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[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构-CN202111007834.1有效
发明人：楚明;罗兴安;张莉;王雄禹;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该方法包括：提供基底，基底包括依次层叠的衬底和堆叠结构；在各第一牺牲层的远离衬底的裸露表面上形成第二牺牲层，得到多个预备台阶，第二牺牲层包括层叠的多个第二子牺牲层，且任意相邻的两个第二子牺牲层中，第一个第二子牺牲层的掺杂浓度小于第二个第二子牺牲层的掺杂浓度；在基底的裸露表面上以及各预备台阶的裸露表面上沉积介质材料；将各预备台阶中的第一牺牲层的材料以及第二牺牲层的预定部分的材料分别置换为导电材料，形成多个导电层，置换后的预备台阶为台阶；对形成有多个台阶的基底进行刻蚀，使得各台阶的导电层裸露，形成多个沟槽。该方法保证了制作良率较高。
半导体结构制作方法以及

[发明专利]晶圆边缘保护层的形成方法、三维存储器及其制备方法-CN202010023662.6有效
发明人：马春龙;罗兴安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种晶圆边缘保护层的形成方法、一种三维存储器的制备方法以及一种三维存储器；其中，所述晶圆边缘保护层的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆边缘处形成中间保护层，所述中间保护层通过第一工艺气体与暴露的晶圆材料发生化学反应而生成；在所述中间保护层上形成主保护层。
边缘保护层形成方法三维存储器及其制备

[发明专利]沉积装置及方法-CN202011479958.5有效
发明人：朱燕华;罗兴安 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种沉积装置和方法，其中，所述装置包括：第一气体产生子装置、第二气体产生子装置、第一管路、第二管路、第三管路以及反应腔室；其中，所述第一气体产生子装置，用于产生第一气体；所述第二气体产生子装置，至少用于产生第二气体；在进行沉积工艺处理的过程中，所述第一气体通过所述第一管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以对所述反应腔室中的半导体器件进行沉积工艺处理；在所述沉积工艺处理的过程中，所述反应腔室中的物质不能通过所述第三管路进入所述第二管路和/或所述第二气体产生子装置中；在所述沉积工艺处理完成后，所述第二气体通过所述第二管路以及第三管路被输送至所述反应腔室中，以清洁所述反应腔室。
沉积装置方法

[发明专利]介电结构、制备方法、以及半导体器件-CN202211311095.X在审
发明人：张齐;罗兴安;涂飞飞;王新胜;周毅;刘力挽;杨康 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种介电结构、制备方法以及半导体器件。制备介电结构的方法包括：在基体中形成凹槽；在所述凹槽内形成填充层，其中，所述填充层将所述凹槽的至少部分空间填充；以及使所述填充层的体积收缩，释放所述凹槽被填充的空间中的至少部分空间。
结构制备方法以及半导体器件

[发明专利]存储器及其制作方法、存储器系统-CN202211227337.7在审
发明人：蔡志勇;张子玉;潘杰;罗兴安;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种存储器及其制作方法、存储器系统，所述存储器的制作方法包括：提供半导体层，所述半导体层中设置有多个晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向呈对称分布的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和第二晶体管均包括沿所述第一方向延伸的半导体主体、覆盖所述半导体主体的一个侧面的栅极结构以及分别在所述半导体主体沿所述第一方向上两个端部处的第一电极和第二电极；所述第一方向为所述半导体层的厚度方向；在所述半导体层上利用沉积工艺沉积金属化合物材料层；去除部分金属化合物材料层，形成多个连接结构；每个连接结构与一个第一电极连接；在所述连接结构上形成存储结构。
存储器及其制作方法系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211305392.3在审
发明人：蔡志勇;张子玉;潘杰;罗兴安;周毅;汪亚;邢彦召;明帆;朱宏斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底、在所述衬底上的多个呈阵列排布的硅柱和所述硅柱之间的绝缘结构；在所述硅柱和所述绝缘结构上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，使得每个所述硅柱的顶端形成金属硅化物层；对所述金属硅化物层和所述硅柱进行刻蚀，以将每个所述硅柱刻蚀为两个晶体管柱。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、存储器-CN202211228865.4在审
发明人：蔡志勇;张子玉;潘杰;明帆;罗兴安;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决晶体管与存储单元之间的耦接良率较低的问题。半导体结构包括存储单元、晶体管和导接件。存储单元和晶体管在第一方向上相互间隔设置。晶体管包括靠近存储单元设置的第一极、远离存储单元设置的第二极、以及被配置为控制第一极与第二极之间导通或断开的控制极。导接件的一端与存储单元耦接，导接件的另一端与晶体管的第一极耦接。其中，导接件包括电接触层，电接触层直接或间接与晶体管的第一极耦接，电接触层的面积大于晶体管的第一极中靠近存储单元一侧的表面的面积。上述半导体结构应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
半导体结构及其制备方法存储器

[发明专利]静电吸附装置及晶圆吸附方法-CN201910971651.8有效
发明人：胡淼龙;罗兴安;詹昶 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种静电吸附装置及晶圆吸附方法。所述静电吸附装置包括：卡盘，用于静电吸附晶圆；检测组件，用于检测置于所述卡盘表面的所述晶圆的弯曲度信息；控制器，连接所述卡盘和所述检测组件，用于根据所述弯曲度信息调整施加于所述卡盘的吸附电压。本发明使得即便晶圆出现弯曲也能将其平整的吸附到卡盘表面，确保了后续制程的顺利进行，提高了半导体产品的性能。
静电吸附装置方法

[发明专利]一种半导体结构以及半导体结构的制备方法-CN202210614395.9在审
发明人：施生巍;罗兴安;张育龙;张莉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构以及半导体结构的制备方法，半导体结构包括：器件层；第一介质层，位于所述器件层上；导电层，位于所述第一介质层内；刻蚀停止层，位于所述第一介质层以及所述导电层的表面；第二介质层，位于所述刻蚀停止层上；以及接触金属，贯穿所述第二介质层以及所述刻蚀停止层，与所述导电层导电连接；其中，所述刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层以及第二刻蚀停止层。本公开的刻蚀停止层包括层叠的第一刻蚀停止层和第二刻蚀停止层，以改善所述导电层表面产生孔洞的问题。
一种半导体结构以及制备方法

[实用新型]一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台-CN202122533559.9有效
发明人：方迪;涂文骏;罗兴安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台，静电吸附装置包括支撑件、吸附环以及至少一导电件，吸附环设置于支撑件上，吸附环用于承载晶圆；导电件与吸附环电性连接，导电件用于向吸附环供电，以使吸附环以静电吸附的方式吸附晶圆。本申请实施例中，吸附环与晶圆接触，吸附环带电后，晶圆会被吸附在吸附环上，进而使得晶圆的翘曲度变小，让晶圆处于相对平坦的状态，能够让沉积在晶圆表面的薄膜厚度更加均匀，静电吸附装置吸附晶圆的过程简单、易操作且能够节约成本。
一种静电吸附装置以及薄膜沉积机台

[发明专利]一种膜层沉积方法-CN202110012080.2有效
发明人：桂铭阳;罗兴安;张春雷;蒋志超;胡淼龙;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本申请提供一种膜层沉积方法，基于等离子体气相沉积，包括：将待形成膜层的元件暴露在等离子体腔室中；提供等离子体；通入膜层生成气体，在所述等离子体的作用下，所述膜层生成气体在所述待形成膜层的元件表面形成膜层；间断性地对所述等离子体腔室进行抽气，在抽气阶段，所述腔室内保持预设真空度。由于在等离子体沉积过程中，进行抽气体过程，抽气过程对等离子体场分布造成影响，使得等离子体场分布相对于现有技术中的不均匀而言，较为杂乱随机，从而使得等离子体轰击晶圆的区域相对均匀，进而使得膜层沉积在晶圆表面的厚度相对于现有技术而言，更加均匀，使得晶圆受到膜层的应力较为均匀，改善了晶圆发生形变和破片的情况。
一种沉积方法

[实用新型]反应装置及化学气相沉积设备-CN202123367692.8有效
发明人：张齐;罗兴安;涂飞飞;詹昶;王新胜;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种反应装置及化学气相沉积设备，应用于化学气相沉积工艺，所述反应装置包括：壳体，具有反应腔室；及吹扫件，设置于所述反应腔室内，用于在化学气相沉积工艺过程中在所述反应腔室内吹出保护气体。本申请实施例吹扫件可以吹出保护气体，且吹出的保护气体将反应腔室的内壁与反应腔室内的反应气体尽量隔开，以尽量避免反应气体产生的挥发性物质沉积到反应腔室的内壁上，减小反应腔室的内壁形成沉积膜的概率，进而减小晶圆膜层的颗粒度，提高晶圆的成膜质量。
反应装置化学沉积设备

[实用新型]喷洒结构及喷洒装置-CN202122641588.7有效
发明人：张齐;涂飞飞;罗兴安;詹昶;王新胜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B05B1/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种喷洒结构及喷洒装置，用于向待处理样品喷洒流体。喷洒结构包括第一管体以及第二管体，第一管体具有中轴线，第一管体包括第一管侧壁、连接于第一管侧壁一端的第一管端壁，第一管侧壁与第一管端壁围设形成第一腔室，第一管侧壁靠近第一管端壁的一端开设有至少一个第一通孔，第一管端壁开设有至少一个第二通孔，第二管体至少部分位于第一腔室，第二管体的一端与第一管端壁连接。通过该设计，能够有效减少喷洒至待处理样品表面的流体分布不均匀的现象。
喷洒结构装置

[实用新型]一种薄膜应力测试装置-CN202122676509.6有效
发明人：施生巍;饶少凯;罗兴安;张莉;周毅;王超;锁志勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01L1/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜应力测试装置，包括支撑座；样品台，样品台的顶部设置有用于承载基片的承载台面，样品台与支撑座转动连接，且样品台绕其中心轴旋转；用于发射激光束的激光发射装置，激光发射装置设置于承载台面的上方；激光探测装置，设置于所述承载台面的上方。本申请实施例中的样品台可以绕其中心轴旋转，使激光探测装置能够检测基片在各个径向上的曲率半径，从而能够拟合出基片整个表面的薄膜应力分布图。
一种薄膜应力测试装置

[发明专利]制备三维存储器的方法-CN202110733075.0有效
发明人：龙洋;胡淼龙;罗兴安;张高升 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本申请公开了制备三维存储器的方法。该方法包括：在衬底上形成下部叠层结构并且在下部叠层结构的远离衬底的一侧上形成连接层；形成穿透下部叠层结构的第一沟道孔和穿透连接层的贯穿孔；利用扩孔插塞作为蚀刻阻挡结构扩大贯穿孔的至少部分的孔径，以形成第二沟道孔；以及利用气体对第二沟道孔的内侧表面的至少部分以及扩孔插塞的侧表面的至少部分中的至少之一进行表面处理改性。通过根据本申请的制备三维存储器的方法，能够在后续加工工艺中减少对下部叠层结构中的沟道孔的内侧壁的损伤。
制备三维存储器方法

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