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[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法-CN202280010746.3在审
发明人：宍户博明;野泽顺 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供图案形成用薄膜表面的微小缺陷较少的掩模坯料。掩模坯料在基板上具备图案形成用薄膜。图案形成用薄膜是含有铬与氮的单层膜、或者包含含有铬与氮的氮化铬系层的多层膜。对于图案形成用薄膜的表面，设定以基板的中心为基准的一边为1μm的四边形的内侧区域即中央区域，在该中央区域测定算术平均粗糙度Sa与最大高度Sz时，Sa为1.0nm以下，并且Sz/Sa为14以下。
坯料转印用掩模制造方法以及半导体器件

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法及半导体器件的制造方法-CN202180049300.7在审
发明人：宍户博明;野泽顺 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种能够以良好的精度制作具有20nm左右这样的微小尺寸的辅助图案的转印用掩模的掩模坯料。上述掩模坯料具有以下结构：在基板(1)的主表面上依次层叠有图案形成用薄膜(2)、第1硬掩模膜(3)、第2硬掩模膜(4)，其中，图案形成用薄膜含有过渡金属，第1硬掩模膜含有氧和选自硅及钽中的一种以上元素，第2硬掩模膜含有过渡金属，第2硬掩模膜的过渡金属的含量比上述图案形成用薄膜的过渡金属的含量少，主表面上的形成有第1硬掩模膜的区域比形成有图案形成用薄膜的区域小，第2硬掩模膜与图案形成用薄膜至少部分地相接。
坯料转印用掩模制造方法半导体器件

[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法-CN201910950358.3有效
发明人： 野泽顺;宍戸博明;酒井和也 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。
掩膜板坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法-CN202180041203.3在审
发明人： 野泽顺;穐山圭司 -专利权人：豪雅株式会社
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供不会使掩模制造工艺复杂化、且能够以期望的精度制作透射率不同的图案、能够在各个图案中得到期望的相移功能的掩模坯料。上述掩模坯料在相移膜上具有透射率调整膜，相移膜使透过相移膜后的ArF准分子激光的曝光光和仅在与上述相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的上述曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差，将透射率调整膜在曝光光的波长下的折射率设为nU、将在曝光光的波长下的消光系数设为kU、并将厚度设为dU[nm]时，同时满足下述的式(1)及式(2)的关系。式(1)：dU≤‑17.63×nU3+142.0×nU2－364.9×nU+315.8式(2)：dU≥‑2.805×kU3+19.48×kU2－43.58×kU+38.11
坯料相移制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法-CN201880072967.7有效
发明人： 野泽顺;堀込康隆;前田仁 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光用光以规定的透过率透过的功能以及产生规定的相位差的功能，能够抑制与热膨胀相伴的图案的位置偏移。相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能以及产生150度以上200度以下的相位差的功能，由含有非金属元素与硅的材料形成，第一层与透光性基板的表面相接地设置，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＜n2以及n2＞n3的关系，在将第一层、第二层以及第三层在曝光用光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2＞k3的关系。
坯料相移制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN202180020424.2在审
发明人： 野泽顺;穐山圭司;T.L.何;H.J.唐 -专利权人：豪雅株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种掩模坯，该掩模坯容易目视辨认形成有薄膜的区域与未形成有薄膜的区域的边界，使得设置于形成薄膜的溅射装置上的掩模板的位置调整变得容易。一种掩模坯，具备基板和薄膜，其特征在于，所述基板具有两个主表面和侧面，在所述两个主表面与所述侧面之间设有倒角面，所述两个主表面中的一个主表面具有：包含该主表面的中心的内侧区域和该内侧区域的外侧的外周区域，在所述主表面的内侧区域上设有所述薄膜，所述外周区域对波长400nm～700nm的光的表面反射率Rs为10％以下，将所述薄膜的膜厚为9nm～10nm范围内的部位中的一个部位对波长400nm～700nm的光的表面反射率设为Rf时，对比度(Rf/Rs)为3.0以上。
掩模坯转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法-CN201880014226.3有效
发明人： 野泽顺;大久保亮;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
坯料转印用掩模制造方法以及半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法-CN201780050888.1有效
发明人：岩下浩之;松本淳志;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明将具有由氮化硅材料构成的单层的相移膜中难以实现的20％以上的透过率的相移膜通过具有两组以上的由从透光性基板侧起依次配置的低透过层和高透过层构成为一组层叠结构的结构实现，且提供具备这种相移膜的掩模坯料。在透光性基板上具备相移膜的掩模坯料中，相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以20％以上的透过率透过的功能，相移膜具有两组以上的由低透过层和高透过层构成为一组的层叠结构，且低透过层由氮化硅系材料形成，高透过层由氧化硅系材料形成，设置于最上的高透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚，低透过层的厚度比设置于最上以外的高透过层的厚度厚。
坯料相移制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN202080058132.3在审
发明人：前田仁;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明提供能够制造出可提高对ArF准分子激光的曝光光的相移效果、同时能够确保曝光边缘、光学性能良好的相移掩模的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其中，相移膜含有铪、硅及氧，相移膜中的铪的含量相对于铪及硅的合计含量以原子％计的比率为0.4以上，相移膜在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为2.5以上，相移膜在曝光光的波长下的消光系数k为0.30以下。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、及半导体器件的制造方法-CN202080022142.1在审
发明人：宍户博明;大久保亮;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供能够使掩模图案、硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，该掩模坯料(100)如下所述地构成：上述硬掩模膜(4)的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的N1s窄谱的最大峰为检测下限值以下，硅与氧的含有比率(原子％)Si:O小于1:2。
坯料转印用掩模制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、及半导体器件的制造方法-CN202080019456.6在审
发明人：宍户博明;大久保亮;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供能够使掩模图案和硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，其中，硬掩模膜(4)由含有硅、氧及氮的材料形成，硬掩模膜(4)的氮的含量为2％以上且18％以下，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰。
坯料转印用掩模制造方法半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法-CN202080012522.7在审
发明人：前田仁;野泽顺;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供能够抑制相移膜的图案的热膨胀、并且能够抑制起因于该热膨胀的该图案的移动的具备相移膜的掩模坯料。该相移膜具有下述功能：使KrF准分子激光的曝光光以2％以上的透射率透过的功能、和使透过相移膜后的曝光光和仅在与相移膜的厚度相同距离的空气中通过后的曝光光之间产生150度以上且210度以下的相位差的功能，相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有下层及上层的结构，将下层在曝光光的波长下的折射率设为nL、将上层在曝光光的波长下的折射率设为nU时，满足nL＞nU的关系，将下层在曝光光的波长下的消光系数设为kL、将上层在曝光光的波长下的消光系数设为kU时，满足kL＞kU的关系，将下层的厚度设为dL、将上层的厚度设为dU时，满足dL＜dU的关系。
坯料相移制造方法以及半导体器件

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980084509.X在审
发明人：前田仁;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，该相移膜兼具使ArF曝光光以给定的透射率透过的功能、和产生给定的相位差的功能，并且该相移膜可以抑制伴随着热膨胀的图案的错位。所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光光以15％以上的透射率透过的功能、和产生150度以上且210度以下的相位差的功能，该相移膜由含有非金属元素和硅的材料形成，包含依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＞k2及k2＜k3的关系，将第1层及第3层的膜厚分别设为d1、d3时，满足0.5≤d1/d3＜1的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201980061305.4在审
发明人：大久保亮;前田仁;穐山圭司;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备蚀刻停止膜的掩模坯料，该蚀刻停止膜对于在将图案形成用薄膜进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为0.86以下。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201980061510.0在审
发明人：大久保亮;前田仁;穐山圭司;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备蚀刻停止膜(1)的掩模坯料(100)，该蚀刻停止膜(1)对于在将相移膜(3)进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有蚀刻停止膜(2)和相移膜(3)的结构，相移膜(3)由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜(2)由含有铪、铝及氧的材料形成，蚀刻停止膜(2)的氧缺失率为6.4％以下。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

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