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[发明专利]光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法-CN201910655742.0在审
发明人：杜杳隽;李亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法，其中光学临近修正方法包括：提供目标图形；增大目标图形的边长，形成初始图形；对初始图形进行修正，获得对应的第一修正图形；形成辅助图形，辅助图形包围第一修正图形；将第一修正图形和辅助图形进行差异因子比较；如果差异因子的值大于预定阈值，增大所第一修正图形对应的目标图形的面积，形成修正目标图形；对第一修正图形进行过程修正，获取对应的过程修正图形；重复上述进行差异因子比较的步骤，直至修正满足的预定次数；对形成的第一修正图形和过程修正图形进行最终修正，获取修正图形。本发明保证光刻图形转移到晶圆上的准确性，保证形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。
光学临近修正模版制作图形方法

[发明专利]一种图形的修正方法、存储介质-CN202310332947.1在审
发明人：王茂林;解光霞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种图形的修正方法、存储介质，图形的修正方法包括：获取初始图形，基于预设拆分方法将初始图形拆分为多组预设图形，基于每组预设图形，获取与预设图形对应的预设修正模型。基于预设修正模型对与预设修正模型对应的预设图形进行修正，获得与预设图形对应的目标修正图形，对多组目标修正图形进行合并，获得与初始图形对应的目标图形。本公开对初始图形中的多组预设图形分别采用一个对应的预设修正模型进行修正，得到相应的目标修正图形，以提高预设图形的修正准确度，再将多个目标修正图形进行合并，从而得到与初始图形对应的目标图形，目标图形的修正准确性较高，以使得采用目标图形所形成的半导体器件具有良好的电学性能。
一种图形修正方法存储介质

[发明专利]掩膜版图形的修正方法-CN201610407624.4有效
发明人：杜杳隽;李亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供芯片图形区，所述芯片图形区包括：相邻的第一图形区和第二图形区；对第一图形区进行光学邻近效应修正，形成第一修正图形区，第一修正图形区包括第一主修正图形区和位于第一主修正图形区外围的第一内边带区；对第二图形区进行光学邻近效应修正，形成第二修正图形区，第二修正图形区包括第二主修正图形区和位于所述第二主修正图形区外围的第二内边带区；对第一修正图形区和第二修正图形区进行缝合，第一内边带区和第二内边带区形成内边带区，内边带区中具有目标图形；对内边带区中的目标图形进行光学邻近效应修正，形成目标修正图形。所述的掩膜版图形的修正方法能够减小形成的修正图形的畸变。
版图修正方法

[发明专利]图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法-CN202310937634.9有效
发明人：赵广;罗招龙;杜远远 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种图形修正方法及系统、光掩模版的制备方法。图形修正方法包括：获取设计图形，设计图形包括多个间隔排布的待修正图形；对设计图形进行光学临近修正，以得到多个间隔排布的初始修正图形；获取初始修正图形中违反掩模版最小规则的修正区域，并将修正区域去除；基于修正区域于初始修正图形的侧边设置条状图形；将条状图形与初始修正图形合并，以得到目标图形。本申请的图形修正方法，可以提高图形的收敛度和准确度，保证光刻的准确性，进一步保证了产品的性能。
图形修正方法系统模版制备

[发明专利]图形修正方法-CN202210113692.5在审
发明人：张戈;严中稳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，待修正版图包括若干待修正图形；提供第一目标版图，第一目标版图包括若干与若干待修正图形一一对应的第一目标图形；对待修正版图进行第一光学临近修正，获取第一修正版图，第一修正版图包括若干与待修正图形对应的第一修正图形；获取若干第一修正图形的第一边缘放置误差；基于各所述第一边缘放置误差，确定若干第一修正图形中的待处理修正图形；在若干第一目标图形中获取与待处理修正图形对应的待补偿目标图形；根据第一边缘放置误差对待补偿目标图形进行补偿，获取第二目标图形；根据第二目标图形对待处理修正图形进行第二光学临近修正，获取第二修正图形。所述方法修正结果精确。
图形修正方法

[发明专利]一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置-CN202010419225.6在审
发明人：马乐;韦亚一;张利斌;陈睿 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种修正模型的建立方法及装置、掩模图形优化方法及装置，预先基于历史掩模图形的图形参数、历史掩模图形曝光得到的历史曝光图形的实际参数和历史掩模图形对应的历史权重建立修正模型，历史权重基于历史掩模图形的图形参数和/或历史曝光图形的实际参数，以及历史掩模图形的初始权重确定，在获取待修正掩模图形后，可以利用修正模型，得到待修正掩模图形对应的待修正曝光图形的预测参数，基于预测参数以及待修正曝光图形的目标参数，对待修正掩模图形进行修正这样确定的历史权重是具有针对性的，据此建立的修正模型也是较为准确的，对待修正掩模图形的修正也更加具有针对性。
一种修正模型建立方法装置优化

[发明专利]特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法-CN202210961900.7在审
发明人：邓婉君;金晓亮;冯佳计 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种特殊单元总数据库及其建立方法、图形修正方法，其中图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括待修正区域和待修正特殊单元结构区域；获取待修正特殊单元结构区域中的待修正最小重复单元图形；提供特殊单元总数据库；在所述特殊单元总数据库中获取与所述待修正最小重复单元图形对应的单元修正图形的信息；对所述待修正区域进行光学临近修正，获取第二修正图形的信息；根据所述第二修正图形的信息和单元修正图形的信息获取修正版图。所述图形修正方法的修正效率得到提升。
特殊单元数据库及其建立方法图形修正

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201811050984.9在审
发明人：徐一建;梁凤云;侯士权;王婷;倪凌云 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形，初始光刻掩膜图形包括若干主图形；基于静电易发生判断规则，从若干主图形中获取主图形组，主图形组包括相邻的至少两个主图形；在主图形组中相邻的主图形之间设置辅助图形，辅助图形包括辅助主图形和位于辅助主图形两侧的辅助连接图形，辅助连接图形连接辅助主图形和主图形；对若干主图形和辅助图形进行OPC修正，使主图形形成主修正图形，使辅助图形形成辅助修正图形，辅助修正图形包括对应所述辅助主图形的辅助修正主图形和对应所述辅助连接图形的辅助修正连接图形。所述光学邻近修正方法避免相邻主修正图形的相对尖脚处发生图形缺角或桥接损毁的现象。
主图形光学邻近修正辅助图形修正辅助连接初始光刻掩膜掩膜版连接图形判断规则图形连接静电尖脚桥接缺角损毁制作

[发明专利]图形修正方法及半导体结构的形成方法-CN202010791533.1在审
发明人：胡月;舒强;王占雨;张迎春 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种图形修正方法及半导体结构的形成方法，图形修正方法包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一待修正图形，所述第一待修正图形具有第一点，相邻所述第一待修正图形通过所述第一点相接；获取第一待修正图形的第一类线段和第二类线段，所述第一类线段与所述第一点相接；对所述第一待修正图形的第二类线段进行修正，获取修正版图，所述修正版图包括第一修正图形；对所述修正版图进行光学邻近效应修正。以所述方法获取的第一修正图形经过光学邻近效应修正后的光刻图形，所述光刻图形的尺寸精准度较高。
图形修正方法半导体结构形成

[发明专利]光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法-CN202010012579.9在审
发明人：袁姣;王伟斌;王栋;王兴荣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法、掩膜版的制作方法及半导体结构的形成方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图包括若干待修正图形；对所述待修正版图进行分组处理，获取若干图形组，每个所述图形组中包括至少一个所述待修正图形；在所述分组处理之后，对每个所述图形组中的所述待修正图形进行若干次第一光学邻近修正，获取第一修正图形；在所述第一光学邻近修正之后，对每个所述图形组中的所述第一修正图形进行校正处理，获取第二修正图形；在所述校正处理之后，对每个所述第二修正图形进行若干次第二光学邻近修正，获取第三修正图形。通过本发明的技术方案，能够实现提升每个待修正图像在经过光学邻近校正后的图形效果。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法半导体结构形成

[发明专利]光学邻近修正方法-CN201110459747.X无效
发明人：张婉娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：获得经过至少一次光学邻近修正后的当前修正掩模板图形，对当前修正掩模板图形进行光学模拟获得模拟图形；将模拟图形与目标图形进行比较，获得多个边缘位置误差；当边缘位置误差大于预定值时，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离大于掩模板的最小设计尺寸时，对当前修正掩模板图形的待修正边进行修正，若当前修正掩模板图形的待修正边与相邻掩模板图形的距离等于掩模板的最小设计尺寸时，将当前修正掩模板图形的待修正边的相邻边向外移动；重复上述过程，直至边缘位置误差在预定值之内。本发明实施例的方法提高了光学邻近修正的效率。
光学邻近修正方法

[发明专利]一种光学邻近修正方法-CN201010022522.3有效
发明人：张飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-04 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，该方法包括，首先，建立工艺错误敏感图形数据库，确定其对应修正方案；然后对比电路图形和工艺错误敏感图形数据库，在电路图形中标记工艺错误敏感图形；接着，根据所述工艺错误敏感图形对应修正方案，修正所述电路图形中工艺错误敏感图；最后对修正后的电路图形进行光学邻近修正。本发明在对电路图形进行光学邻近修正前，加入检查和修正电路图形中工艺错误敏感图形的步骤，可以减少光学邻近修正所需的时间，使修正后的光罩图案符合电路图形设计要求。
一种光学邻近修正方法

[发明专利]改善金属层工艺窗口的版图修正方法-CN202210876160.7在审
发明人：熊丽娜 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属层工艺窗口的版图修正方法，提供待修正图形经光学邻近修正后的第一修正后图形，根据第一修正后图形得到其第一曝光轮廓，定义第一曝光轮廓中线宽不满足设计标准的区域为热点图形；将第一图形向远离第三图形的一侧移动部分距离得到第四图形；根据第二至四图形对热点图形对应的原始图形进行光学邻近修正，得到第二修正后图形，根据第二修正后图形得到其第二曝光轮廓，使得第二修正后图形中的线宽符合设计标准，第二图形修正后的曝光后轮廓包裹第四图形修正后的曝光后轮廓本发明增大金属层热点线宽修正移动空间并提高其工艺窗口，且不会造成包裹面积不够问题。
改善金属工艺窗口版图修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺-CN201810118347.4有效
发明人：杜杳隽;李忠生 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法、掩膜版制作方法及图形化工艺，光学邻近修正方法包括：在本征图形组沿第一方向的一侧形成第一辅助图形，第一辅助图形和本征图形组相互分立且和第一图形相邻，所述第一辅助图形在第一方向上的宽度大于第二图形在第一方向上的宽度且小于第一图形在第一方向上的宽度；对本征图形组和第一辅助图形进行OPC修正，得到本征修正图形组和第一辅助修正图形，所述本征修正图形组包括若干沿第一方向排列的本征修正图形单元，本征修正图形单元包括沿第一方向排列的第一修正图形和第二修正图形所述方法提高了第二修正图形的分辨率。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法图形化工

[发明专利]光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法-CN202010594925.9在审
发明人：王占雨;朱继承;王何宁;胡月 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，其中光学邻近修正方法包括：提供目标图形；根据若干经验规则，分别对所述目标图形进行模拟修正，获取与各经验规则对应的模拟修正图形；根据若干模拟修正图形，获取参考经验规则；根据所述参考经验规则，对所述目标图形进行所述第一修正处理，获取第一目标修正图形；对所述第一目标修正图形进行第二修正处理，获取第二目标修正图形，所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

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