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[发明专利]一种硅基异质结双面太阳能电池及其制备方法-CN201210233534.X有效
发明人：彭寿;马立云;崔介东;王芸 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2012-07-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基异质结双面太阳能电池及其制备方法，用非晶硅锗合金代替常规的非晶硅薄膜，作为异质结电池的发射极，同时用本征微晶硅锗薄膜作为电池的界面缓冲层，有效降低异质结能带失配导致的价带带阶，减小对空穴的阻碍影响，更有利于对光生少数载流子空穴的收集，从而提高太阳能电池的光伏性能指标。利用射频等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅片的两面分别沉积制备本征微晶硅锗薄膜、P型掺杂的非晶硅锗薄膜、本征非晶硅薄膜及N+型掺杂的非晶硅薄膜，实现有效收集光生载流子的目的。采用此工艺在双面抛光FZ型单晶硅片上制备了光电转换效率为14.62%的异质结双面太阳能电池。
一种硅基异质结双面太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法-CN201580085420.7在审
发明人：薛黎明;杨武保;陆钧 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种背电极异质结太阳能电池及其制备方法，其中背电极异质结太阳能电池包括：晶硅基片、异质结部分和背电极部分，晶硅基片的正面形成有陷光层，陷光层上沉积有增透膜，异质结部分位于晶硅基片的背部，包括本征非晶硅膜层、P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层，P型非晶硅膜层和N型非晶硅膜层上沉积有导电膜，背电极部分沉积于所述导电膜上，本发明将背电极异质结一体化，一方面具有异质结电池制造中工艺较为简单的优点，克服了常规异质结电池存在正面栅线的缺点
背电极异质结太阳能电池晶硅基片异质结沉积异质结电池正面栅线导电膜陷光层制备本征非晶硅膜电池制造工艺增透膜电池一体化制造

[实用新型]一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件-CN202223448875.7有效
发明人：吕云峰;高权 -专利权人：辽宁阳光能源电力有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件，在非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件主体外壁上下、前后包裹矩形罩，在非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件主体四角位置包裹直角罩，直角罩与相邻所述矩形罩之间装配有连接固定结构，进而实现包裹非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件主体外壁的边框的拼接固定，通过拼接的边框对非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件主体提供更好的稳定支撑、对非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件主体边缘进行密闭包裹，通过安装支架和加强支撑架提高装置安装的稳固效果
一种边框型非晶硅薄膜太阳能单玻光伏组件

[发明专利]形成p型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法-CN201510193767.5有效
发明人：町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
形成扩散组合方法制备电池

[发明专利]形成p型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法-CN201510193563.1有效
发明人：町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
形成扩散组合方法制备电池

[发明专利]形成p型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法-CN201110031097.9有效
发明人：町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
形成扩散组合方法制备电池

[发明专利]形成p型扩散层的组合物和方法，及制备光伏电池的方法-CN201610524236.4有效
发明人：町井洋一;吉田诚人;野尻刚;冈庭香;岩室光则;足立修一郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
形成扩散组合方法制备电池

[发明专利]一种中空透光型晶硅太阳电池组件-CN201410140080.0无效
发明人：梁修霞 -专利权人：安阳方圆光电科技有限公司
申请日： 2014-04-10 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：一种中空透光型晶硅太阳电池组件，属于光伏领域，包括采用双玻璃封装的晶硅太阳电池，所述双玻璃封装的晶硅太阳电池前设置有受光玻璃，受光玻璃与所述双玻璃封装的晶硅太阳电池制作为中空结构，所述双玻璃封装的晶硅太阳电池包括前玻璃和背玻璃、设置在前玻璃和背玻璃之间晶硅电池片，晶硅电池片之间设置有用于透光的间隔距离，该技术方案不仅能够用于一般建筑屋的外墙上，而且能够直接也可以用于光伏大棚，避免了光伏大棚另外使用保温材料覆盖的工序，中空结构可提高玻璃的保温效果和隔音效果
一种中空透光型晶硅太阳电池组件

[发明专利]一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池-CN201410240195.7无效
发明人：李孝峰;张程;詹耀辉;翟雄飞;尚爱雪 -专利权人：苏州大学
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜双结太阳能电池，包括自下而上依次平行设置的金属反射层、基底层、透明背部电极层、微晶硅薄膜层、中间层、绝缘层和非晶硅纳米线阵列层，绝缘层上设有多个与n型非晶硅核一一对应设置的纳米孔，n型非晶硅核向下延伸到其对应的纳米孔内部并与中间层的上表面接触，p型非晶硅层和i型非晶硅层设于绝缘层的上表面。其优点在于，不仅可以充分利用非晶硅纳米线的聚光特性，形成多种光的波导模式，同时还利用了非晶硅的纳米尺度柱状结构，当光入射到太阳能电池表面时发生多次反射/散射，增加光在太阳能电池中的路径，提高太阳光吸收率
一种非晶硅纳米线微晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法-CN201210103888.2有效
发明人：张宇翔;黄寓洋;张耀辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池，包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15)，在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制作方法，通过热氧化法引入第一钝化层(11)。通过这样方法改进的太阳能电池会大大改善电池表面的钝化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。
一种接触晶体太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198985.1在审
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成，这两个区域交叉分布且不重叠背电场面由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II或TiO2II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，其中，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
基底金属栅线钝化晶体硅太阳电池透明导电氧化物双面太阳电池导电区域钝化层发射极光区域晶体硅重掺杂本征非晶硅短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压区域交叉不重叠电场面覆盖

[发明专利]用于微型LED元件的有机硅封装胶及其封装方法与应用-CN202310005252.2在审
发明人：邓祚主 -专利权人：北京康美特科技股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微型LED元件的有机硅封装胶。通过使用带有烯基、可光聚合基团和芳基的支链型含烯基聚硅氧烷、带有芳基的直链型含氢聚硅氧烷以及带有芳基和可光聚合基团的直链型有机聚硅氧烷作为基体树脂，与光聚合引发剂、在照射紫外线时不显示催化活性的硅氢加成催化剂配合使用，使得本发明所述的有机硅封装胶具备适宜的粘度和良好的分阶段固化特性，即能够先进行光固化，形成经光固化的封装层，然后再进行热固化，形成经热固化的封装层；并且经热固化的封装层表面平整、厚度均匀，硬度适中，同时还具有良好的透光性
用于微型 led 元件有机硅封装及其方法应用

[发明专利]市电高压光控型驱动电路-CN201810209732.X在审
发明人：卢育成;刘涛;罗峰;谢卓明 -专利权人：日月元科技(深圳)有限公司;旭隼科技股份有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H02M7/155 文献下载
摘要：本发明公开一种市电高压光控型驱动电路，是用于市电高电压大电流及市电突波的工作条件，该市电高压光控型驱动电路包括有一光控开关电路、一硅控整流器光控驱动电路及一主电路。该光控开关电路包括有一光控晶闸管组件及一第一开关组件相串联；该硅控整流器光控驱动电路中设有至少两个受控硅控整流器开关组件相串接且连接有多个二极管，并与该主电路相耦接。本发明提供一种有效地达成根据市电的电压来调整驱动电流能力的一种光控型驱动电路，同时可实现抗市电高压冲击的拓扑结构，以提高电路的整体效率；尤其是能应用于大功率的采用硅控整流器(SCR)作为开关器件的直流变换器
硅控整流器驱动电路光控市电高压市电光控开关电路光控驱动电路主电路光控晶闸管直流变换器二极管第一开关工作效率开关器件开关组件驱动电流拓扑结构整体效率大电流电高压高电压有效地串接轻载受控突波耦接串联电路应用

[实用新型]市电高压光控型驱动电路-CN201820351852.9有效
发明人：卢育成;刘涛;罗涛;谢卓明 -专利权人：日月元科技(深圳)有限公司;旭隼科技股份有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H02M1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种市电高压光控型驱动电路，是用于市电高电压大电流及市电突波的工作条件，该市电高压光控型驱动电路包括有一光控开关电路、一硅控整流器光控驱动电路及一主电路。该光控开关电路包括有一光控晶闸管组件及一第一开关组件相串联；该硅控整流器光控驱动电路中设有至少两个受控硅控整流器开关组件相串接且连接有多个二极管，并与该主电路相耦接。本实用新型提供一种有效地达成根据市电的电压来调整驱动电流能力的一种光控型驱动电路，同时可实现抗市电高压冲击的拓扑结构，以提高电路的整体效率；尤其是能应用于大功率的采用硅控整流器(SCR)作为开关器件的直流变换器
硅控整流器驱动电路光控市电高压市电光控开关电路光控驱动电路本实用新型主电路光控晶闸管直流变换器二极管第一开关工作效率开关器件开关组件驱动电流拓扑结构整体效率大电流电高压高电压有效地串接轻载受控突波耦接串联电路应用

[发明专利]一种沟槽栅IGBT的制备方法及沟槽栅IGBT、芯片-CN202211350011.3在审
发明人：杨磊;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：用光罩在晶圆表面形成对准标记，确定划片道和芯片区域，方便后面各层光罩的对准。然后在终端区域内隔离层的掩盖下向漂移层的正面注入P型掺杂离子以在终端区域内形成多个P型环，在元胞区域形成多个沟槽，在每个沟槽内形成栅氧化层，并淀积多晶硅材料形成多晶硅层，向漂移层的正面注入P型掺杂离子形成P型阱区，然后注入N型掺杂离子形成N型源区和截止环区，由介质层上的接触孔注入P型掺杂离子在N型源区上形成欧姆接触杂质层，并淀积金属材料得到栅电极、发射电极以及终端金属层，通过设计新颖的工艺和结构，在不用多晶硅光罩的情况下形成IGBT结构，节省了多晶硅光罩。
一种沟槽 igbt 制备方法芯片