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[发明专利]图形显示方法、装置和电子设备-CN202011290717.6在审
发明人：童云钊 -专利权人：北京字跳网络技术有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G06F40/166 文献下载
摘要：本公开实施例公开了图形显示方法、装置和电子设备。该方法的一具体实施方式包括：响应于接收到对协同文档中的图形进行更改的更改指令，获取更改后的图形的尺寸和用于呈现更改后的图形的图形区块的宽度，其中，更改指令包括更改后的图形的尺寸；基于更改后的图形的尺寸和图形区块的宽度，确定图形区块的待显示比例；确定更改后的图形在待显示比例下的高度，基于更改后的图形在待显示比例下的高度，确定图形区块的待显示高度；在协同文档中以待显示高度显示呈现有更改后的图形的图形区块。该实施方式在对协同文档中的图形进行协同编辑时，可以使得编辑的图形在协同文档中以合理的尺寸显示出来。
图形显示方法装置电子设备

[发明专利]一种图形识别码调整方法及系统-CN202110237850.3在审
发明人：汪金玲 -专利权人：汪金玲
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G06K7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形识别码的技术领域，揭露了一种图形识别码调整方法，包括：获取待调整的图形识别码，对图形识别码进行灰度图转换以及二值化操作；对存在几何失真扭曲的图形识别码进行校正处理，得到预处理完成的图形识别码；利用基于核函数的图形识别码美化算法对预处理后的图形识别码进行美化调整，得到美化后的图形识别码；利用图形识别码降噪模型对美化后的图形识别码进行降噪处理，得到降噪后的图形识别码；利用结合光流法以及位置信息的图形识别码位置跟踪算法实现图形识别码的位置调整本发明还提供了一种图形识别码调整系统。本发明实现了图形识别码的调整。
一种图形识别码调整方法系统

[发明专利]光刻版及集成电路的制造方法-CN202010328994.5在审
发明人：樊航 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：该光刻版包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形和多个间隙区域图形，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，间隙区域图形与膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形的数量与膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，间隙区域图形的最大宽度小于光栅图形单元的宽度的一半。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比，制作工艺的波动对晶圆上本申请中的光栅图形单元的形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率
光刻集成电路制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010211167.8在审
发明人：郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括中心区域和环绕中心区域的晶边区域；在基底上形成目标图形层，位于中心区域的目标图形层为器件目标图形层，位于晶边区域的目标图形层为伪目标图形层；在伪目标图形层中掺杂离子，形成掺杂图形层，掺杂图形层的被刻蚀难度小于器件目标图形层的被刻蚀难度；去除掺杂图形层。本发明实施例在晶边区域中的所述伪目标图形层中掺杂离子，形成掺杂图形层，所述掺杂图形层的被刻蚀难度小于所述器件目标图形层的被刻蚀难度；从而去除所述掺杂图形层的过程中，器件目标图形层的损伤较小，有利于提高半导体结构电学性能的均一性
半导体结构及其形成方法

[发明专利]陶瓷外壳及其表面图形加工方法-CN202110994741.6在审
发明人：刘洋;杨振涛;高岭;刘林杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷外壳及其表面图形加工方法，属于陶瓷封装技术领域，加工方法包括步骤：在陶瓷外壳的表面加工图形凹槽；在图形凹槽内注入图形胶体，图形胶体与陶瓷外壳的表面具有颜色差；初次检验图形胶体的注入情况，筛选得到满足注入要求的陶瓷外壳；在预设条件下固化筛选得到的图形胶体；二次检验图形胶体的固化情况，筛选得到具有预设图形的陶瓷外壳。本发明提供的陶瓷外壳表面图形加工方法，由于图形胶体和陶瓷外壳具有颜色差，能够通过肉眼或设备清晰地识别加工后的图形，满足使用要求；同时，先加工图形凹槽再注入图形胶体的方式，能够防止图形胶体在点胶过程中发生扩散，图形精度更高，容易得到满足使用要求和识别要求的陶瓷外壳。
陶瓷外壳及其表面图形加工方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器-CN202210452421.2在审
发明人：郭帅;左明光;白世杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：半导体结构包括：衬底；至少一个有源层单元，有源层单元包括层叠设置的多层有源层以及设置在相邻有源层之间的隔离层，有源层包括第一图形、第二图形以及沟道图形，第一图形与第二图形中的其中一者为源极图形，另一者为漏极图形，沟道图形连接第一图形与第二图形，各层有源层的第一图形在远离沟道图形一侧呈阶梯状分布，且相邻第一图形之间具有隔离层，相邻第二图形之间具有隔离层；多个栅极结构，分别环绕于各沟道图形外周；多个第一接触结构，分别位于各第一图形上方；多个电容结构，分别位于各第一接触结构上方。
半导体结构及其制作方法存储器

[发明专利]图形边界缺陷处理方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310056099.6在审
发明人：吴宗晔;施亿昌;叶甜春;罗军;李彬鸿 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请涉及半导体光刻工艺领域，特别是涉及一种图形边界缺陷处理方法包括：获取待处理图形，待处理图形包括器件单元图形及背面图形，器件单元图形内及至少部分背面图形内具有Sbar标记；选取具有Sbar标记的背面图形及与选取的背面图形临接的器件单元图形；选取的背面图形及器件单元图形位于相邻的不同图层；将选取的背面图形提至与选取的器件单元图形位于同一图层，以得到待修正图形；自所述待修正图形中筛选出与设计规则相违背的Sbar标记并进行修正。
图形边界缺陷处理方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]一种基于参数分割图形的方法及系统-CN202211109812.0在审
发明人：刘松;张军民;秦华;王叶晨梓;韩凯铭;刘年涛;曾汉龙;方春炜;杨飚;褚新展;寿佳琦 -专利权人：杭州市勘测设计研究院有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06T7/10 文献下载
摘要：本申请提供一种基于参数分割图形的方法及系统，方法包括：获取目标图形以及若干个子图形参数，基于子图形参数获得预设子面积；基于目标图形获得外包图形的矩形外包框；基于矩形外包框和预设子面积获得与预设子面积对应的分割参数；基于分割参数确定需要分割的临时子图形，获得临时子图形的实际面积；每更新一个临时子图形，判断实际面积与对应的预设子面积的差值是否大于预设容差，若是，基于差值更新对应的临时子图形；否则，将临时子图形作为最终子图形，并更新图形，重复基于分割参数确定需要分割的临时子图形，直到目标图形被分割完，输出所有的最终子图形。
一种基于参数分割图形方法系统

[发明专利]光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质-CN202211385426.4在审
发明人：王嘉硕;韦亚一;董立松;苏晓菁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光刻胶模型校准的优化图形选择方法、装置、系统和介质，该方法包括：获取多个初始优化图形；对多个初始优化图形进行傅里叶变换得到各个初始优化图形分别对应的频谱；检测各个初始优化图形分别对应的频谱与其他频谱重复的个数，并根据从大到小重复的个数对各个初始优化图形进行排序；对各个初始优化图形的特征尺寸进行排序；选择各个初始优化图形中排序前第一预设名次的图形、后第二预设名次的图形和各个初始优化图形中特征尺寸最小的图形作为最终优化图形从而本申请提出的基于频谱重复量的优化图形选择方式可以避免基于经验的选择方式中图形选择较为盲目的现象，降低了图形选择难度和时间成本，同时也提升了模型校准精度。
光刻模型校准优化图形选择方法装置系统介质

[发明专利]光刻工艺方法-CN201511026554.X有效
发明人：李伟峰;王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻工艺方法，包含步骤一，设计测试图形，确定前层图形的尺寸和距离对当前注入层图形的关键尺寸影响的变化量；步骤二，根据测量得到的变化量，调整Dummy图形的尺寸和距离规则；步骤三，在当前注入层图形中筛选出小尺寸图形；步骤四，将小尺寸图形和已经做过常规Dummy图形插入的当前注入层图形做叠加产生新混合层图形；步骤五，对混合层图形增加一个赝层，标记出小尺寸图形区域；步骤六，使用赝层遮挡混合层其他图形，然后根据步骤二所确定的规则进行第二次Dummy图形插入。本发明在制作小尺寸注入层工艺时，通过调整前层图形Dummy图形的排布，改变当前注入层小尺寸的CD,达到满足该层工艺能力的目的。
光刻工艺方法

[发明专利]版图中插入填充图形的方法-CN201210496239.3有效
发明人：李彦正;周京英;孙长江 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种版图中插入填充图形的方法，包括以下步骤在每个局部区域的允许插入填充图形的结构中，虚拟地插入标准填充图形。计算该局部区域在虚拟地插入填充图形之后的图形密度，判断其是否大于或等于该局部区域的图形密度的最低要求。如果是，在该局部区域的允许插入填充图形的结构中实际插入该填充图形。如果否，在该局部区域的允许插入填充图形的结构中，虚拟地插入比上一次虚拟插入的填充图形更大的新的填充图形。不断重复直至该局部区域在插入新的填充图形之后的图形密度大于或等于该局部区域的图形密度的最低要求。本申请可以快速地实现在版图中插入填充图形，使得所有局部区域都满足最低的图形密度要求。
版图插入填充图形方法

[发明专利]一种加速生成版图中导体图形连接关系的方法-CN201710103731.2有效
发明人：张春雪;魏洪川;陆涛涛 -专利权人：北京华大九天软件有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种加速生成版图中导体图形连接关系的方法，包括步骤：（1）确定起始追踪图形；（2）追踪与所述起始追踪图形同层或直连的其他导体层的图形，将追踪到的图形加入到结果队列；（3）追踪与所述起始追踪图形相连的通孔层图形，对追踪到的通孔层图形分组，追踪与每组通孔层图形组相连的导体层图形，将追踪到的导体层图形加入到所述结果队列；（4）依次将所述结果队列中的导体层图形作为起始追踪图形，执行步骤（2）及（3）；（5）收集所有追踪到的导体层及通孔层的图形本发明能够针对多层次的大规模打孔连接，减少搜索连接导体层图形的次数，降低检查图形是否有重叠的次数，提高线网追踪的效率。
一种加速生成版图导体图形连接关系方法

[发明专利]一种图形合成方法、窗口设置方法及系统-CN201610201756.1有效
发明人：金卓军 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形合成方法、窗口设置及系统。一方面，第一子系统的第一图形合成器接收第二子系统的第二图形合成器发送的图形缓冲对象标识，由于该图形缓冲对象标识指向用于存储图形数据的图形数据存储单元，因此第一图形合成器在进行图形合成时，能够根据接收到的图形缓冲对象标识，对所述图形缓冲对象标识所指的图形数据进行合成，从而实现了在图形合成层面上不同子系统间的兼容。另一方面，第二图形合成器向第一图形合成器发送窗口属性信息，第一图形合成器根据所述窗口属性信息，对相应窗口进行设置，从而实现了在窗口显示层面上不同子系统间的兼容。
一种图形合成方法窗口设置系统

[发明专利]一种多路图形处理设备-CN202111067235.9有效
发明人：郭凡;李少光;隆志远;周坚锋;廖科;陈小明 -专利权人：中国航空无线电电子研究所
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种多路图形处理设备，由GPU实现，包含基于同步多倍像素频率的高分辨率图形输出接口和图形输出接口转换单元，基于同步多倍像素频率的高分辨率图形输出接口将包含多路中低分辨率图形处理结果的高分辨率图形按照定制的图形输出时序输出；其中，图形输出时序涉及的参数包含：像素频率为中低分辨率图形的n倍供图形输出接口转换单元作为运行时钟，帧有效脉冲的相位比中低分辨率图形提前一行用于对图形输出接口转换单元的处理延迟进行预校正；图形输出接口转换单元将高分辨率图形转换为多路独立的中低分辨率图形输出本发明在处理多路中低分辨率图形时具有延时特性好的特点。
一种图形处理设备

[发明专利]一种优化光学邻近效应修正中曝光辅助图形的方法-CN202010802375.5有效
发明人：付欣欣;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种优化OPC中曝光辅助图形的方法，主要包括：生成光阻模型，在待优化的曝光图形中增加曝光辅助图形，并对比增加前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸；若满足条件，则对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值，若满足条件，则输出曝光辅助图形的设置规则。通过对比增加曝光辅助图形前后的曝光图形的中心光强极值、对比度和曝光关键尺寸可以筛选出对曝光图形曝光有益的曝光辅助图形的设置规则；对比曝光辅助图形的中心光强极值和曝光图形的成像阈值可以确保曝光辅助图形不会成像通过简单的计算就可以将符合要求的曝光辅助图形规则提取出来，解决了现有技术中曝光辅助图形规则不易提取且计算量大的问题。
一种优化光学邻近效应修正曝光辅助图形方法