专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310876178.1在审
  • 韦鑫;王磊磊 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-17 - 2023-10-13 - H01L23/544
  • 一种半导体结构的形成方法包括:提供衬底,衬底包括阵列区及对准标记区,在阵列区,第一图形组设置在衬底上,第一图形组包括多个间隔设置的第一图形,在对准标记区,第二图形组设置在衬底上,第二图形组包括多个间隔设置的第二图形,第一图形组与第二图形组在同一工艺步骤中形成,填充层填充在相邻的第一图形之间的间隙及相邻的第二图形之间的间隙中,并覆盖第一图形与第二图形的顶面;去除覆盖第二图形顶面以及填充在相邻的第二图形之间的间隙中的填充层;形成遮挡层,遮挡层填充在相邻的第二图形之间的间隙中,并覆盖第二图形的侧壁及顶面,且遮挡层为金属层,以形成由遮挡层与第二图形组共同构成的套刻对准标记图形
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]移动终端及其快速显示图形的方法-CN200810303634.9有效
  • 廖建凉 - 深圳富泰宏精密工业有限公司;奇美通讯股份有限公司
  • 2008-08-08 - 2010-02-10 - H04M1/725
  • 一种移动终端快速显示图形的方法,该方法包括步骤:接收图形的索引信息;根据接收的图形的索引信息判断该接收的图形是否存在于移动终端的快取队列中,若接收的图形存在于快取队列中,则从快取队列中取出该接收的图形的解码信息;若接收的图形不存在于快取队列中,则根据接收的图形的索引信息得到该接收的图形的原始信息,根据该接收的图形的原始信息解码得到该接收的图形的解码信息,并将该接收的图形的索引信息及该接收的图形的解码信息存储于快取队列;及根据该接收的图形的解码信息将该接收的图形显示在显示装置上。本发明还提供一种快速显示图形的移动终端。本发明能够有效地减少图形重复解码,从而加快图形的显示速度。
  • 移动终端及其快速显示图形方法
  • [发明专利]图形智能替换系统及方法-CN200610201043.1无效
  • 向家兵 - 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2006-10-30 - 2008-05-07 - G06F17/50
  • 一种图形智能替换系统及方法,该方法包括如下步骤:选择基准图形和待替换图形;获取选择图形的属性参数;根据获取的图形属性参数寻找待替换图形和基准图形中长度相等的基准边;如果存在长度相等的基准边,则在所述基准边中寻找用于图形替换的重合端点,使重合后的待替换图形和基准图形的重心在基准边的同一侧;复制基准图形,使复制的基准图形和待替换图形的重合端点重合在一起,并计算使所述复制的基准图形的基准边和待替换图形的基准边重合的旋转角度和旋转方向,按照该旋转角度和旋转方向使复制的基准图形的基准边和待替换图形的基准边完全重合,然后删除待替换图形
  • 图形智能替换系统方法
  • [实用新型]图形显示结构及可携式电子装置-CN202221273353.5有效
  • 古士永;何信政;许文明 - 重庆达方电子有限公司;达方电子股份有限公司
  • 2022-05-25 - 2022-11-15 - G09F13/04
  • 本实用新型关于一种图形显示结构及可携式电子装置,图形显示结构设置于可携式电子装置中以对外显示图形。该图形显示结构包含导光板及图形层。该图形层形成该图形,该导光板导引光线以显示出该图形。于一实施例中,该光线被该图形层反射以显示出该图形。一种可携式电子装置包含显示部、输入部及前述图形显示结构。该输入部与该显示部通讯连接。该图形显示结构设置于该显示部或该输入部以对外显示该图形层的该图形。本实用新型利用导光板导引光线以对外显示由图形层形成的图形,可使得应用该图形显示结构的可携式电子装置(例如笔记本电脑)的壳体在可以显示图形的同时还能在关闭光源时呈现素面效果。
  • 图形显示结构可携式电子装置
  • [发明专利]外延生长监控图形及监控方法-CN201610242891.0有效
  • 王辉 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2016-04-19 - 2019-01-04 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种外延生长监控图形,所述外延生长监控图形分为X和Y方向的两组,每组都包含有一封闭的口字型图形,其中X组图形的口字型图形水平方向两外侧均有垂直的外框图形;Y组图形的口字型图形上下两外侧均有水平的外框图形,所述的垂直或水平的外框图形均与口字型图形之间存在间隔。本监控图形可以监控外延生长工艺后导致的图像偏移量。本发明还公开了所述的外延生长监控图形的监控方法。
  • 外延生长监控图形方法
  • [发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法-CN202110336053.0在审
  • 宛强;夏军;徐朋辉;刘涛;李森;占康澍 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-03-29 - 2021-07-09 - H01L21/8242
  • 本发明公开了一种掩膜结构、半导体结构及制备方法,掩膜结构的制备方法包括:图形化牺牲层及第二介质层,以形成包括由下至上依次层叠的第一图形及第二图形图形结构,图形结构下部的宽度小于图形结构上部的宽度;于图形结构的侧壁形成初始掩膜图形;于位于不同图形结构侧壁的相邻初始掩膜图形之间填充第一填充层;去除第二图形及位于第二图形侧壁的初始掩膜图形;去除第一填充层、第一图形,以于第一介质层的上表面形成第一掩膜图形,第一掩膜图形沿第一方向延伸;于第一掩膜图形上形成第二掩膜图形,第二掩膜图形沿第二方向延伸,第二方向与第一方向相交,以得到孔径大小均一和方向一致性较好的电容孔,增大电容存储电量,提高晶圆生产良率。
  • 膜结构半导体结构制备方法

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