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[发明专利]作为高温热电材料的二氧化钛-半金属复合体-CN200980151336.5无效
发明人： M·贝克豪斯-瑞考尔特 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：一种多相热电材料包含二氧化钛基半导体相和半金属导体相。所述多相热电材料优选是一种纳米复合材料，其中组成相均匀地分布，微晶尺寸约为10-800纳米。所述二氧化钛基半导体相可以是已经被半金属导体相部分还原的亚化学计量比的氧化钛相的混合物。本发明还揭示了形成多相热电材料的方法。
作为高温热电材料氧化金属复合体

[发明专利]半导体晶圆破裂的发生率降低方法-CN202110982250.X在审
发明人：藤濑淳;小野敏昭;多久岛武 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：提出晶圆制造工序或元件形成工序中降低半导体晶圆破裂的发生率的方法。是抑制半导体晶圆破裂的发生率的方法，其特征在于，在从半导体锭制造半导体晶圆而在被制造的半导体晶圆上形成半导体元件的工艺中，在第1工序和第2工序之间具备第3工序，在前述第1工序中，在上述半导体晶圆处会形成伤痕，在前述第2工序中，对经过该第1工序的半导体晶圆施加应力而半导体晶圆会破裂，在前述第3工序中，进行弯曲试验来判定半导体晶圆是否破裂，将未破裂的半导体晶圆向前述第2工序搬运，前述弯曲试验为，将与上述第2工序中对半导体晶圆施加的应力对应的应力对半导体晶圆施加
半导体破裂发生率降低方法

[发明专利]在半导体剥离工艺中装片的方法-CN201910767702.5在审
发明人：徐慧军;徐浩;徐成耀 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体剥离工艺中装片的方法，其包括如下步骤：提供一半导体晶圆；晶圆取放装置移动至所述半导体晶圆处，并推动所述半导体晶圆，其中，在所述晶圆取放装置接触所述半导体晶圆时，所述晶圆取放装置相对于所述半导体晶圆的速度为零，以避免所述半导体晶圆震动；所述晶圆取放装置带动所述半导体晶圆移动至预设位置。本发明的优点在于，不存在所述晶圆取放装置撞击所述半导体晶圆的情况，所述半导体晶圆不会由于与所述晶圆取放装置接触而发生震动，从而避免在形成的目标衬底的表面处产生缺陷；同时，也可防止半导体晶圆受到撞击而导致键合片分离及半导体晶圆边缘损伤的情况发生
半导体晶圆取放装置晶圆剥离工艺半导体震动边缘损伤预设位置表面处键合片移动衬底

[发明专利]半导体超薄堆叠结构的制造方法-CN202110544381.X在审
发明人：邱志威 -专利权人：邱志威
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，包含以离子注入形成停止层结构于半导体基板内，再于半导体基板的主动面设置电气元件及内连层，以形成半导体晶圆；将两半导体晶圆的内连层相对且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半导体晶圆的背面去除上方半导体晶圆的部分半导体基板及停止层结构，使上方半导体晶圆形成薄化半导体晶圆，之后逐一在薄化半导体晶圆进行另一半导体晶圆的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆叠另一薄化半导体晶圆，最后对最下方半导体晶圆进行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆叠多层薄化半导体晶圆，满足高积集度要求。
半导体超薄堆叠结构制造方法

[发明专利]半导体封装及其形成方法-CN201910772847.4在审
发明人：郭宏瑞;蔡惠榕;彭竣翔;彭建棠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明实施例公开半导体封装及其形成方法。半导体封装包含至少一个管芯和重布线层。重布线层设置在至少一个管芯上方且电性连接到至少一个管芯，且包含晶种层结构和位在晶种层结构上方的金属特征。在一些实施例中，晶种层结构的边缘从金属特征的边缘突出且具有大于10纳米的表面粗糙度Rz。
半导体封装及其形成方法

[发明专利]一种半导体氧化膜及其制备方法-CN201910249023.9有效
发明人：王超;杨帆;王立光;周路;迟耀丹;高晓红;赵春雷;初学峰;赵阳;艾大鹏;雷蕾;王冶;左欢欢 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
一种半导体氧化及其制备方法

[发明专利]一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法-CN202011364529.3有效
发明人：何军;王枫梅;余鹏 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明提供一种二维层状CuInP2S6半导体材料及其制备方法，所述制备方法包括：1)在碳纤维的表面负载CuInSx纳米晶；所述CuInSx纳米晶由溶剂热合成；2)将步骤1)中负载的CuInSx纳米晶与硫、磷进行化学气相反应，得到二维层状CuInP2S6半导体材料。本发明提供的方法能够制备大面积、高质量的新型二维层状CuInP2S6纳米片和微米片，所述方法制备工艺简单，操作便捷且成本低
一种二维层状 cuinp2s6 半导体材料及其制备方法

[发明专利]纳米结构及其制造方法-CN03821285.4有效
发明人：拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森;约纳斯·比约恩·奥尔松 -专利权人： BTG国际有限公司
申请日： 2003-07-08 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： C30B11/12 文献下载
摘要：通过采用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度部分，将共振隧穿二极管和其它一维电子、光子结构以及机电MEMS装置制成纳米晶须中的异质结构。因此，共振隧穿二极管包括纳米晶须，该纳米晶须在其一端具有籽晶颗粒熔融体并具有纳米尺寸的恒定直径的柱，从而展现出量子局限效应，该柱包括：分别包含发射极和集电极的第一和第二半导体部分、位于第一和第二半导体部分之间的第三和第四部分以及位于第三和第四部分之间并形成量子阱的第五中央部分，其中，第三和第四部分的材料具有不同于第一和第二半导体部分的带隙，第五中央部分的半导体材料具有不同于第三和第四部分的带隙。RTD通过一种方法制成，该方法包括：在衬底上沉积颗粒，并将该籽晶颗粒暴露于处于温度和压力控制条件下的材料中，从而用该籽晶颗粒形成熔融体，因此，该籽晶颗粒在柱的顶端爬升，以形成纳米晶须，该纳米晶须的柱具有纳米尺寸的恒定直径；在柱的生长过程中，有选择地改变所述气体的组分，从而不连续地改变该柱在沿着其长度区域中的材料组分，并同时维持外延生长，其中，所述部分的材料之间的晶格失配通过边界处的晶须沿径向向外膨胀得以调适。
纳米结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法-CN201710879304.3在审
发明人：江富杰;张飞凡 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的清洗方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶；向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次；去除半导体晶圆正面的光刻胶；旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间；再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗；对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理，吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为45℃～65℃，所述吹干处理采用的时间范围为80s～160s。
一种半导体清洗方法

[发明专利]半导体晶圆的刷洗装置和刷洗方法-CN201410352938.X有效
发明人：秦海燕;李儒兴;石强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆的刷洗装置与刷洗方法。半导体晶圆的刷洗装置中，清洗刷与半导体晶圆的旋转中心相接触，且清洗刷的轴线在半导体晶圆上的投影位于非贯穿所述旋转中心的位置处。清洗刷与半导体晶圆的旋转中心相接触，可以在半导体晶圆清洗过程中，避免半导体晶圆中心被遗漏；清洗刷的轴线在半导体晶圆上的投影位于非贯穿所述旋转中心的位置处，避免使得所述半导体晶圆的旋转中心始终位于受压最大的位置处，同时提高半导体晶圆的旋转中心的散热速度，从而可以减少半导体晶圆旋转中心比其他部分产生更高的热量的问题，进而避免在半导体晶圆待刷洗表面的中心位置形成厚度过大氧化层造成半导体晶圆局部被过度氧化的缺陷。
半导体刷洗装置方法

[发明专利]钙钛矿量子点纳米晶的制备及其在量子点太阳电池中的应用-CN201410603541.3有效
发明人：李清华;程园远;金肖;陈子晗 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C09K11/00 文献下载
摘要：本发明公开了钙钛矿量子点纳米晶的制备及其在量子点太阳电池中的应用，采用蒸发溶剂法和溶液法的特点，成功制备出p型半导体：有机铅卤化物钙钛矿量子点纳米晶，通过改变有机/无机反应物之间的配比来调节钙钛矿半导体的能级，通过改变反应温度和反应时间来控制钙钛矿量子点的粒径，使之与n型半导体材料TiO₂能级相匹配，并辅以PEDOT:PSS作为空穴传输材料，组装成高光电转换效率的钙钛矿量子点太阳能电池本发明的优点：钙钛矿合成所需原材料成本低廉，操作简单，反应条件温和，无高温高压反应较为安全，制备晶体稳定、晶型良好，半导体能级人为可控。
钙钛矿量子纳米制备及其太阳电池中的应用

[发明专利]光电转换元件以及光电转换装置-CN201780050299.3有效
发明人：肥后辉明;冈本亲扶;小林正道;石井真人;森健史;松本雄太 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：光电转换元件具备p型或者n型半导体基板(1)、第一面的p型非晶半导体膜(3)以及n型非晶半导体膜(5)、p型非晶半导体膜(3)上的p电极(7)、n型非晶半导体膜(5)上的n电极(8)。p电极(7)与n电极(8)空开间隔配置，p型非晶半导体膜(3)在半导体基板(1)的面内方向上包围n型非晶半导体膜(5)，n电极(8)位于n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧，该n型非晶半导体膜(5)的边缘部(5a)在与p型非晶半导体膜(3)重叠区域，n电极(8)位于重叠区域的n型非晶半导体膜(5)的区域的内侧。
光电转换元件以及装置

[发明专利]光电转换元件-CN201910231029.3在审
发明人：肥后辉明;森健史;东川诚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明的光电转换元件具备半导体基板、n型非晶质半导体层、p型非晶质半导体层、及电极。半导体基板由n型单晶硅构成。p型非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面。n型非晶质半导体层在半导体基板的一侧的面上配置于与p型非晶质半导体层的配置区域不同的区域。电极配置于n型非晶质半导体层上。电极配置于p型非晶质半导体层上。在半导体基板的面内方向上位于相邻的n型非晶质半导体层之间的p型非晶质半导体层沿从n型非晶质半导体层朝向相邻的n型非晶质半导体层的第一方向具有：配置有电极的第一以及第二电极配置区域、及在其间未配置有电极的非电极配置区域
非晶质半导体层半导体基板电极光电转换元件电极配置配置区域配置电极配置区域第二电极内方向

[发明专利]表面等离激元-光-电混合传导纳米异质结构及制备方法-CN201810187105.0在审
发明人：张晓阳;张彤;王善江;薛小枚;周桓立 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种表面等离激元‑光‑电混合传导纳米异质结构及制备方法，该结构包括：激励光源(1)，半导体纳米结构阵列(2)，二维表面等离激元微纳结构(3)，亚波长等离极化激元导波(4)，出射光波(5)，一维表面等离激元微纳结构(6)，导线(7)，金属电极(8)，导电基底(9)，探针分子(10)，原子力显微导电探针(11)和电压源(12)；该方法通过控制金属基底上游离金属离子、空气、水氧实现分布及密度可控的半导体晶种，实现晶种的高度一致化控制，接着通过续生长来严格控制半导体结构的长径比与分布。为研究光与物质相互作用所产生的各种新奇效应提供了新的纳米光学平台。
表面等离激元纳米异质结构微纳结构电混合晶种传导制备半导体纳米结构半导体结构导电探针等离激元二维表面高度一致激励光源极化激元金属电极金属离子纳米光学探针分子光波长径比导电基电压源金属基可控的亚波长原子力出射导波水氧显微半导体上游生长研究

[发明专利]飞秒激光微流道液相烧蚀制备半导体纳米晶的方法-CN201710378912.6有效
发明人：冯国英;杨超;周寿桓 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及利用飞秒激光微流道液相烧蚀制备半导体纳米晶的方法。是一种将飞秒激光液相烧蚀技术与微流体技术相结合的制备功能化纳米晶材料的方法：将飞秒激光聚焦到微流道中流动中的掺杂或本征半导体微米颗粒分散液形成的微流体上，在微流道内部形成烧蚀反应区域，当负载有目标靶材料微米颗粒的分散液经过烧蚀区域时，在微流道内的微小区域内发生烧蚀反应，形成单分散纳米晶，该纳米晶分散液立即流入下部收集装置，收集装置中采用纯溶剂作为分散液体，可获得纳米晶单分散液产物；收集装置中采用表面活性剂溶液作为分散液，可获得具有包覆层的纳米晶分散液
激光微流道液相烧蚀制备半导体纳米方法

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