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[发明专利]一种薄膜光伏太阳能电池-CN201010236616.0无效
发明人：赵一辉;贺方涓 -专利权人：河南阿格斯新能源有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜光伏太阳能电池，其结构为：衬底层/背电极层/P+层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。本发明太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理，近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收，因此功率大大提高。另外，在双结层的P型铜铟镓硒薄膜层与背电极层之间设置重掺杂的P+层，在双结层的N型非晶硅层与TCO层之间设置重掺杂的N+层，增强了载体在光伏组件中的漂流速度与流通量，提高了薄膜光伏太阳能电池的功率。本发明提供的薄膜光伏太阳能电池所产生的功率较目前同类型双结层结构的薄膜光伏太阳能电池平均提高约1.5%，同时，还具有可靠性高和制造价格低等优点。
一种薄膜太阳能电池

[发明专利]硅基发光与探测共用器件及其构成的光互连系统-CN200710150995.X无效
发明人：牛萍娟;王伟;代晓光;郭维廉;李晓云;杨广华;王彩凤 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种与标准CMOS工艺完全兼容的硅基发光与探测共用器件及其构成的单片集成光互连系统，其特征在于，包括：利用同一硅基器件，在PN结正向注入模式时可实现光发射，在PN结反向耗尽的模式可实现光探测；该器件结构采用N⁺有源区与P⁺有源区U型插指结构，嵌入P型衬底，构成PN结，同时在器件N⁺－N⁺之间的栅氧化层上加多晶硅栅；采用U型插指结构可在器件的侧面和正面同时得到较强的发光(针对发光器件)与光吸收(针对探测器件)，便于与硅基光波导进行耦合；基于该器件构建发光、光传输、探测光互连系统，采用多晶硅栅作为波导材料，栅氧化层和多晶硅上氧化物作为包层进行光传输；多晶硅光波导与硅基发光与探测共用器件中的多晶硅栅连接，相当于多晶硅波导深入到插指结构中的发光区域(对于发光功能而言)或探测区域(对于探测功能而言)，更好地实现光耦合。这种新型硅基发光与探测共用器件及其构成的光互连系统可采用工业标准CMOS工艺实现，在下一代集成电路中作为光电接口具有非常广阔的应用前景。
发光探测共用器件及其构成互连系统

[发明专利]一种半导体结构的制造方法及半导体结构-CN202210844521.X有效
发明人：宋富冉;黄厚恒;周儒领 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/3215 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，属于半导体技术领域，且所述半导体结构的制造方法包括以下步骤：提供一衬底，且所述衬底中包括第一类型掺杂区和第二类型掺杂区；在所述衬底上形成多晶硅层；向所述多晶硅层中植入第一离子，在所述多晶硅层内形成阻挡层，且所述阻挡层位于所述多晶硅层靠近所述衬底的一侧；在所述多晶硅层上形成光阻层，且所述光阻层覆盖所述第一类型掺杂区上的所述多晶硅层；以所述光阻层为掩膜，向所述多晶硅层中植入第一离子，在所述多晶硅层内形成阻挡区；以所述光阻层为掩膜，向所述阻挡区中植入第二离子。
一种半导体结构制造方法

[发明专利]一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法-CN201711249126.2有效
发明人：张军 -专利权人：徐州佳利泰新型材料科技有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法。该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池的制备方法包括：n型硅基底的清洗；n型硅基底的表面甲基化处理；Spiro‑OMeTAD层的制备；Spiro‑OMeTAD/PEDOT:PSS复合层的制备；PEDOT该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池中各层之间的协同作用使得其具有优异的光电转换效率。
一种 spiro ometad 异质结光伏电池及其制备方法

[实用新型]采光不保温型光伏建筑构件及具有其的建筑物-CN201620733866.8有效
发明人：徐飙;徐凯;俞康镭;雷炜 -专利权人：美科晶能柔性电池科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H02S30/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种采光不保温型光伏建筑构件及具有其的建筑物。该采光不保温型光伏建筑构件，包括：光伏电池组件；封装边框，封装边框与光伏电池组件的四周边缘密封连接；其中，光伏电池组件包括多块硅晶电池片，多块硅晶电池片之间间隔设置以使相邻两个硅晶电池片之间形成透光区域应用本实用新型的技术方案可以解决现有技术中光伏电池组件无法与建筑物本身形成有机结合而进行设计的问题。
采光保温型光伏建筑构件具有建筑物

[发明专利]一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构-CN201810198957.X在审
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅、金属栅线II，这两个区域交叉分布且不重叠本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
基底钝化发射极晶体硅太阳电池双面太阳电池导电区域减反射层金属栅线背电场光区域同质结重掺杂硅基短路电流发电能力发射极层发射极面晶体硅层开路电压区域交叉掺杂n型不重叠场钝化光特性晶体硅掺杂

[发明专利]一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、用电设备-CN202310461756.5在审
发明人：王凯 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件、用电设备。该太阳电池包括：N型硅衬底，所述N型硅衬底具有相背设置的第一面和第二面，所述第一面为光入射面；依次叠设于在所述N型硅衬底的所述第一面的硼氢掺杂层、第一隧穿氧化层、硼掺杂多晶硅层和第一减反射层；依次堆叠在所述N型硅衬底的第二面的第二隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和第二减反射层；第一电极，穿透所述第一减反射层后与所述硼掺杂多晶硅层欧姆接触；第二电极，与所述第二隧穿氧化层欧姆接触。
一种太阳电池及其制备方法组件用电设备

[发明专利]一种悬臂型端面耦合器-CN201811039165.4有效
发明人：陈昌华;柏艳飞;仇超;甘甫烷 -专利权人：南通赛勒光电科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明公开一种悬臂型端面耦合器，包括：硅衬底，于硅衬底上刻蚀具有第一预设高度的沟槽；埋氧层，形成于硅衬底的上表面；埋氧层包括：平板层，平板层形成于硅衬底的上表面；脊型层，脊型层形成于平板层的上表面，并水平延伸出平板层；硅波导，硅波导形成于埋氧层中，位于脊型层的上方；氮化硅波导，氮化硅波导形成于埋氧层中，位于硅波导的上方。有益效果：采用脊型埋氧层，实现与单模光纤光场模斑匹配的端面耦合器，平板层作为该悬臂型端面耦合器的支撑结构，保证机械稳固性，可以充当折射率匹配液的功能，降低该悬臂型端面耦合器对折射率匹配液的依赖性，氮化硅波导作为中间过渡层，使得单模光纤的光场能够以较高的耦合效率进入硅波导中。
端面耦合埋氧层平板层硅波导硅衬底脊型悬臂氮化硅上表面折射率匹配液波导单模光纤光中间过渡层波导形成单模光纤支撑结构耦合效率稳固性光场刻蚀模斑预设匹配保证

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202211530546.9在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，包括N型单晶硅片受光面叠设第一N+扩散层、本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶氧化硅层、第三N型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；背光面叠设第二N+扩散层、本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层、TCO导电薄膜层及栅线电极；受光面设置第一N+扩散层，能提供额外的场钝化效果提升少数载流子寿命，背光面引入第二N+层扩散与P型非晶硅层形成更强的PN结内建电场，提高电池转化效率，双面沉积多层非晶硅层，保留高钝化效果，提高电池的光生电流，降低光生载流子传输时的电阻损失。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法-CN201510095296.4有效
发明人：蒋秀林;张红玲;延刚;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用强光辐照降低P型晶体硅太阳能电池及其组件光致衰减的方法，对P型晶体硅太阳能电池成品或半成品，或在开路状态下的P型晶体硅太阳能电池组件成品或半成品，用辐射强度为2～20kW/m2的强光照射至少该方法通过将掺硼P型晶体硅太阳能电池在强光照射下，使亚稳态硼氧复合体分离形成稳定的硼和氧再生态，从而可大幅度降低P型晶体硅太阳能电池及其组件的光致衰减。
一种利用强光辐照降低晶体太阳能电池及其组件衰减方法

[发明专利]一种无硅光油涂料及其制备方法-CN202211508377.9在审
发明人：徐杨 -专利权人：江苏扬瑞新材料有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C09D167/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无硅光油涂料及其制备方法，涉及涂料技术领域，该无硅光油涂料的原料包括：聚酯树脂、氨基树脂、蜡粉、封闭型十二烷基苯磺酸、氟碳化合物类液体润湿流平剂、非离子型表面活性剂、月桂酰谷氨酸钠、溶剂该制备方法制备得到的光油涂料在涂覆后，附着力强、硬度高且耐划伤，同时，该光油涂料具有无硅的特点，更为安全、环保。
一种无硅光油涂料及其制备方法

[实用新型]将红外光转换为可见光的三层型太阳能电池-CN201020629478.8无效
发明人：张一熙;梅长锜;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L31/055 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种将红外光转换为可见光的三层型太阳能电池，其包括透明基板、第一电极、第二电极、红外光转换层以及依序配置于第一电极与第二电极之间的第一n型半导体层、第一非晶硅本质层、第一p型半导体层、第二n型半导体层、第二非晶硅本质层、第二p型半导体层、第三n型半导体层、微晶硅本质层与一第三p型半导体层；该第一电极配置于透明基板上；该第二电极配置于第一电极与透明基板之间；该第一n型半导体层位于第一非晶硅本质层与第二电极之间；该红外光转换层配置于第一n型半导体层与第二电极之间，用以将红外光转换为可见光。
红外光转换可见光三层太阳能电池

[发明专利]一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法-CN202310853947.6在审
发明人：吴锂;俞亮;戴希远;杨颜如;孙剑;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、金属层、掺杂硅衬底(P型或N型、平面硅或黑硅)、钝化层、背面电极。本发明利用掺杂元素在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光，产生光生载流子；通过金属与硅衬底形成的肖特基结吸收近红外光，产生光生载流子；同时利用肖特基结的内建电场促使光生载流子单向传输，在零偏压或负偏压下形成光电流，从而探测近红外光；通过肖特基结的内建电场，显著增加载流子传输速率，降低光生载流子复合概率，提升器件的响应度以及探测度。
一种肖特基结增强缺陷吸收红外探测器及其制备方法

[发明专利]光电动势元件-CN200610057698.6有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
电动势元件

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