[发明专利]掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法在审

申请号：	202010933261.4	申请日：	2020-09-08
公开（公告）号：	CN112558408A	公开（公告）日：	2021-03-26
发明（设计）人：	诸沢成浩	申请（专利权）人：	爱发科成膜株式会社
主分类号：	G03F1/46	分类号：	G03F1/46;G03F1/50;G03F1/54;G03F1/58
代理公司：	北京德琦知识产权代理有限公司 11018	代理人：	刁兴利;康泉
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明涉及掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法。本发明的掩膜坯具有作为相移掩膜的层，该掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；防反射层，被设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置；以及密合层，被设置在比所述防反射层更远离所述透明基板的位置。所述相移层含有铬，所述防反射层含有硅化钼和氧，所述密合层含有铬和氧，在所述密合层中，以具有对光致抗蚀剂层能够形成图案的密合性来设定氧含有率。
搜索关键词：	掩膜坯制造方法光掩膜
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摘要：本发明涉及掩膜坯、掩膜坯的制造方法、光掩膜及光掩膜的制造方法。本发明的掩膜坯具有作为相移掩膜的层，该掩模坯具有：相移层，层叠于透明基板；防反射层，被设置在比所述相移层更远离所述透明基板的位置；以及密合层，被设置在比所述防反射层更远离所述透明基板的位置。所述相移层含有铬，所述防反射层含有硅化钼和氧，所述密合层含有铬和氧，在所述密合层中，以具有对光致抗蚀剂层能够形成图案的密合性来设定氧含有率。

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摘要：本发明提供一种用于硬遮罩的空白遮罩及使用所述空白遮罩的光掩膜。在所述空白遮罩中，通过适当地控制硬膜中的氮含量及碳含量来形成硬膜，以减小在执行蚀刻工艺时所造成的临界尺寸的偏差。通过增大遮光膜中的金属含量及减小抗反射膜中的金属含量来形成具有薄的厚度的金属膜。因此，可提高金属膜的分辨率、图案保真度及耐化学性。此外，金属膜及硬膜被形成为使其间的反射率反差高，从而能够容易地检验所述硬膜。因此，所述用于硬遮罩的空白遮罩可应用于动态随机访问存储器(DRAM)、快闪存储器、或微处理单元(MPU)，以具有32nm或以下的半节距且尤其是具有22nm或以下的临界尺寸。

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摘要：本发明提供一种光掩模及其制造方法，光掩模的制造方法包括：形成不透光图案层于基板上；形成覆盖于所述不透光图案层及所述基板上的保护层；以及形成覆盖在所述保护层上的减反射层，且所述保护层的折射率是大于所述减反射层的折射率。本发明可改善现有光掩模的基板反射问题。

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申请日： 2006-07-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G03F1/46
摘要：本发明涉及一种光掩模坯，所述光掩模坯在透明基板上具有对曝光光的遮光膜，其特征在于，所述遮光膜具有100nm以下的总厚度，对于波长为450nm的光，每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1以下的铬化合物的膜厚度占到该总厚度的70％以上，所述铬化合物的膜，以原子比计铬含量为50原子％以下，且层合有铬含量不同的膜。

激光图案掩模及其制造方法-201010599529.1
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申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F1/46
摘要：本发明涉及一种激光图案掩模及其制造方法，通过在激光图案掩模的表面上涂覆保护膜来防止激光图案掩模被损坏，激光图案掩模被用于通过激光烧蚀一次对母基板上的整个层进行构图。所述激光图案掩模包括基底基板、在基底基板上由不透明金属形成来限定激光光束通过区域的激光防护图案以及形成在包括激光防护图案的基底基板的整个表面上的保护膜。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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