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[发明专利]光阳极、对电极及其形成的染料敏化太阳能电池-CN201310454778.5无效
发明人：翁韬;钟志勇;马廷丽 -专利权人：营口奥匹维特新能源科技有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种光阳极，包括：第一衬底，并间隔设置电气隔离的至少第一导电层和第二导电层；纳米晶半导体层，分别设置在至少第一导电层和第二导电层上；第一互连线，分别设置在由至少第一导电层上的纳米晶半导体层和第二导电层上的纳米晶半导体层形成的第一有效光照区外侧
阳极电极及其形成染料太阳能电池

[发明专利]半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法-CN202010331607.3在审
发明人：陈哲夫;洪伟华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本揭露的实施例提供一种半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法，制造半导体晶圆的方法包括：移动一晶圆座的多个升降销至一抬升位置；将一半导体晶圆移动至晶圆座上方并放置半导体晶圆在位于抬升位置的升降销之上；利用一摄影组件产生关于半导体晶圆及晶圆座的一影像；根据影像计算半导体晶圆的一位置偏移信息；判断半导体晶圆的位置偏移信息是否介于可接受范围；以及当位置偏移信息介于可接受范围内时，根据所计算的位置偏移信息发送一驱动信号至连结于升降销的一致动器，使致动器驱动半导体晶圆相对晶圆座的位移。
半导体制造系统方法

[发明专利]半导体装置及其应用-CN200810005300.3有效
发明人：刘人诚;杨敦年;洪志明;王文德;庄俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体装置及其应用。此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。
半导体装置及其应用

[发明专利]一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法-CN201510645745.8有效
发明人：吕建国;冯丽莎;江庆军;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜，该薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层，连续薄膜层直接生长在衬底上；纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸，呈现间隔分布的凸起峰和凹陷坑。该薄膜为非晶氧化物半导体ZnTiSnO薄膜。该非晶氧化物半导体薄膜因为具有纳米结构，具有大的比表面积，有望应用于生物传感、气敏、紫外探测等领域。
一种具有纳米结构氧化物半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种四足结构的纳米硒化锌及其制备方法-CN200910196593.2无效
发明人：刘真;马国宏;祝迎春 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种四足结构的纳米硒化锌，该硒化锌纳米晶由两个晶相构成，具体为一个立方晶核和四个均为六方相的对称的分支足。以高纯氮气为运载气，在高温电阻炉的石英管中，于原料区反应温度在1000～1200℃热蒸发反应30～120min，反应后，在石英管中反应时的温区为250～400℃区域收集到的沉积产物，即为四足结构的硒化锌纳米晶材料基于这种成本低廉、操作简单的半导体材料制备，将有可能开发出具备新颖光电性能的新型半导体纳米材料。
一种结构纳米硒化锌及其制备方法

[发明专利]一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法-CN202111097489.5有效
发明人：胡岸;高宇南 -专利权人：北京大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种胶体半导体片状纳米晶体的合成方法。本发明在胶体半导体片状纳米晶体的晶种横向生长过程中，第一次快速注入硫前驱体，通过控制注入硫前驱体的速度和注入量，调控荧光峰，随着在前期硫前驱体的注入量的增加，荧光峰会向更短的波长移动；第二次缓慢注入硫前驱体，从而在胶体半导体片状纳米晶体的侧边生长硫化物保护冠，硫化物保护冠相比与能够发光的胶体半导体片状纳米晶体具有更高的能隙，从而隔绝表面缺陷；并且，胶体半导体片状纳米晶体作为发光核，硫前驱体注入缓慢，使得发光核心与硫化物保护冠间的晶格差异变得平滑
一种胶体半导体片状纳米晶体合成方法

[发明专利]全背电极异质结太阳能电池-CN201210089491.2有效
发明人：吴德清;萧睿中;陈建勋;林景熙;丁密特·萨哈雷夫·丁密措夫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种全背电极异质结太阳能电池，包括一第一导电型硅基板、一第一非晶半导体层、一第二非晶半导体层、一第一导电型半导体层、一第二导电型半导体层以及一第二导电型掺杂区。第一非晶半导体层位在硅基板的受光面上，其为本质半导体层或第一导电型层。第二非晶半导体层位在硅基板的非受光面上，其中第二非晶半导体层为本质半导体层。第一与第二导电型半导体层分别位在第二非晶半导体层上。至于第二导电型掺杂区则位在第二导电型半导体层下方的硅基板内并与第二非晶半导体层接触。
电极异质结太阳能电池

[发明专利]半导体加工设备以及半导体加工监测方法-CN202011436731.2在审
发明人：金东盱;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体加工设备以及半导体加工监测方法，半导体加工设备包括：装载台，用于装载盛放有晶圆的晶舟；摄像装置，摄像装置设置于半导体加工设备内且摄像区域覆盖晶舟，用于拍摄晶圆图像；控制器，控制器与摄像装置电连接，用于接收摄像装置拍摄的晶圆图像和分析晶圆图像并控制半导体加工设备采取应对措施。根据本申请的半导体加工设备，通过在半导体加工设备内设置用于拍摄晶圆图像的摄像装置，从而使半导体加工设备的控制器能够根据拍摄到的晶圆图像判断晶圆是否发生破损现象，当晶圆发生破损现象后，控制器能够控制半导体加工设备采取应对措施
半导体加工设备以及监测方法

[发明专利]晶圆分析方法及晶圆分析装置-CN202210132233.1在审
发明人：夏霜;邱锐;黄敬畏;吴韦志 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆分析方法及晶圆分析装置。所述晶圆分析方法包括如下步骤：获取晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理信息；解析所述处理信息，查找所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段，以及查找所述晶圆在所述半导体机台内进行半导体制程的处理时间段；所述半导体机台出现异常状况的机台异常时刻段与所述晶圆在半导体机台内进行半导体制程的处理时间段重叠，确认所述晶圆为异常晶圆。本公开能够自动化定位异常晶圆，从而提高了半导体机台的产能和晶圆产品的良率。
分析方法装置

[发明专利]一种晶圆减薄方法及装置-CN201710868561.7在审
发明人：黄兴;刘欣宇 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆减薄方法及装置，该方法包括在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻，避免采用研磨盘对半导体衬底研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，切割下来的晶圆能被重复利用切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭又能切割为多个能制作芯片的晶圆，降低生产成本，提高产能。
一种晶圆减薄方法装置

[发明专利]一种半导体晶圆UV固化方法-CN201710878978.1在审
发明人：颜维成;孙虹;李司元 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆UV固化方法，包括以下步骤(1)将含有至少一种掺质的半导体材料熔化后加入半导体晶圆中进行浸浴；再将含有掺质的补充性半导体材料添增在半导体晶圆中进行浸浴；(2)在浸浴的半导体晶圆的正上方布置UV灯组；在UV灯至半导体晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启UV灯，并且在使得UV灯在平行于半导体晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用UV灯发出的UV光照射半导体晶圆表面，以对半导体晶圆进行固化处理。
一种半导体 uv 固化方法

[发明专利]一种基于NiO纳米晶的NO2-CN201811299535.8有效
发明人：刘欢;杨剑弦;杨书琴;罗勰;刘竞尧;胡志响 -专利权人：华中科技大学;中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于NiO纳米晶的NO2气体传感器及其制备方法，其中制备方法具体是将NiO纳米晶溶液涂覆在印有电极的绝缘衬底上，使其均匀成膜得到NiO纳米晶薄膜；接着，在向所述电极施加电压的条件下对该NiO纳米晶薄膜进行热处理；然后，向所述电极施加老化电压持续老化6～10天，即可得到NO2气体传感器。本发明通过对关键气敏层的制备工艺进行改进，得到基于NiO半导体电阻式的气体传感器的薄膜，该气体传感器可以采用陶瓷衬底室温成膜，制作工艺简单，成本低，无需高温(400℃以上)处理，在较低温度下能迅速探测到目标气体的浓度变化，且响应速度快，在半导体式气体传感器中具有良好的应用前景。
一种基于 nio 纳米 no base sub

[发明专利]半导体晶圆的切割方法-CN202111622275.5在审
发明人：黄平尧 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将半导体晶圆固定在旋转台上，并控制所述旋转台旋转；控制涂胶装置的喷嘴在所述半导体晶圆的中心处喷涂UV胶水；其中，喷涂的时间为第一预设时间；控制所述喷嘴在所述半导体晶圆的两侧之间来回喷涂UV胶水；其中，喷涂的时间为第二预设时间；用紫外灯固化所述半导体晶圆表面的UV胶水；固化完成后对所述半导体晶圆进行切割，得到若干个半导体单元；用所述紫外线灯对若干个所述半导体单元进行曝光，并将若干个所述半导体单元的表面与采用本发明实施例，能够在半导体晶圆的切割过程中对半导体晶圆形成保护，以避免半导体晶圆被划伤，提高了良品率。
半导体切割方法

[发明专利]显示器件及具有该显示器件的电子设备及其制造方法-CN200880101885.7有效
发明人：小林聪;宫口厚;守屋芳隆;黑川义元;河江大辅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：具有薄膜晶体管的该显示器件包括：衬底；设置在该衬底上的栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘膜；设置在栅电极上的微晶半导体膜，栅电极与微晶半导体层之间插入有栅极绝缘膜；设置在微晶半导体膜上且与该微晶半导体膜接触的沟道保护层；设置在栅极绝缘膜以及微晶半导体膜和沟道保护层的侧面上的非晶半导体膜；设置在非晶半导体膜上的杂质半导体层；以及设置在杂质半导体层上且与该杂质半导体层接触的源电极及漏电极。非晶半导体膜的厚度大于微晶半导体膜的厚度。
显示器件具有电子设备及其制造方法

[发明专利]半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置-CN201510484272.8在审
发明人：长谷幸敏;森伸一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置。将处于加热状态的半导体晶圆载置于被加热了的保持台。一边以使半导体晶圆向保持台的上方远离的方式保持该半导体晶圆一边进行冷却。在该冷却过程中，一边利用来自保持台的辐射热对被冷却的半导体晶圆的温度、使半导体晶圆的温度降低的速度以及冷却时间进行调整，一边将半导体晶圆冷却。
半导体冷却方法以及装置