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[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014185.4在审
发明人：合田步美;中野秀亮;市川显二郎;山形悠斗 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供微小图案相对于检查光的对比度高、并且能够将EUV曝光中的投影效应抑制到最小限度的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备基板(11)、反射部(17)、以及低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14)和最表层(15)的至少2层以上的层叠结构体，吸收层(14)相对于波长13.5nm
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180029533.0在审
发明人：合田步美;山形悠斗;中野秀亮;市川显二郎 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供对氢自由基的耐性高、且将投影效应抑制至最小限从而提高转印性能的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)具备基板(1)、反射部(7)以及低反射部(8)，低反射部(8)由吸收层(4)和最表层(5)构成，吸收层(4)包含合计为50原子％以上的选自第1材料群中的1种以上，最表层
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202180064457.7在审
发明人：松井一晃;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供能够提高转印至晶圆上的图案的尺寸精度和形状精度、且能够长时间使用的反射型光掩模坯和反射型光掩模。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(10)依次具备：基板(1)、反射层(2)、以及吸收层(4)，吸收层(4)是包含第1材料群的材料和第2材料群的材料的层，第1材料群的材料的含量从基板(1)侧向吸收层(4)的最表面
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN202280014195.8在审
发明人：五来亮平;合田步美 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2022-02-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：提供抑制投影效应的影响、并且具备高转印性能的反射型光掩模以及反射型光掩模坯。本实施方式涉及的反射型光掩模坯(100)具备：基板(11)、形成在基板(11)上并反射入射光的反射部(17)、以及形成在反射部(17)上并吸收入射光的低反射部(18)，低反射部(18)是具备吸收层(14
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN201880042350.0有效
发明人：福上典仁;古沟透 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。由此，抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，同时提高光吸收层的耐清洗性。
反射型光掩模坯以及型光掩模

[发明专利]反射型光掩模坯以及反射型光掩模-CN201880042388.8在审
发明人：古沟透;福上典仁 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)，在基板(1)上形成的反射层(2)，以及在反射层(2)上形成的、包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层(4)。由此，抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应，提高对半导体基板的转印性能，并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。
反射型光掩模反射层基板半导体基板光吸收层投影效应图案倒塌图案转印氧化锡膜转印性能紫外线膜厚光源清洗

[发明专利]检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法-CN201010158168.7有效
发明人：稻月判臣;金子英雄;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜
检查制造光掩模基坯中间确定高能辐射量方法

[发明专利]反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法-CN202080086842.7在审
发明人：松井一晃;小岛洋介 -专利权人：凸版光掩模有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜
反射型掩模坯型掩模制造方法以及校正

[发明专利]光掩模的制造方法和光掩模坯-CN202110731603.9在审
发明人：笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G03F1/80 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模的制造方法和光掩模坯。通过如下方法由光掩模坯制造光掩模，该光掩模坯包括透明基板、包含硅且不含铬的第一无机膜和包含铬且不含硅的第二无机膜，该第二无机膜与该第一无机膜接触，该方法包括如下步骤：使用抗蚀剂图案通过氟系干蚀刻形成第二无机膜的图案
光掩模制造方法光掩模坯

[发明专利]感光性树脂叠层体及其热处理方法-CN201280009317.0有效
发明人： D·A·雷基亚;J·H·布莱尔;R·W·维斯特 -专利权人：麦克德米德印刷方案股份有限公司
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： G03F7/26 文献下载
摘要：本发明涉及使光可固化印刷坯板热显影以制备包含多个凸纹圆点的凸纹图案的方法。所述光可固化印刷坯板包括：背衬层，至少一层光可固化层置于其上；以及置于该至少一层光可固化层顶部的激光可烧蚀掩模层。此方法包括步骤：(1)通过烧蚀该掩模层在光可固化层上成像，以产生凸纹图案；(2)将氧气屏障膜层积于经烧蚀的掩模层的顶部；(3)透过该氧气屏障膜和经烧蚀的掩模层将该印刷坯板曝露于光化辐射下，以有选择地使部分的该至少一层光可固化层交联和固化，从而产生凸纹图案；(4)从经烧蚀的掩模层的顶部移除氧气屏障膜；以及(5)将印刷坯板进行热显影以移除经烧蚀的掩模层以及光可固化层的未固化部分，从而显示凸纹图案。
感光性树脂叠层体及其热处理方法

[发明专利]感光性树脂叠层体及其热处理方法-CN201280019071.5有效
发明人： R·W·维斯特;D·A·雷基亚;T·戈奇克 -专利权人：麦克德米德印刷方案股份有限公司
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：光可固化印刷坯板包括：背衬层，一层光可固化层置于其上；屏障层，置于该光可固化层上；以及激光可烧蚀掩模层，置于该屏障层的顶部。该方法包括如下步骤：(1)通过烧蚀该激光可烧蚀掩模层在光可固化印刷坯板上产生凸纹图案的方式，在该至少一层光可固化层上成像；(2)透过该屏障层和掩模层将该印刷坯板曝露于光化辐射下，以有选择地使部分的该光可固化层交联，从而产生凸纹图案；(3)将印刷坯板进行显影以移除屏障层、经激光烧蚀的掩模层以及光可固化层的未固化部分，并显现出凸纹图案。该方法也可用于由负片取代烧蚀掩模层的模拟制版工艺。
感光性树脂叠层体及其热处理方法

[发明专利]掩模坯及光掩模-CN202011031340.2在审
发明人：江成雄一;望月圣;浅见智史 -专利权人：爱发科成膜株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩模坯及光掩模，所述掩模坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射率低且具有规定的光密度，能够使遮光层的蚀刻速率与防反射层的蚀刻速率接近，并且能够实现降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层，设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上。
掩模坯光掩模

[发明专利]光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法及其制造方法-CN201810075523.0有效
发明人：寺泽恒男;福田洋;横畑敦;木下隆裕;岩井大祐 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模坯的缺陷检查方法、分选方法及其制造方法。通过以下方式来检查具有在透明基板上的薄膜的光掩模坯的缺陷：将检查光线照射到光掩模坯的表面区域，经由检查光学系统收集来自照射区域的反射光以形成该区域的放大图像，提取出来自放大图像的光强度分布的特征参数，和基于与薄膜结构相结合的特征参数来识别缺陷的凸起在应用该缺陷检测方法时，可以以更低的成本和更高的成品率获得没有针孔缺陷的光掩模坯。
光掩模坯缺陷检查方法分选及其制造

[发明专利]相移光掩模的制造方法-CN201810410555.1在审
发明人：田俊介;江政学;陈志明;林政旻;黄彦玮;张浩铭;林国钦;李冠贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：在一种制造光掩模的方法中，在掩模坯之上形成光刻胶层，所述掩模坯包括掩模衬底、设置在所述掩模衬底上的相移层及设置在所述相移层上的光阻挡层。利用光刻操作形成光刻胶图案。利用所述光刻胶图案作为刻蚀掩模将所述光阻挡层图案化。利用经图案化的所述光阻挡层作为刻蚀掩模将所述相移层图案化。以刻蚀硬覆盖体覆盖所述掩模衬底的边界区，而所述掩模衬底的图案区是暴露出来的。通过所述刻蚀硬覆盖体的所述开口将所述图案区中的经图案化的所述光阻挡层图案化。对所述图案区执行光刻蚀操作以移除所述光阻挡层的残留物。
掩模光阻挡层图案化衬底图案区相移层光刻胶图案刻蚀掩模覆盖体刻蚀相移光掩模光刻胶层边界区光刻蚀光掩模光刻移除制造开口暴露覆盖

[发明专利]光掩模坯-CN201510575349.2在审
发明人：深谷创一;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：光掩模坯包括含有选自由氮、氧、碳和氢组成的组中的至少一种的铬系材料膜作为硬掩模膜，其中每单位膜厚度的蚀刻速率之比(A/B)在0.7-0.9的范围内，并且该铬系材料膜具有对应于70nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力本发明提供具有耐蚀刻性提高并且膜应力降低的铬系材料的薄膜的光掩模坯。这使得能够进行铬系材料膜的高精度图案化。
光掩模坯