[发明专利]改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法在审
| 申请号： | 201811309450.3 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN109461651A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 吴成龙;罗清威;李赟;周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法，硅化物阻挡层包含第一阻挡层、第二阻挡层与第三阻挡层，在对所述硅化物阻挡层进行刻蚀时，第一次刻蚀去除所述第三阻挡层，此时所述第二阻挡层作为刻蚀停止层，第二次刻蚀去除所述第二阻挡层，此时所述第一阻挡层作为刻蚀停止层，第三次刻蚀去除所述第一阻挡层。将所述硅化物阻挡层分为三层，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层分别作为第一次刻蚀与第二次刻蚀时的刻蚀停止层，能够避免对所述第三阻挡层以及所述第二阻挡层造成过刻蚀，从而有效避免过刻蚀造成的缺陷，由此提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 硅化物阻挡层 刻蚀 刻蚀停止层 去除 刻蚀缺陷 过刻蚀 器件性能 三层 | ||
【主权项】：
1.一种改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，并在所述衬底上形成沟槽；形成硅化物阻挡层，所述硅化物阻挡层覆盖所述沟槽的侧壁、底部以及所述衬底的上表面，所述硅化物阻挡层包含依次位于所述衬底上的第一阻挡层、第二阻挡层与第三阻挡层；进行第一次刻蚀，去除所述沟槽内的所述第三阻挡层至暴露出所述第二阻挡层；进行第二次刻蚀，去除所述沟槽内的所述第二阻挡层至暴露出所述第一阻挡层；以及，进行第三次刻蚀，去除所述沟槽内的所述第一阻挡层至暴露出所述沟槽，形成暴露所述沟槽的图形化的硅化物阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811309450.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
