳米线透过率受光薄膜应用

[发明专利]一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法-CN201610804861.4有效
发明人：陈归 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，在滤波器的工艺完成后，采用正性光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆，采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使得不透光区域下方的光阻部分被光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合为止，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触，对未进行光阻覆盖的多晶硅区域进行N型重掺杂，以实现对多晶硅区域中两电极端进行N型重掺杂。
光阻不透光区域低温多晶硅多晶硅区域高分辨率多晶硅光罩像素滤波器金属薄膜晶体管电极区域光阻边缘欧姆接触曝光处理曝光方式源漏电极正性光阻电极端下边缘重合成膜涂覆显影与门制作光照曝光覆盖

[发明专利]光电动势装置及其制造方法-CN200880129964.9无效
发明人：森川浩昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：得到一种具有用于有效利用光电动势装置中的背面侧的反射光的结构的光电动势装置。具备：p型硅衬底(12)；n型扩散层(13)，其是在p型硅衬底(12)的光入射面侧扩散n型杂质而得到的；表面电极，其形成在n型扩散层(13)上；p+层(14)，其形成在与p型硅衬底(12)的光入射面相对的背面；背面银电极(18)，其形成在p+层(14)上的规定位置处；以及由绝缘性材料构成的反射层(20)，其形成在形成有背面银电极(18)的p+层(14)上，用于反射光。
电动势装置及其制造方法

[发明专利]半导体硅晶片的制备方法、硅晶片及图像传感器-CN201810088768.7有效
发明人：赵长林;曾甜 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体硅晶片的制备方法、半导体硅晶片及图像传感器。所述方法包括：提供一半导体硅晶片；在所述半导体硅晶片表面铺设一层光阻剂，对所述光阻剂进行图案化工艺，以形成具有若干相互平行且间隔相等的预设宽度的条纹图案的光阻；以所述光阻为阻挡层，对所述半导体硅晶片进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成W型的浅沟槽；对所述W型的浅沟槽的侧壁进行刻蚀，以在所述半导体硅晶片表面形成波浪形结构。利用本发明提供的方法增加了半导体硅晶片的表面积，增加了光吸收率，从而提升图像处理器光学性能。
半导体硅晶片图像传感器光阻剂浅沟槽光阻刻蚀制备表面形成波浪图案化工艺图像处理器表面形成光吸收率光学性能条纹图案硅晶片阻挡层侧壁预设相等平行铺设

[发明专利]反偏型硅发光SOI光电隔离器、其集成电路及制作方法-CN201910823544.0有效
发明人：黄磊;孙宏亮;徐开凯;赵建明;施宝球;范洋;洪继霖;钱津超;李建全;曾尚文;李洪贞;廖楠;徐银森;黄平;刘继芝;陈勇 -专利权人：电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;四川晶辉半导体有限公司;成都智芯微科技有限公司;上海联芯微电子科技有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L31/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种反偏型硅发光SOI光电隔离器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层硅，第一衬底与顶层硅通过智能剥离技术键合；反偏型硅发光SOI光电隔离器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层硅中的硅光源。本发明还公开了上述光电隔离器的制作方法，并进一步公开了上述反偏型硅发光SOI光电隔离器的集成电路及其制作方法。本发明提供了硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电隔离器可以与电路集成在同一个衬底上，硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度
反偏型硅发光 soi 光电隔离器集成电路制作方法

[发明专利]双向光可控硅芯片-CN200310123928.0有效
发明人：鞠山满;久保胜 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：在CH1一侧的一光可控硅和在CH2一侧的一光可控硅中，在一P栅极扩散区33和一N型硅衬底31之间一肖特基势垒二极管44。采用这种布置，少数载流子从P栅极扩散区33向N型硅衬底31的注入受到限制，减少了残余载流子的数目，而且整流期间仍然在N型硅衬底31中过量的载流子向相对沟道侧移动的机会也得以减少，使整流特性得到改善。因而，通过与一LED相结合，就可提供一光触发耦合器，用以触发和控制负载。
双向可控硅芯片

[发明专利]光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器-CN200480008456.7无效
发明人：柴山胜己 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2004-03-25 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光电二极管阵列(1)包括n型硅基板(3)。在n型硅基板(3)的被检测光(L)的入射面的相反面一侧，以阵列状而形成有多个光电二极管(4)。设置有至少将n型硅基板(3)中的被检测光(L)的入射面一侧的形成有光电二极管(4)的区域所对应的区域予以覆盖且使被检测光(L)透过的树脂膜(6)。
光电二极管阵列及其制造方法放射线检测器

[发明专利]自由基光引发剂及其在有机硅组合物中的用途-CN201880052279.4有效
发明人： C·马利维尔尼;P·瑟尔;J-M·弗朗西丝;X·阿洛纳斯;A·易卜拉欣 -专利权人：埃肯有机硅法国简易股份公司;上阿尔萨斯大学
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07D311/86 文献下载
摘要：本发明的目的在于II型光引发剂用于自由基交联有机硅组合物、尤其是丙烯酸类有机硅组合物的用途。本发明涉及通过暴露于波长为300‑450nm的辐射而可交联的有机硅组合物C1，该有机硅组合物C1包含：‑至少一种有机聚硅氧烷A，其包含至少一个与硅原子键合的(甲基)丙烯酸酯基团，‑至少一种有机氢基聚硅氧烷H，其包含至少两个、并且优选至少三个各自与不同硅原子键合的氢原子，和‑至少一种自由基光引发剂P。本发明的目的还在于提供包含II型光引发剂体系的自由基可聚合或可交联的有机硅组合物，该II型光引发剂体系适合于有机硅组合物的交联(特别是通过暴露于辐射来实现)，并且其吸收波长大于300nm的光辐射。
自由基引发及其有机硅组合中的用途

[发明专利]一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198963.5在审
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO2II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化基底晶体硅太阳电池双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层光区域晶体硅重掺杂光层短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压发射极掺杂