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[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202111027788.1有效
发明人：宛强;占康澍;夏军;李森;刘涛;徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，应用于集成电路制造领域，本发明半导体结构的制备方法能够避免在图案转移的过程中，掩膜层侧壁形成弓形弯曲，进而避免后续形成的电接触结构之间形成连接桥，提高半导体结构的性能。另外，本发明制备方法还利用第一隔离条与第二隔离条来间接界定接触孔的位置，从而避免利用凸台来界定接触孔的位置，避免了对准偏移，大大提高了对准精度。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202310855171.1在审
发明人：刘洋浩;徐朋辉;刘涛;曲晓帅 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括：提供衬底；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次交替排布的支撑层及牺牲层，叠层结构的顶层为支撑层；于叠层结构内形成电容孔，电容孔沿厚度方向贯穿叠层结构；于电容孔的侧壁及底部形成第一电极层，第一电极层包括位于电容孔侧壁的体电极层及位于电容孔底部的接触电极层；去除牺牲层；对体电极层进行减薄处理，以使得体电极层的厚度小于接触电极层的厚度。上述半导体器件结构及其制备方法能够优化半导体器件结构的性能。
半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]一种租赁管理方法、系统、计算机设备及存储介质-CN202310629495.3在审
发明人：刘帅乐;郑国强;肖琴;徐朋辉 -专利权人：上海斯俊慕智能科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06Q30/0645 文献下载
摘要：本发明公开了一种租赁管理方法、系统、计算机设备及存储介质，租赁管理方法，应用于租赁管理系统中，包括：直接在租赁管理系统中导入租赁合同或由租赁合同管理模块接收自OA系统返回的审批状态信息，审核通过后的租赁合同在租赁管理系统内的租赁台账模块；财务系统通过租赁管理系统的资产折摊台账模块生产折旧台账不包括历史合同；OA系统向租赁管理系统导入租赁合同前、进行合同的审核，并向租赁合同管理模块发送审批状态信息。本发明实现了对于租入、租出的管理，新租赁准则的财务处理，租赁合同、核算、折旧和摊销，整个流程自动化执行；降低了企业合规风险、提升了员工工作效率、降低了企业费用支出。
一种租赁管理方法系统计算机设备存储介质

[发明专利]存储器的制作方法及存储器-CN202110297346.2有效
发明人：刘涛;夏军;占康澍;李森;宛强;徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的良率较低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底中形成有电容接触垫；在基底上形成叠层结构；叠层结构包括形成在基底上的第一叠层结构和形成在第一叠层结构上的第二叠层结构；在第二叠层结构内形成第一通孔；在第一通孔的侧壁形成保护层，位于第一通孔内的保护层围设形成第二通孔；沿第二通孔刻蚀所述第一叠层结构，形成第三通孔，且所述第三通孔暴露出所述电容接触垫。通过保护层保护第一通孔的侧壁，减少或者避免后续刻蚀气体或者刻蚀液体损伤第一通孔的侧壁，以减少或者避免第一通孔的侧壁弯曲甚至第一通孔刻穿，提高存储器的良率。
存储器制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构-CN202110476539.4有效
发明人：宛强;占康澍;夏军;李森;徐朋辉;刘涛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体的外围电路中晶体管稳定性较低的问题。该半导体的制备方法包括提供基底；基底中具有有源区；在基底上形成栅极层；在栅极层的外周形成隔离结构；在远离栅极层的方向上，隔离结构至少包括中空部和隔离部；在栅极层和隔离结构的顶表面上形成绝缘结构；形成接触插塞；接触插塞穿设绝缘结构，接触插塞靠近基底的一端与有源区电连接，接触插塞位于隔离结构的远离栅极层的一侧；形成导电层；导电层与接触插塞远离基底的一端电连接。本发明能够有效提高半导体结构中晶体管的稳定性，提升半导体结构的工作性能。
半导体结构制备方法

[实用新型]胸针型静电感应器-CN202222366079.2有效
发明人：王希泉;乔飞;董辉;殷丽;徐朋辉;王佩佩 -专利权人：新疆维格瑞生物科技有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力维护技术领域，是一种胸针型静电感应器，其包括胸针本体、插针、静电报警模块和配合胸针本体对其进行佩戴固定使用的连接底扣，胸针本体下侧中央设有插针，连接底扣上侧中央开设有能与插针限位安装在一起的插孔；胸针本体内侧设有能够检测周围静电并发出报警的静电报警模块，静电报警模块包括静电检测模块、控制模块和声光报警模块，静电检测模块与控制模块连接，控制模块与声光报警模块连接。本实用新型结构合理而紧凑，使用方便，通过设置胸针本体和连接底扣，便于安装在衣物上；通过设置声光报警模块，检测周围静电并发出声光报警，具有便携、安全和可靠的特点。
胸针静电感应器

[发明专利]电容结构及其形成方法和存储器-CN202110807908.3在审
发明人：占康澍;宛强;徐朋辉;刘涛;李森;夏军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种电容结构及其形成方法和存储器，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；去除所述电极层；去除所述第一支撑层；在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且电极柱的顶部的外周壁与介质层连接。通过介质层覆盖电极柱的顶部，使得介质层与电极柱的外周壁之间无间隙，介质层可以完全固定住电极柱的顶部，可防止电极柱发生倾斜变形，使得电极柱不易发生脱落现象。
电容结构及其形成方法存储器

[发明专利]电容阵列结构及其形成方法-CN202110759810.5在审
发明人：刘洋浩;夏军;占康澍;李森;宛强;刘涛;徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及位于所述堆叠结构上的掩模层，所述掩模层中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层的刻蚀窗口；沿所述刻蚀窗口刻蚀所述堆叠结构，形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的电容孔；形成填充满所述电容孔和所述刻蚀窗口、并覆盖所述掩模层顶面的导电层；去除所述堆叠结构顶面的所述导电层和所述掩模层，残留于所述电容孔内的所述导电层形成下电极。本发明避免了在去除所述掩模层的过程中电容孔特征尺寸的异常增大，确保了形成的下电极的特征尺寸。
电容阵列结构及其形成方法

[发明专利]图案的形成方法-CN202110814383.6在审
发明人：宛强;夏军;占康澍;徐朋辉;刘涛;李森 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种图案的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有图形化的光刻胶层；基于所述光刻胶层，形成隔离侧墙，其中，所述隔离侧墙包括靠近所述光刻胶层的第一侧墙和远离所述光刻胶层的第二侧墙；在任意相邻两个隔离侧墙之间形成核心材料层；去除所述第二侧墙，形成由所述第一侧墙和所述核心材料层组成的所述图案。通过本申请，能够解决相关技术中侧墙厚度降低所导致的刻蚀过程聚合物堵塞的问题，能够精确地形成最终的图案。
图案形成方法

[发明专利]半导体结构及电容器结构的形成方法-CN202211340286.9在审
发明人：刘涛;夏军;占康澍;李森;徐朋辉;宛强 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及电容器结构的形成方法，所述方法包括：提供第一基底；其中，所述第一基底依次包括：底部支撑层、具有下电极贯穿的第一牺牲层和掩膜层；所述下电极的表面与所述掩膜层齐平且与所述底部支撑层中的电容接触垫连接；刻蚀所述第一牺牲层至预设第一厚度，形成第二牺牲层；在所述第二牺牲层上形成中间支撑层和顶部支撑层，以形成电容器结构。
半导体结构电容器形成方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202110758568.X在审
发明人：宛强;占康澍;夏军;刘涛;徐朋辉;李森 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构的制作方法包括：提供初始结构，初始结构包括电容接触区和位于电容接触区上的目标层；在目标层内形成第一下电极结构，第一下电极结构至少与部分电容接触区连接；在目标层内形成与第一下电极结构连接的第二下电极结构。本公开的半导体结构的制作方法，在目标层内形成第一下电极结构和第二下电极结构，增加了下电极的外表面面积，增加了半导体结构的电荷存储能力。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110604226.2在审
发明人：刘洋浩;夏军;宛强;占康澍;李森;刘涛;徐朋辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，在基底上形成介质层；在介质层上形成图形化的第一掩膜层，第一掩膜层内具有多个初始第一通孔；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，在介质层内形成第一通孔，第一通孔与初始第一通孔正对；在介质层上形成图形化的第二掩膜层，第二掩膜层内具有多个初始第二通孔，初始第二通孔在基底表面的正投影与第一通孔在基底表面的正投影相互间隔；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀介质层，在介质层内形成第二通孔，第二通孔与初始第二通孔正对；以具有第一通孔和第二通孔的介质层为掩膜，刻蚀基底，在基底内形成沟槽。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种电力工程用电缆接线防护装置-CN202221243505.7有效
发明人： 徐朋辉;刘璐;刘贵武 -专利权人：河南博泰电力工程有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02G15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电力工程用电缆接线防护装置，属于电缆防护技术领域，该电力工程用电缆接线防护装置包括上壳体和下壳体，所述上壳体底部外侧和下壳体的顶部外侧均固定连接有侧板，所述上壳体和下壳体通过螺栓固定连接，所述上壳体的下表面和下壳体的上表面均开设有凹槽，所述凹槽的内部设置有密封条，所述上壳体的底部两侧和下壳体的顶部两侧均开设有卡槽，所述卡槽的内部卡设有卡板，所述卡板的内部开设有压槽，所述卡板的两侧均固定连接有支撑块。该电力工程用电缆接线防护装置，通过卡槽与卡板之间的配合，能够根据不同直径的电缆选择开设有合适压槽的卡块，减少其使用的局限性，且卡块的拆装简单快捷，使用更加方便，有利于推广使用。
一种电力工程用电接线防护装置

[实用新型]一种用于电线电缆的活动式收卷架-CN202221285498.7有效
发明人： 徐朋辉;苗素红;宋乾坤 -专利权人：河南博泰电力工程有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B65H54/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于电线电缆的活动式收卷架。所述用于电线电缆的活动式收卷架包括：底座，所述底座上设置有收卷机构、导线机构和两个固定机构；所述收卷机构包括两个放置柱、转轴、两个圆形侧挡板、连接槽、安装块、第一电机、圆形块、液压缸和凸形卡块，两个所述放置柱均固定安装在底座的顶部，所述转轴设置在两个放置柱的上方，两个所述圆形侧挡板均固定套设在转轴上，所述连接槽开设在转轴的一端，所述安装块固定安装在底座的顶部。本实用新型提供的用于电线电缆的活动式收卷架可以简单有效的对电线电缆进行收卷，并在收卷过程中对电线电缆进行导向，使收卷不散乱，更加紧密，并便于取下收卷后电线电缆的优点。
一种用于电线电缆活动式收卷架

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202110609910.X在审
发明人：宛强;夏军;占康澍;李森;刘涛;徐朋辉;刘浩 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成由下至上依次叠置的第一接触层、牺牲层及第一掩膜层；在所述第一掩膜层上形成第一图形；在所述第一图形的侧壁形成第一侧壁图形；基于所述第一图形和所述第一侧壁图形对所述第一掩膜层图形化；去除所述第一图形和所述第一侧壁图形；基于图形化后的所述第一掩膜层对所述牺牲层图形化，以在所述牺牲层中形成第一沟槽；在所述第一沟槽内形成第二接触图形；去除所述牺牲层；基于所述第二接触图形对所述第一接触层图形化以形成位线接触结构。上述半导体结构的制备方法能够避免后续所形成的位线接触结构之间桥接。
半导体结构制备方法

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