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[发明专利]一种场氧化层的平坦化方法-CN201610461459.0有效
发明人：马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种场氧化层的平坦化方法。本发明的场氧化层的平坦化方法，包括如下顺序进行的步骤：在硅衬底上依次形成氧化层和氮化硅层；光刻、刻蚀，在所述氮化硅层上形成场氧化层图形；在所述场氧化层图形上形成场氧化层；刻蚀部分场氧化层和全部氮化硅层，并使残留场氧化层的上表面不低于所述氧化层的上表面；去除所述氧化层和部分场氧化层，使残留场氧化层的上表面与所述硅衬底的上表面齐平。本发明对场氧化层的平坦化方法进行优化，从而简化了平坦化工艺，并且降低了制造成本。
一种氧化平坦方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202010353698.0有效
发明人：刘长振;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过在半导体衬底上形成场氧化层，然后对场氧化层执行离子注入工艺；接着形成氮氧化层，所述氮氧化层覆盖执行离子注入工艺后的所述场氧化层；接着去除部分所述氮氧化层，以暴露出部分所述场氧化层；以及对暴露出的所述场氧化层执行刻蚀工艺，以使暴露出的所述场氧化层的侧壁与底壁之间的角度呈锐角。即通过对所述场氧化层执行离子注入工艺，损伤所述氧化层，改变所述场氧化层的内部结构，在后续对场氧化层执行刻蚀工艺时，可以加快刻蚀工艺对所述场氧化层的刻蚀速率，实现对刻蚀角度的控制，从而使得所述场氧化层相对于半导体衬底的倾斜角符合要求
半导体器件形成方法

[发明专利]一种解决SGT-MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法-CN202110900637.6在审
发明人：代萌 -专利权人：江苏格瑞宝电子有限公司
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决SGT‑MOSFET场氧化层横向过腐问题的制备方法，包括如下步骤：生长外延层，淀积掩蔽层，淀积光刻胶，沟槽光刻，沟槽刻蚀，掩蔽层移除，场氧化层生长，屏蔽栅多晶硅填充，屏蔽栅多晶硅刻蚀，场氧化层沟槽光刻，场氧化层浅沟槽填充形成掩膜层，场氧化层掩膜层光刻，场氧化层刻蚀，场氧化层掩膜层去除；生长栅氧化层，淀积栅多晶硅并刻蚀并形成MOSFET的栅极。本发明通过在深沟槽两头的场氧化层中形成垂直于深沟槽的另一沟槽，并在其中填充氮化硅，利用氮化硅阻隔场氧化层的横向刻蚀，从而有效解决场氧化层的过腐问题；相对于现有技术，本发明在不用牺牲芯片面积的前提下，解决场氧化层过腐的问题
一种解决 sgt mosfet 氧化横向问题制备方法

[发明专利]梯形场氧化层的制作方法-CN201110032429.5无效
发明人：苟鸿雁 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的梯形场氧化层的制作方法包括以下步骤：在衬基的上表面形成一场氧化层；在所述场氧化层的上表面形成一牺牲层；选择性的掩蔽和刻蚀所述场氧化层和牺牲层，在所述场氧化层和牺牲层内定义有源区和终端保护区；选择性刻蚀掉所述终端保护区内的部分所述牺牲层和场氧化层，其中，刻蚀过程中采用的刻蚀剂刻蚀所述牺牲层的速率大于刻蚀所述场氧化层的速率，使保留下的场氧化层的两个侧壁均为斜面；去除剩余的所述牺牲层。本发明的梯形场氧化层的制作方法能有效改善击穿电压，缩小器件尺寸。
梯形氧化制作方法

[发明专利]高压金属氧化物半导体元件-CN200510126732.6有效
发明人：陈锦隆 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明提供一种高压金属氧化物半导体元件结构，包括一衬底；一第一离子井，设于该衬底中；一第一场氧化层，包围一漏极区域；一第二场氧化层，包围一源极区域，该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域
高压金属氧化物半导体元件

[实用新型]高压金属氧化物半导体元件结构-CN200520143017.9无效
发明人：陈锦隆 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高压金属氧化物半导体元件结构，包括一衬底；一第一离子井，设于该衬底中；一第一场氧化层，包围一漏极区域；一第二场氧化层，包围一源极区域，该第一场氧化层与该第二场氧化层之间为该高压金属氧化物半导体元件的一沟道区域；一栅极氧化层，设于该沟道区域上；一栅极，设于该栅极氧化层上；一第三场氧化层，设于该半导体衬底上，包围该第一场氧化层以及该第二场氧化层，且该第三场氧化层与该第一场氧化层、该第二场氧化层之间是一元件隔离区域
高压金属氧化物半导体元件结构

[发明专利]一种终端结构制造方法-CN201910824911.9在审
发明人：史波;曾丹;肖婷;敖利波 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，具体而言，涉及一种终端结构制造方法，包括在半导体衬底表面设置场氧化层，所述场氧化层厚度范围为1微米至2微米；在所述场氧化层表面沉积氧化硅薄膜，所述氧化硅薄膜厚度范围为10纳米至50纳米；采用湿法刻蚀工艺对所述场氧化层及氧化硅薄膜进行刻蚀，根据所述场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使所述场氧化层形成斜面台阶结构；在所述斜面结构进行离子注入掺杂、热扩散激活及PN结推进，本方案通过在场氧化层表面设置氧化硅薄膜，根据场氧化层及氧化硅薄膜之间的刻蚀速率差使场氧化层形成斜面台阶结构，有利于终端扩散结的边缘渐变，有利于调节PN结表面的电场，提高PN结的耐压和击穿特性。
一种终端结构制造方法

[发明专利]一种半导体器件-CN201810301083.6在审
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括半导体衬底，半导体衬底中形成有体区和漂移区，体区内形成有源区，漂移区内形成有漏区；场氧化层，场氧化层位于漂移区上且漂移区包围至少部分场氧化层；场板结构，场板结构跨设在半导体衬底和场氧化层上，并延伸到体区上；多个接触孔，接触孔深入场氧化层中，其中靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度。通过形成深入场氧化层的接触孔，并控制靠近源区的接触孔深入场氧化层中的深度大于靠近漏区的接触孔深入场氧化层中的深度，既增强了漂移区耗尽，又最大限度地优化了器件的击穿电压和导通电阻。
场氧化层接触孔漂移区衬底漏区半导体半导体器件场板结构靠近源体区漂移导通电阻击穿电压耗尽源区包围延伸优化

[发明专利]半导体结构-CN201810658647.1有效
发明人：吴政璁;林鑫成;江小玲;林文新 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，包括一基底、一第一井区、一场氧化层、一第一导线以及一第二导线。基底具有一第一导电型。第一井区形成在基底中，并具有一第二导电型。场氧化层设于第一井区上。第一导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第二导线形成在场氧化层上，并直接接触场氧化层。第一及第二导线在空间上彼此分隔。
半导体结构

[发明专利]半导体器件场氧化层的腐蚀方法-CN201210552385.3无效
发明人：王民涛 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件场氧化层的腐蚀方法，包括下列步骤：对晶圆上的场氧化层的表层进行离子注入，注入氩离子；对所述晶圆进行阱区光刻；湿法腐蚀所述场氧化层。本发明通过对场氧化层的表层注入氩离子，使注入有氩离子的表层比没有氩离子的场氧化层底层获得更快的湿法腐蚀速率，从而能够得到较小的氧化层角度。
半导体器件氧化腐蚀方法

[发明专利]平面栅超级结器件的制造方法-CN201710003938.2有效
发明人：李昊;赵龙杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面栅超级结器件的制造方法，包括步骤：形成超级结；形成场氧化层；在场氧化层中进行氩离子注入；形成定义有源区的光刻胶图形；对场氧化层进行湿法刻蚀，湿法刻蚀使场氧化层在有源区边界处形成平缓的倾斜侧面；去除光刻胶图形，形成牺牲氧化层并湿法去除；生长栅氧化层和多晶硅层，多晶硅层会沿场氧化层的倾斜侧面爬坡且不形成隆起结构。本发明能够消除多晶硅栅在场氧化层的倾斜侧面爬坡时形成的隆起结构，从而能提高器件的良率和可靠性。
平面超级器件制造方法

[发明专利]场氧化层的形成方法-CN201410037582.0有效
发明人：闻正锋;乐双申;马万里;赵文魁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种场氧化层的形成方法。所述形成方法包括在衬底表面形成垫氧化层；在所述衬底中的设定区域形成掺杂区域；在所述垫氧化层表面与所述设定区域对应的位置形成主体氧化层。本发明提供的场氧化层的形成方法，能够缩短形成场氧化层的时间，提高形成场氧化层的效率。
氧化形成方法

[发明专利]双重耐压半导体功率器件及其制备方法-CN202111261024.9在审
发明人：代萌 -专利权人：江苏格瑞宝电子有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重耐压半导体功率器件及其制备方法，包括在基片上外延生长形成的外延层，该外延层内设有若干个深沟槽，相邻深沟槽之间的外延层内间隔设置有阱区；所述深沟槽靠近阱区一侧上下设置有栅氧化层和第一纵向场氧化层，深沟槽的另一侧设有第二纵向场氧化层，深沟槽内位于栅氧化层与第一纵向场氧化层分界处水平设有栅间隔离层，栅氧化层、栅间隔离层和第二纵向场氧化层围成填充有与外延层表面齐平多晶硅的栅沟槽，第一纵向场氧化层、栅间隔离层和第二纵向场氧化层的内侧填充有多晶硅形成屏蔽栅本发明利用沟槽设置形成纵向沟道，以及通过双重纵向场氧化层设置，利用电荷平衡原理，实现器件双重耐压，达到高耐压的目的。
双重耐压半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]场氧化层结构及其制造方法-CN201811105192.7在审
发明人：雷天飞;毛焜 -专利权人：上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种场氧化层结构及其制造方法，场氧化层结构包括衬底以及场氧化层，所述形成于所述衬底中，并在所述衬底中隔离出若干有源区；其中，所述场氧化层的两侧具有鸟嘴部，且所述鸟嘴部的长度与所述场氧化层的厚度之比介于本发明在在蚀刻去除衬垫氧化层之后，热氧化生长场氧化层之前，采用淀积、蚀刻氮氧化硅的方式形成限制侧墙，该限制侧墙可以保证在生长场氧化层时，鸟嘴的生长被限制侧墙所限制，从而可以显著减小鸟嘴的长度。
氧化结构及其制造方法

[发明专利]LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构及制备方法-CN201210088429.1有效
发明人：杨文清;邢军军;赵施华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS晶体管的场氧化层隔离结构，其场氧化层与场极板接触部分的的上翘点不在鸟嘴位置，而是横向延伸至场氧化层内。本发明还公开了该场氧化层隔离结构的制备方法，在场氧化层生长后，栅极氧化层生长前，进行以下步骤：1)用硬掩膜覆盖非场极板区域；2)炉管成长氧化层；3)同向刻蚀，在有源区和场氧区同时向下和侧向刻去厚度为牺牲氧化层厚度的氧化层本发明通过改变场氧化层的结构，使场极板的水平部分向场氧化层内伸展，增强了场极板对鸟嘴区电场的抑制作用，同时分离了场极板和有源区在鸟嘴附近的大曲率点，使两强电场间的相互作用减小，从而降低了鸟嘴区的电场强度
ldmos 晶体管氧化隔离结构制备方法

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