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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]纳米线-CN201810717044.4在审
发明人：马汀·克里斯多福·荷兰;布莱戴恩·杜瑞兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：在此提供包括锗和镓的逐渐变细的纳米线及其形成方法。所描述的纳米线还可以包括第二半导体材料的一个或多个部分。本揭示内容的方法可以包括使用镓催化剂的气‑液‑固磊晶。
纳米线基板电子束半导体材料逐渐变细镓离子束对基板横越晶种磊晶沉积催化剂充电

[发明专利]大尺寸纳米结构材料以及用于通过烧结纳米线来制作它的方法-CN201380062751.X在审
发明人：约翰·赖芬贝格;萨尼亚·勒布朗;马修·斯卡林 -专利权人：阿尔法贝特能源公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：热电固体材料包括多个纳米线。多个纳米线的各纳米线对应于等于或大于10的纵横比(例如纳米线的长度与纳米线的直径的比率)，以及多个纳米线的各纳米线在各纳米线的至少两个位置以化学方式接合到一个或多个其他纳米线。
尺寸纳米结构材料以及用于通过烧结制作方法

[发明专利]电极结构和用于制造电极的方法-CN201280047780.4在审
发明人：崔准洛;文钟云;柳永先;蔡京勳 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：所述方法包括：将第一纳米线和第二纳米线布置在衬底上；以及将所述第一纳米线和第二纳米线彼此接合。所述电极结构包括衬底、布置在所述衬底上的第一纳米线和布置在所述衬底上的第二纳米线。所述第一纳米线与所述第二纳米线交叉，并且所述第一纳米线和第二纳米线彼此接合。
电极结构用于制造方法

[发明专利]大面积纳米启动宏电子衬底及其用途-CN03825485.9有效
发明人：段镶锋;牛春明;斯蒂芬·恩培多克勒斯;琳达·T·罗马诺;陈建;维坚德拉·萨赫尔;劳伦斯·伯克;戴维·斯顿博;J·瓦利亚塞·帕克;热·L·戈德曼 -专利权人：纳米系统公司
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。
大面积纳米启动电子衬底及其用途

[发明专利]一种柔性电致变色薄膜及制备方法、电致变色器件-CN201610052580.8有效
发明人：俞书宏;王金龙;刘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性电致变色薄膜，包括柔性透明基底、银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第一层纳米线薄膜、以及银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第二层纳米线薄膜；所述第一层纳米线薄膜复合在柔性透明基底上；所述第二层纳米线薄膜交叉复合在所述第一层纳米线薄膜上本发明采用氧化钨纳米线对可见光具有较小的吸收，使共组装的纳米线薄膜具有良好的透过率，又采用具有良好的导电性的银纳米线，使共组装的纳米线薄膜具有良好的导电性，使共组装的纳米线薄膜能作为导电基底，克服了传统电致变色器件需要脆性ITO作为导电基底的限制；而且通过对银纳米线和氧化钨纳米线进行共组装制备纳米线薄膜，改变两种纳米线比例调节薄膜的透过率和导电性。
一种柔性变色薄膜制备方法器件

[发明专利]一种纳米线气体传感器及其制造方法-CN201910942212.4在审
发明人：黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁 -专利权人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本发明属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及其制造方法，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。
纳米线纳米线器件表面修饰层气体传感器衬底电子技术领域气体成分识别单根纳米线响应特性上表面电极覆盖根数制造

[实用新型]一种纳米线气体传感器及电子鼻系统-CN201921663061.0有效
发明人：黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁 -专利权人：深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01N27/407 文献下载
摘要：本实用新型属于电子技术领域，公开了一种纳米线气体传感器及电子鼻系统，纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线，多根纳米线设置在衬底的上表面，每个纳米线的两端均设置有电极，多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层；通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件，从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层，使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性，从而实现气体成分识别。
一种纳米气体传感器电子系统

[发明专利]一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料及其制备方法-CN202110441453.8有效
发明人：白洁;王强;张承双;杨大祥 -专利权人：重庆交通大学绿色航空技术研究院
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线一维复合材料，包括由碳化硅纳米线和原位生长于碳化硅纳米线阵列内的硅纳米线以及分布于碳化硅纳米线和硅纳米线生长端的金属颗粒，所述硅纳米线以图案化的形式分布于碳化硅纳米线的至少一个区域；能够实现在同一基底上不同材料和不同区域的功能化设计，实现图案化的碳化硅纳米线和硅纳米线复合材料的可控制备，碳化硅纳米线和硅纳米线的复合薄膜呈现明显的图案化边界。
一种图案碳化硅纳米线一维复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810744372.3在审
发明人：马克·范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括在半导体基板上形成纳米线基础层。形成第一纳米线于纳米线基础层上。形成栅极结构于纳米线基础层上并缠绕第一纳米线。第二纳米线以由下而上的方式形成在第一纳米线上并与第一纳米线接触。形成源极/漏极区域于栅极结构上并缠绕第二纳米线。
纳米线基础层半导体装置栅极结构缠绕源极/漏极区域半导体基板制造

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201710811002.2有效
发明人：李荣原;陆俊岑;陈冠宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：所述半导体元件包括基底、半导体纳米线、栅极结构、第一金属纳米线以及第二金属纳米线。半导体纳米线垂直配置于基底上。栅极结构环绕半导体纳米线的中间部分。第一金属纳米线位于半导体纳米线的一侧，且与半导体纳米线的下部部分电连接。第二金属纳米线位于半导体纳米线的另一侧，且与栅极结构电连接。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器-CN201610578034.8有效
发明人：胡小龙;刘海毅;程宇豪 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有自增益结构的超导纳米线单光子探测器，包括作为光敏区的第一纳米线，还包括作为自增益区的第二纳米线，第一与第二纳米线并联连接；第二与第一纳米线的宽度比值为N，N的取值大于1；第一纳米线用于探测光子，第二纳米线用于储存电流，实现对脉冲信号的放大；在第一与第二纳米线的并联支路上，串联第三纳米线，宽度为第一和第二纳米线的和；第二纳米线的长度用于控制第一和第二纳米线的电感比例，通过调节第二纳米线的长度，控制第一和第二纳米线的长度比例，进而控制电感比例，使第一和第二纳米线都处于高偏置电流的状态。第三纳米线用于增加支路总电感，通过控制第三纳米线长度控制支路总电感，以此防止热闭锁效应。
一种带有增益结构导纳米线光子探测器

[发明专利]一种纳米线的处理方法及纳米线-CN202010016795.0在审
发明人：马金锁;王允军 -专利权人：苏州星烁纳米科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米线的处理方法，该处理方法包括步骤，提供纳米线溶液；在所述纳米线溶液中产生气体，所述气体使所述纳米线相互分离，或者，所述气体防止所述纳米线并线或打结。本申请通过在纳米线溶液中产生气体，气体能够使得纳米线相互分离，当纳米线溶液中存在打结和/或并线的纳米线时，气体会使并线或打结的纳米线相互分离，从而解决了金属纳米线在纯化过程中因震荡和搅拌等操作出现大量打结和并线的问题
一种纳米处理方法

[发明专利]具有纳米线的半导体结构-CN202010589907.1有效
发明人：陈俊仁;蔡滨祥;温在宇;林钰书;杨进盛 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有纳米线的半导体结构，包括：衬底；第一纳米线设置在基底上；第二纳米线设置在基底上；第一接触垫设置在第一纳米线的第一端与第二纳米线的第一端；第二接触垫设置在第一纳米线的第二端与第二纳米线的第二端，其中第一接触垫、第二接触垫的材质与第一纳米线、该第二纳米线的材质不同；以及栅极结构包围第一纳米线的部分与第二纳米线的部分。
具有纳米半导体结构

[发明专利]纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法-CN201210513894.5有效
发明人：肖德元;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米线的制造方法、纳米线场效应晶体管的制造方法，所述纳米线的制造方法包括：形成横截面呈长方形的第一纳米线；在所述第一纳米线的表面上形成半导体层，形成包括所述第一纳米线和所述半导体层的第二纳米线，所述第二纳米线横截面为边长数大于或等于五的多边形；对所述第二纳米线进行退火，以形成纳米线。本发明还提供一种包括所述纳米线制造方法的纳米线场效应晶体管的制造方法。本发明能在简化制程的同时优化纳米线场效应晶体管的性能。
纳米制造方法场效应晶体管

[发明专利]具有应变双纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构-CN202011505259.3在审
发明人： A·阿格拉瓦尔;B·米勒;J·T·卡瓦列罗斯;J·托里斯;K·俊;S·舒克赛;W·拉赫马迪;K·甘古利;R·基奇;M·V·梅斯;A·S·默西 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构，以及制造具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构，包括在衬底上方的第一垂直布置的纳米线。所述第一垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴拉伸应变。所述集成电路结构还包括在所述衬底上方的第二垂直布置的纳米线。所述第二垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴压缩应变。所述第二垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线与所述第一垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线横向错开。
具有应变纳米沟道结构环绕集成电路

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