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[发明专利]一种测量外延设备中基座水平度装置-CN202310510939.1在审
发明人：周晓辉;薛宏伟;袁肇耿;王刚;张志坡;冯聚坤;王凯达 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本申请提供一种测量外延设备中基座水平度装置。该装置包括安装底座、第一条形支架、第二支架、第三条形支架、测距传感器和控制器；安装底座安在外延设备的铁质底板上，第一条形支架安于安装底座上，平行第一平面，第一平面为安装底座上表面位于的平面；第二支架包括垂直第一平面的竖直支架和平行第一平面的水平支架，竖直支架与水平支架连接；水平支架位于第一条形支架上，且平行第一平面方向上滑动连接；第三条形支架与竖直支架垂直第一平面方向上滑动连接，和测距传感器固定连接；测距传感器用于测量待检测的基座与测距传感器的垂直距离；控制器用于基于垂直距离，确定待检测的基座的水平度。本申请能够提高基座的水平度的测量准确性。
一种测量外延设备基座水平装置

[发明专利]一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置-CN202310465096.8在审
发明人：苗凯;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;赵叶军;吴子凡 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本申请提供一种工艺腔室、基座水平监测方法和控制装置。该工艺腔室包括基座、钟罩、至少两个测距传感器以及控制装置；基座位于钟罩内；基座的上表面为圆形；至少两个测距传感器设于基座上方，且位于钟罩外；至少两个测距传感器处于同一水平面，至少两个测距传感器在基座上的投影位置围绕基座的圆心分布，且到基座的圆心距离相同；至少两个测距传感器用于在基座旋转至少一圈的过程中，测量其到基座在竖直方向的多个距离，将多个距离发送到控制装置；控制装置用于根据多个距离，判断基座是否处于水平。本申请能够实现在钟罩安装完毕后对基座的水平状态进行监测，并提高对基座水平状态监测的精确度。
一种工艺基座水平监测方法控制装置

[实用新型]HCL气瓶防松装置和HCL气瓶-CN202221796413.1有效
发明人：史喜生;霍晓阳;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;孟祥鹏 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种HCL气瓶防松装置和HCL气瓶，所述HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干凸起；安装架适于与气瓶连接；限位件与安装架转动连接，并适于与凸起的一侧抵接，使限位板只能向凸起与限位件抵接侧的对侧转动，能够有效避免气瓶出气口连接螺母松动；HCL气瓶包括上述的HCL气瓶防松装置、瓶体、阀门和连接螺母；阀门与瓶体连接，连接螺母与阀门的出气口连接，适于将阀门的出气口与出气管密封连接；限位板与连接螺母卡接，安装架与阀门连接，限位件与安装架转动连接。
hcl 气瓶防松装置

[实用新型]顶压式HCL气瓶防松装置和HCL防松气瓶-CN202221802013.7有效
发明人：霍晓阳;史喜生;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;孟祥鹏 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： F17C1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种顶压式HCL气瓶防松装置和HCL防松气瓶，所述顶压式HCL气瓶防松装置包括限位板、安装架和限位件；限位板中间设有适于与气瓶出气口的连接螺母卡接的卡孔，周圈设置的若干抵压面；安装架适于与气瓶上的阀门连接；限位件与安装架螺纹连接，并适于与抵压面抵接，限制限位板转动；所述HCL防松气瓶包括上述的顶压式HCL气瓶防松装置、瓶体、阀门和连接螺母；阀门与瓶体连接，连接螺母与阀门的出气口连接，适于将阀门的出气口与出气管密封连接；限位板与连接螺母卡接，安装架与阀门卡接，限位件与安装架螺纹连接。
顶压式 hcl 气瓶防松装置松气

[发明专利]单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法-CN202210163715.3在审
发明人： 袁肇耿;吴晓琳;王刚;王凯达;张晓博 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，属于半导体制作技术领域，所述调整方法包括：将衬底基板放入反应腔，升温进行H2烘烤和HCl高温腐蚀抛光；再次通入H2，对所述反应腔吹扫清洁；调节五路进气管的针阀，使进气口对应的不同位置，分别通入预设流量的硅源及掺杂剂，在所述衬底基板上生长获得预设厚度及电阻率的外延单晶硅片。本发明提供的单片CVD外延工艺的厚度一致性调整方法，通过多路进气管，对应的在反应腔内设有多个进气口，由于进气点位的增加，在总进气量不变的情况下，提高了进气流量的精准度，从而能够提高外延片厚度的均匀性。
单片 cvd 外延工艺厚度一致性调整方法

[实用新型]用于半导体材料沉积设备的移动装置-CN202221455804.7有效
发明人：张倩;高卫;王刚;王铁钢;袁肇耿;薛宏伟 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于半导体材料沉积设备的移动装置，包括安装座、上滑移件、下滑移件、双向伸缩件、沉积件以及支撑件，安装座设有立板以及位于立板顶部的顶板，立板上设有两个分别沿上下方向延伸的滑轨；上滑移件和下滑移件均滑动连接于两个滑轨上；双向伸缩件具有与顶板相连的上伸缩端以及与下滑移件相连的下伸缩端；沉积件连接于上滑移件上，沉积件具有上下贯通的滑动孔，沉积件的上端具有用于承托晶圆的支杆；滑杆滑动连接于滑动孔内，加热板设置于滑杆的上端用于加热晶圆，滑杆的下端与下滑移件相连。本实用新型提供的用于半导体材料沉积设备的移动装置，能够使双向伸缩件稳定伸缩，保证晶圆上沉积材料的均匀性。
用于半导体材料沉积设备移动装置

[实用新型]硅外延用石墨基座-CN202220023958.2有效
发明人：王刚;袁肇耿;吴晓琳;冯聚坤;张晓博;王凯达 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅外延用石墨基座，所述硅外延用石墨基座部件包括石墨基座本体，设有存放凹槽，用以存放衬底基片，存放凹槽为圆形，存放凹槽槽底为弧形面，且存放凹槽槽底开设有若干排气孔，若干排气孔均布在存放凹槽槽底。本实用新型提供的硅外延用石墨基座，能够完全与受热膨胀变形后的衬底基片贴合，衬底基片与石墨基座直接接触，确保衬底基片受热均匀。
外延石墨基座

[发明专利]快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法-CN202210240112.9在审
发明人：周晓龙;陈秉克;薛宏伟;袁肇耿 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法，属于半导体材料制备技术领域，方法包括硅衬底片的预处理：外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光，并在抛光时，外延腔室内温度升温至1030～1060℃；外延生长：在外延腔室内通入三氯氢硅作为硅源，外延腔室内温度保持1030～1060℃；在硅衬底片上低速生长本征外延层；在外延腔室内通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；在本征外延层上变高速生长掺杂磷烷的第一层外延层；再次通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；改变掺杂流量，在第一层外延层上高速生长掺杂磷烷的第二层外延层。本发明能够生长出理想的平坦外延层，提高硅外延片均匀性和二极管的电学性能。
快速恢复外延二极管用双层制备方法

[实用新型]碳化硅外延设备-CN202123346517.0有效
发明人：杨龙;吴会旺;李召永;白春杰;李伟峰;张国良;袁肇耿;薛宏伟 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅外延设备，所述碳化硅外延设备包括壳体、加热器、基座、测距仪以及控制器；所述壳体设有透视结构，所述加热器位于所述壳体内，具有用于吹浮所述基座的气道；所述基座包括可旋转地设置在所述加热器顶部的基座本体以及与所述基座本体连接的检测柱体，所述检测柱体具有待检测面；所述测距仪通过所述透视结构，实时检测所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离；所述控制器与所述测距仪电性连接，用于接收信号并根据所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离的变化量计算所述基座的竖直位移。本实用新型提供的碳化硅外延设备达到对基座进行实时监控的目的。
碳化硅外延设备

[实用新型]一种平板式外延炉的吸盘装置-CN202123064343.9有效
发明人：赵叶军;张倩;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;任丽翠 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种平板式外延炉的吸盘装置，属于半导体加工设备技术领域，包括吸盘，在吸盘内部设置有吸气腔，在吸盘的外侧设置有连接杆，连接杆为中空结构，且连接杆的一端固定在吸盘的外侧且与吸盘内部的吸气腔连通，在连接杆的另一端设置有吸气口，在吸盘上还固定设置有支撑杆，支撑杆为中空结构支撑杆的一端固定连接在吸盘上且与吸盘内部的吸气腔连通，本实用新型通过将支撑杆的另一端与吸气机构连接，使吸气机构的吸气端与支撑杆内部连通，从而使吸气腔内产生负压，可以将吸气孔移动至裂片处或石墨基座内部能够将裂片从石墨基座内部吸出，或将石磨基座内部的杂质颗粒吸除，操作过程简单、方便。
一种平板外延吸盘装置

[实用新型]硅外延炉装置-CN202220028150.3有效
发明人：高勇;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;吴子凡;杜雷雨;魏桂忠;任永升 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅外延炉装置，所述硅外延炉装置包括壳体、石墨基座、保温隔热托盘、加热器、旋转结构以及转接件，所述壳体外周环设有冷却水结构，具有反应腔，所述壳体上设有进气孔、出气孔以及第一穿孔，所述石墨基座转动设置在所述反应腔内，所述保温隔热托盘位于所述石墨基座与所述壳体之间并与所述石墨基座间隔设置，所述加热器用于对所述石墨基座进行加热，所述旋转结构包括电机和旋转轴，所述电机位于所述反应腔外，所述旋转轴与所述电机输出轴相连并通过所述转接件连接所述石墨基座。本实用新型提供的硅外延炉装置可大幅降低能耗。
外延装置

[发明专利]改善硅外延片背面边缘长硅的方法-CN202210260870.7在审
发明人：米姣;薛宏伟;袁肇耿;刘永超;侯志义;任丽翠 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的衬底放入基座的片坑内，且衬底向远离基座的方向弯曲；外延生长之后，将外延片取出，再次向外延反应腔室通入大流量的气态HCL。本发明由于采用了具有特定弯曲度的衬底，及外延生长前后均采用大流量的气体刻蚀清洗，因此可以明显改善硅外延片背面边缘长硅问题，减小硅外延片边缘局部平整度，避免后道光刻聚焦不良问题，满足后道工序光刻要求，从而能够提高光刻图形的位置准确性，提高产品的质量。
改善外延背面边缘方法

[实用新型]组合式衬底托盘-CN202122214980.3有效
发明人：吴会旺;杨龙;薛宏伟;袁肇耿 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种组合式衬底托盘，属于半导体技术领域，至少包括一个石墨外环和一个石墨中心盘，石墨外环和石墨中心盘同心嵌套组成一个完整的外延衬底托盘，石墨外环和石墨中心盘具有不同的热导率。本实施例提供的组合式衬底托盘，选用不同热导率的石墨制成石墨外环和石墨中心盘，使托盘具有不同的热导率，在不同的区域具有不同的传热效率，对应传递到衬底不同部位的热量不同，从而实现调节衬底外延片内温度的目的。
组合式衬底托盘

[发明专利]多片外延炉装偏监测方法-CN202010259791.5有效
发明人：魏桂忠;薛宏伟;陈秉克;袁肇耿;仇根忠;任永升;任丽翠;高勇;霍晓阳 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01B21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种多片外延炉装偏监测方法，属于外延片生产领域，包括步骤：在预设周期下通过测温装置获取基座表面和外延片的瞬时温度值；判断外延片的瞬时温度值是否位于正常温度范围内；当瞬时温度值低于正常温度范围时，判断正常温度范围最低值与瞬时温度值之差是否大于等于第一预设温度差值；当正常温度范围最低值与某个外延片的至少一个所述瞬时温度值之差大于等于第一预设温度差值时，则判定该外延片装偏。本发明提供的多片外延炉装偏监测方法能明确是哪一炉次的外延片存在质量问题，避免了生产完成后耗费大量人力物力对某一批次大量的外延片进行检测追溯的情况发生，避免了生产上的浪费，避免了不合格产品流失到客户端。
外延炉装偏监测方法

[发明专利]硅外延片及其制备方法-CN201710187931.0有效
发明人：高国智;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;吴会旺;张绪刚 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述渐变外延层的线性阻值对应的掺杂流量进行掺杂；在最外层的线性渐变外延层的上表面生长高阻外延层。本发明所述外延片的内层外延层包括两层以上的线性渐变外延层，线性渐变外延层采用多层生长，层间有微量掺杂优先进入反应腔室改变外延生长环境，同时使用流量同时渐变（Ramp）的方法，不仅能提高器件的软度因子，还能保持器件原有的电学特性，完全实现过渡区线性分布参数可控，且重复性、一致性强。
外延及其制备方法

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