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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模坯-CN201510575362.8在审
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：光掩模坯包括铬系材料膜作为遮光膜，其中该铬系材料膜具有至少0.050/nm的波长193nm下的每单位厚度的光学密度，并且该铬系材料膜具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力。本发明提供具有铬系材料的薄膜的光掩模坯，该铬系材料的薄膜在保持高的每单位膜厚度的光学密度的同时膜应力降低。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202110229575.0在审
发明人：深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯。本发明提供一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025028.5在审
发明人：笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025041.0在审
发明人：笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN202210025135.8在审
发明人：笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN201610788932.6有效
发明人：笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN201610791249.8有效
发明人：笹本纮平;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN200710167651.X有效
发明人：吉川博树;稻月判臣;冈崎智;原口崇;佐贺匡;福岛佑一 -专利权人：信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯，光掩模坯具有一层光屏蔽膜和一层或多层铬基材料膜，光屏蔽膜由一个单独的层或多个层构成，一个单独的层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成，多个层中包括至少一层由含有过渡金属、硅以及氮的材料制成高的过渡金属含量确保了电导率，防止了在光掩模制造工艺中的充电，并且还提供了在光掩模制造中清洗时的足够的化学稳定性。对于存在氯和氧的情况下的铬基材料膜的干法刻蚀，光屏蔽膜具有良好的阻抗，从而确保了高加工精度。
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯-CN97196087.9无效
发明人： R·H·弗伦奇;K·G·夏普 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 1997-06-30 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：透射衰减嵌入相移光掩模坯包括至少一种聚合物材料，优选为一种无定形含氟聚合物，或一种掺有氟功能化的有机硅烷的无定形含氟聚合物，和有机硅酸酯，或其组合，此聚合物材料具有：a)在所选择的平版印刷波长在400nm
光掩模坯

[发明专利]光掩模坯和制备光掩模的方法-CN201610597860.7有效
发明人：笹本纮平;深谷创一;稻月判臣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯和制备光掩模的方法。在包括透明基材、电阻层和导电层的光掩模坯中，选择该导电层的电阻率和厚度与该电阻层的电阻率和厚度以满足特定的式(1)。
光掩模坯制备光掩模方法

[发明专利]光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法-CN200980138311.1无效
发明人：桥本雅广;小凑淳志 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于，使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9％原子百分比以上40％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为45％原子百分比以下。
光掩模坯体光掩模及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]EUV光掩模及其制造方法-CN202110041748.6在审
发明人：李信昌;陈嘉仁;许倍诚;连大成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层。掩模坯包括衬底、在衬底上的反射多层、在反射多层上的帽盖层、在帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON制成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化的吸收体层。
euv 光掩模及其制造方法

[发明专利]制造极紫外（EUV）光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置-CN202111179241.3在审
发明人：吴钟根;朴相昱;曹敬千;朴钟主 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。
制造紫外 euv 光掩模方法校正装置

[发明专利]相移光掩模和图案化方法-CN201080060390.1无效
发明人： B·奥尔森;M·刘;C·马;J·马;A·T·贾米森 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G03F1/29 文献下载
摘要：一种相移光掩模坯，具有石英衬底、下铬层、光吸收MoSi层和上铬层。能以各种手段来图案化该掩模以形成带有相移和二元区域的图案化的光掩模。
相移光掩模图案方法

[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模及平板显示器的制造方法-CN201610146972.0有效
发明人：山口昇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供光掩模的制造方法、光掩模及平板显示器的制造方法，该光掩模具有微细且高精度的转印用图案。准备在透明基板上层叠下层膜、蚀刻阻止膜及上层膜而得到的光掩模坯体。使用该光掩模坯体顺序地进行上层膜预备蚀刻工序、蚀刻阻止膜蚀刻工序、下层膜蚀刻工序，然后进行上层膜侧蚀刻工序，通过对上层膜进行侧蚀刻，形成上层膜的边缘比下层膜的边缘后退了规定宽度量的缘部。
光掩模制造方法平板显示器

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