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[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202210071423.7在审
发明人：杨圣合 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：对待切割的半导体晶圆进行固定；通过激光装置发出激光，对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为1450～1500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
一种半导体切割方法

[发明专利]半导体晶圆的切割方法-CN202110989528.6在审
发明人：宿志影 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体晶圆的切割方法，其先对UV胶带进行光照处理，使得UV胶带的粘度处于15‑20N/in，然后将半导体晶圆的背面粘接在UV胶带，从而将半导体晶圆固定在UV胶带，接着使用透光夹具将所述UV胶带固定在切割台，并对半导体晶圆进行切割，在半导体晶圆切割完成后，对UV胶带进行光照处理，使所述UV胶带的粘度处于0.02‑0.03N/in，此时半导体晶圆与UV胶带之间的粘合力比较小，所以分离半导体晶圆和所述UV胶带时不会对半导体晶圆造成伤害，同时大大降低了操作难度。
半导体切割方法

[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202210180301.1在审
发明人：卢文胜 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆固定在旋转台上；通过所述旋转台带动半导体晶圆转动，同时，通过喷嘴向半导体晶圆的上表面喷射光刻胶，使得光刻胶均匀涂覆在半导体晶圆的上表面上；对半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行固化处理；对固化后的半导体晶圆进行切割处理；对切割后的半导体晶圆的上表面上涂覆的光刻胶进行分离处理。采用本发明的技术方案能够有效防止切割过程中产生半导体损坏、崩裂和腐蚀等坏品，并且成本较低，操作简单，易于实现。
一种半导体切割方法

[发明专利]半导体处理设备组以及半导体处理设备-CN201610496004.2有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭露了一种半导体处理设备组以及半导体处理设备，其中，半导体处理设备组包括至少两个沿横向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室和承载半导体晶圆在多个横向分布的微腔室之间移动的晶圆承载部。在微腔室处于关闭位置时，半导体晶圆被晶圆承载部安置于微腔室中，进行单晶圆化学处理；在打开位置时，晶圆承载部承载半导体晶圆从一个微腔室移动到另一微腔室。使得本发明提供的半导体处理设备组在保留单晶圆处理技术的同时能够对半导体晶圆进行批量化处理。
半导体处理设备组以及设备

[发明专利]薄膜半导体器件以及薄膜半导体器件的制造方法-CN201280004416.X有效
发明人：钟之江有宣;川岛孝启 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜半导体器件（100）具备：栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）、沟道保护层（160）、在沟道层（140）的两侧面形成的一对第2非晶半导体层（171、172）、和经由第2非晶半导体层（171、172）与沟道层（140）的侧面接触的一对接触层（181、182），栅电极（120）、沟道层（140）、第1非晶半导体层（150）以及沟道保护层（160）层叠成俯视时外形轮廓线一致，第1非晶半导体层（150）的局部能级密度比第2非晶半导体层（171、172）的局部能级密度高，第2非晶半导体层（171、172）的带隙比第1非晶半导体层（150）的带隙大。
薄膜半导体器件以及制造方法

[发明专利]光电转换装置-CN201680035963.2有效
发明人：原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。
光电转换装置

[发明专利]一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法-CN202211515163.4在审
发明人：王超 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆蚀刻后的深孔清洗方法，其包括：采用EKC溶液对刻蚀后的半导体晶圆进行第一次清洗，其中，EKC溶液为NMP溶剂和带有碱性的胺的混合溶液；采用NMP溶剂对所述半导体晶圆进行第二次清洗；采用IPA溶剂对所述半导体晶圆进行第三次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第四次清洗：采用KI溶剂对所述半导体晶圆进行第五次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第六次清洗；采用DHF溶剂对所述半导体晶圆进行第七次清洗；采用纯水对所述半导体晶圆进行第八次清洗；对所述半导体晶圆进行干燥。通过增加KI及DHF溶剂的清洗，本发明能够完全清洗深孔中的聚合物及在干法蚀刻中所产生的金属残留物，保证半导体器件的成品性能、成品率及可靠性。
一种半导体蚀刻清洗方法

[实用新型]太阳能电池-CN202122994198.8有效
发明人：姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池，太阳能电池包括：衬底、第一本征非晶半导体层、n型非晶半导体层、第一透明导电膜层、第一电极、第二本征非晶半导体层、p型非晶半导体层、第二透明导电膜层、第二电极，衬底为n型晶体半导体衬底，衬底、第一本征非晶半导体层、n型非晶半导体层、第一透明导电膜层之间依次叠加，衬底、第二本征非晶半导体层、p型非晶半导体层、第二透明导电膜层之间依次叠加，第二透明导电膜层为至少两层，邻近p型非晶半导体层的第一层第二透明导电膜层为功函数≥4.2eV的高功函数导电膜层，第二电极设置于远离p型非晶半导体层的第二透明导电膜层。
太阳能电池

[发明专利]多晶半导体薄膜衬底及其制造方法、半导体器件和电子器件-CN00810925.7有效
发明人：木村嘉伸;贺茂尚广;金子好之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2000-06-23 - 公布日： 2002-08-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种通过在绝缘衬底的表面上形成非晶半导体膜、然后用激光束照射非晶半导体使非晶半导体膜结晶、从而形成多晶半导体薄膜、然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管的制造半导体器件的方法,其特征在于,将UV射线照射到绝缘衬底的背面和非晶半导体膜以将非晶半导体膜加热到熔融温度或更低的温度,以形成大多数具有数字6的最接近晶粒的晶粒的适当的形状选择激光能量密度Ec照射非晶半导体的表面,将其转化为多晶半导体薄膜,然后在多晶半导体薄膜中形成晶体管。
多晶半导体薄膜衬底及其制造方法半导体器件电子器件

[发明专利]晶背减薄的方法-CN201910721979.4在审
发明人：余兴 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种晶背减薄的方法，所述方法包括如下步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆具有一背面；对所述半导体晶圆的背面进行精细研磨，以减薄所述半导体晶圆及初步改善所述半导体晶圆背面的平整度及粗糙度；对所述半导体晶圆背面继续进行第一次化学机械研磨；对所述半导体晶圆背面继续进行第二次化学机械研磨，在进行第二次化学机械研磨时，添加强氧化剂，所述强氧化剂作用于所述半导体晶圆背面，以使所述半导体晶圆的背面的平整度及粗糙度达到预设值。本发明优点是，在减薄晶圆的过程中采用机械研磨的工艺，并未采用酸式蚀刻，不仅节省了晶背减薄工艺的制造成本，而且缩短了生产周期。
半导体晶圆减薄背面化学机械研磨粗糙度平整度晶背生产周期蚀刻氧化剂机械研磨精细研磨强氧化剂制造成本晶圆预设种晶

[发明专利]一种近红外光致发光薄膜及其制备方法-CN201010621929.8有效
发明人：姚建年;詹传郎;曾怡 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：该薄膜包括半导体纳米材料，所述半导体纳米材料为MxAyB1-y纳米晶或由MxAyB1-y纳米晶形成的核壳微粒，其中，M为Cd、Zn、Ag或Pb，A和B均为S、Se或Te，x为1或2，y为0或1。本发明还提供了上述薄膜的两种制备方法，既可直接将半导体纳米材料通过制膜技术制备成光致发光薄膜，也可将半导体纳米材料的前体所对应的氧化物和金属单质制备成膜，再通过原位煅烧制备成光致发光薄膜。
一种红外光致发光薄膜及其制备方法

[发明专利]在半导体晶圆上形成薄膜的方法-CN201910614302.0在审
发明人：罗兴安;胡淼龙;张春雷;蒋志超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成薄膜时，半导体晶圆上的温度分布；根据温度分布加热半导体晶圆，而在半导体晶圆上形成多个温度区；以及在半导体晶圆上形成薄膜
半导体晶圆薄膜温度分布加热半导体参数类型温度区晶圆

[发明专利]一种半导体器件制作方法、设备、半导体曝光方法及系统-CN202110906604.2在审
发明人：杜杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件制作方法、设备、半导体曝光方法及系统。其中，半导体器件制作方法包括：提供半导体晶圆，获取所述半导体晶圆的表面平坦度信息；根据所述半导体晶圆的所述表面平坦度信息，确定所述晶圆的曝光参数；根据曝光参数对所述半导体晶圆进行曝光。该方法与相关技术的在光刻时重复采用固定数值的能量补偿值进行补偿相比，可以对各片晶圆施加实时变化的能量补偿剂量值，对晶圆光刻时的曝光控制更加精细，可以显著改善晶圆关键尺寸均匀性，提升半导体器件的合格率，降低半导体器件制作过程的材料成本
一种半导体器件制作方法设备半导体曝光方法系统

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080012498.3有效
发明人：加藤隆规;中塚功 -专利权人：安森美半导体贸易公司
申请日： 2010-02-25 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法包括：以将被分割为一个一个的半导体装置部的半导体晶圆(22)粘贴在周围被晶圆环(23)支承的切割片(21)上的状态准备半导体晶圆(22)的工序；在将晶圆环(23)输送到用于进行激光印刷的台体(14)之后固定晶圆环(23)的工序；透过切割片及粘接层向构成半导体晶圆(22)的各个半导体装置部的露出半导体材料的主表面照射激光而进行刻印的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法-CN03150857.X无效
发明人：吴庆生;刘金库;丁亚平 -专利权人：同济大学
申请日： 2003-09-05 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法，涉及用模板制取金属硫化物半导体纳米晶的方法。其特点是首先用胶棉液制成厚度均匀并符合设计厚度、大小和形状的半透膜作为人工活性膜模板。最后将反应溶液离心分离，弃去澄清液，留下产物依次用丙酮、去离子水洗涤、自然干燥即得粒径(或直径)为20～200nm、近球形(或棒状)的光、电性能优越的金属硫化物半导体纳米晶。本发明工艺简便、与常规多孔模板工艺相比，效率提高10～100倍以上，条件温和，粒径易控，模板能循环使用，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。
一种金属硫化物半导体纳米制备方法