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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法-CN202211255619.8在审
发明人：山田慎吾;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。
光掩模坯制造方法以及光掩模

[发明专利]图案修正方法以及光掩模-CN202210917102.4在审
发明人：川原未佑;田中千恵;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。
图案修正方法以及光掩模

[发明专利]半色调掩模、光掩模坯和半色调掩模的制造方法-CN201780070660.9有效
发明人：山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
色调光掩模坯制造方法

[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法、显示装置的制造方法-CN202111051234.5在审
发明人：田中千惠;齐藤隆史;山田步实;森山久美子;福泉照夫 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。
光掩模制造方法显示装置

[发明专利]光掩模的制造方法-CN202110451887.6在审
发明人：尾岛省二郎;山田慎吾;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以抑制曝光时的重合误差的产生的方式形成具有不同光学特性的图案的光掩模的制造方法。在该光掩模的制造方法中，准备在透射性基片上具有半透射膜、中间膜、上层膜的光掩模坯件，对形成在上层膜上的光致抗蚀剂膜进行曝光，形成曝光量不同的第一区域、第二区域和第三区域。之后，选择性地去除第一区域，蚀刻上层膜。之后，选择性地去除第二区域，蚀刻半透射膜，且蚀刻上层膜和中间膜。之后，去除第三区域。
光掩模制造方法

[发明专利]相移掩模的缺陷修正方法-CN201810100694.4有效
发明人：齐藤隆史;山田慎吾;森山久美子 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供一种相移掩模的缺陷修正方法，其特征在于包括以下步骤：第一步骤(S1)，针对在透明基板上具有由相移膜形成的、包含缺损部的图案的光掩模基板，测定缺损部的位置和尺寸；第二步骤(S2)，判断所述相移膜上的所述缺损部的尺寸是否为1.0μm×1.0μm以上；以及第三步骤(P2)，在所述判断结果为“否”的情况下，在所述缺损部上堆积遮光膜。
相移缺陷修正方法

[发明专利]光掩模和光掩模坯以及光掩模的制造方法-CN201810227081.7有效
发明人：山田慎吾;森山久美子;美作昌宏 -专利权人：株式会社SK电子
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供能够兼顾图案的细微化和多灰阶的半色调掩模。在透明基板上具有相移膜和半透膜的层叠区域、以及由曝光光的光透过率比上述层叠区域高的半透膜构成的半透过区域，上述层叠区域具有与上述半透过区域和/或露出透明基板的透明区域接触的边界部，上述相移膜使曝光光的相位偏移，而且，上述层叠区域相对于曝光光的光透过率为1～8％。在上述边界部，曝光光的强度分布急剧变化，能够改善被曝光的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
层叠区域曝光光光透过率透过区域透明基板半透膜边界部光掩模相移光致抗蚀剂图案半色调掩模光掩模坯急剧变化剖面形状强度分布透明区域相位偏移细微化灰阶图案曝光制造

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