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[发明专利]光学邻近效应修正方法及相应的掩膜图形形成方法-CN201110456959.2有效
发明人：万金垠;王谨恒;张雷;陈洁 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近效应修正方法，包括模拟预期光刻图形，获得所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差，依据所述差调整所述预期光刻图形，依据所述差对预期光刻图形进行调整包括根据模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差与调整因子之间的预设关系，获得与所模拟形成的光刻图形与预期光刻图形的差相对应的调整因子，由所述差与所述调整因子相乘获得所述预期光刻图形的调整量，以及根据该调整量调整所述预期光刻图形。依据该方法可避免预期光刻图形在形成硅片表面的光刻图形后产生偏差。
光学邻近效应修正方法相应图形形成

[发明专利]修正光刻胶图形误差的方法-CN200810113982.X有效
发明人：陈海华;黄怡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种修正光刻胶图形误差的方法，包括下列步骤：根据密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的电路图形尺寸，依次执行第一光刻胶修剪步骤、第二光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形或依次执行第二光刻胶修剪步骤、第一光刻胶修剪步骤修剪光刻胶图形；检测所述光刻胶图形，若所述密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形中相同电路图形的尺寸差异超过跨栅距蚀刻偏差的范围，则重复上述步骤，其中，所述第一光刻胶修剪步骤与第二光刻胶修剪步骤中密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的蚀刻速率比较结果相反所述修正光刻胶图形误差的方法减小了密集型分布光刻胶图形和稀疏型分布光刻胶图形的尺寸差异，提高了光刻工艺的精度。
修正光刻图形误差方法

[发明专利]一种光刻对准方法-CN201710961708.7在审
发明人：黄涛 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻对准方法，包括：S1在待光刻基底上进行第一道光刻工序得到第一光刻图形，第一光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S2在第一光刻图形表面进行第二道光刻工序得到第二光刻图形，第二光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记；S3在第二光刻图形表面进行第三道光刻工序得到第三光刻图形，其中，当其不为最后一道光刻工序，则第三光刻图形中包括下一道光刻工序的对位标记，否则不包括下一道光刻工序的对位标记。采用一对一的光刻对准方法，将误差限定在每一次的光刻中，得到的图形不会超出上次的光刻图形，避免累积误差，极大地提升制程稳定性与良率确保光刻机对准精度内的图形设计对准精确，不出现图形偏移。
光刻图形光刻工序光刻对位标记对准累积误差图形设计光刻机偏移一对一基底良率制程

[发明专利]阵列基板的制作方法-CN201510696367.6在审
发明人：杨丽娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：所述制作方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成第一光刻胶图形；在第一金属层上形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错；在第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的保护下，对第一金属层进行刻蚀本发明通过分别在第一金属层上形成第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形至少部分交错，分别形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形比一次形成的光刻胶图形的图形密度低，采用同样的曝光设备，形成的第一光刻胶图形和第二光刻胶图形的图形质量较好，避免了形成的布线区引线短路或断路。
阵列制作方法

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版-CN201910742911.4在审
发明人：王辉;张雪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的掩模版，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构，曝光光强越大的区域光刻图形的侧壁的高度越低以及曝光光强越小的区域光刻图形的侧壁的高度高，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌。本发明还公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法。本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形侧壁形貌掩模版曝光光侧壁掩模版图形图形结构侧面逐渐变化光刻工艺

[发明专利]一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置-CN201810097795.0在审
发明人：胡海峰;张明;丁贤林;马伟杰;刘欢 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G03F1/30 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、显示基板及其制作方法和显示装置，该制作方法包括：在基底上形成膜层和光刻胶层；对光刻胶层进行曝光并显影，形成光刻胶图形，光刻胶图形包括第一光刻胶图形和第二光刻胶图形，第一光刻胶图形对应待形成的膜层图形，第二光刻胶图形位于第一光刻胶图形的至少相对的两侧，与第一光刻胶图形间隔设置；对待构图的膜层进行湿刻，使得第一光刻胶图形和第二光刻胶图形之间的膜层被刻蚀，第二光刻胶图形下方的膜层从基底上脱离，第一光刻胶图形下方的膜层形成膜层图形采用上述方法形成的膜层图形，能够避免底切问题，从而提高了显示产品良率及性能。
光刻胶图形膜层膜层图形显示基板显示装置掩膜版基底制作光刻胶层间隔设置显示产品刻胶层底切刻蚀良率显影曝光脱离

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]光刻热点图形的数据增强及检测、检测模型的训练方法-CN202310520329.X在审
发明人：马铂杰;粟雅娟;韦亚一 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻热点图形的数据增强及检测、检测模型的训练方法，光刻热点图形的数据增强方法包括：获取多个光刻热点图形，并确定所述多个光刻热点图形中每个光刻热点图形的类别；基于每一类光刻热点图形，确定每一类光刻热点图形对应的预训练好的生成对抗网络；基于所述预训练好的生成对抗网络，确定所述每一类光刻热点图形的增强样本。基于此，实现得到大量且有效的光刻热点图形数据。
光刻热点图形数据增强检测模型训练方法

[发明专利]不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法-CN200810043687.1有效
发明人：陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法，包括以下步骤：(1)在标准光刻掩模板上平行放置两排测试图形：第一排测试图形为参考光刻倍率对应的外框测试图形；第二排测试图形为对比光刻倍率对应的内框测试图形；(2)用参考光刻倍率的光刻机对准第一排测试图形，进行第一次光刻工艺，在硅片上形成外框光刻图形；(3)用对比光刻倍率的光刻机对准第二排测试图形，进行第二次光刻工艺，形成内框光刻图形；(4)测量外框光刻图形和内框光刻图形的套刻差本发明不需要标准片即可测得不同倍率光刻机之间的套刻精度偏差，避免多块标准光刻版在反复使用之后引入的套刻偏差。
不同倍率光刻之间精度测量方法

[发明专利]光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质-CN202211449698.6在审
发明人：陈恩浩;汪珊;周创 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻图形形成方法、装置、电子设备和可读存储介质，涉及集成电路技术领域。其中，光刻图形形成方法包括：基于待光刻层需绘制的目标图形的图形特征，配置出对应的多组光刻修整操作；执行所述多组光刻修整操作，得到对应的多组光刻图形，以由所述多组光刻图形构成所述目标图形，其中，所述多组光刻图形中的至少两组光刻于所述待光刻层的表面上通过本公开的技术方案，能够将复杂的目标图形拆分为多个较简单的子图形，而简单的子图形有利于降低对工艺窗口的极限要求，进而保证光刻成型的轮廓、线宽粗糙度以及边缘粗糙度等参数的质量，以降低光刻过程产生缺陷的概率
光刻图形形成方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]形成不同图形密度的光刻方法-CN200710094316.1有效
发明人：陈华伦;陈雄斌;陈瑜;熊涛;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成不同图形密度的光刻方法，用于刻蚀宏负载效应测试，该光刻方法至少使用两块具有不同图形密度的光刻掩膜版，其中至少一块光刻掩膜版上具有测试图形，在硅片上的某个成阵列的不同单元内利用上述不同图形密度的光刻掩膜板按预定的位置光刻，使该阵列形成图像均匀的光刻图形，最终得到整体光刻图形密度。通过至少两块具不同图形密度的光刻掩膜版在基本单元上组合光刻，形成具有图形密度不同的整体光刻图形，有效了减少了研究刻蚀宏负载过程中光刻掩膜版的数量，降低研究成本。
形成不同图形密度光刻方法

[发明专利]一种光刻辅助图形的设计方法-CN201710928912.9有效
发明人：陈志刚;刘隽瀚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻辅助图形的设计方法，包括以下步骤：S01：在掩模板基体中形成光刻辅助图形，所述光刻辅助图形的上表面和掩模版基体的上表面齐平；S02：在上述掩模板基体含有光刻辅助图形的一侧形成工艺图形，所述工艺图形的位置与光刻辅助图形在垂直方向上不重合。本发明提供的一种光刻辅助图形的设计方法，将光刻辅助图形和工艺图形设置在不同的平面上，从而避免光刻辅助图形和工艺图形位于同一聚焦平面，减少产生鬼影的风险，并且能够更好地控制光刻辅助图形的尺寸，增强散射效果
一种光刻辅助图形设计方法

[发明专利]T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法及T型栅制作方法-CN201810079573.6在审
发明人：闫未霞 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种T型光刻图形的根部腔壁角度调整方法，T型光刻图形包括栅脚光刻图形和栅帽光刻图形，其特征在于，包括以下步骤：利用等离子去胶机轰击栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁，使栅脚光刻图形和/或栅帽光刻图形的根部腔壁角度为85～100度。
光刻图形腔壁栅帽光刻图形栅脚角度调整半导体制造技术等离子去胶工作频率寄生电容减小轰击制作申请

[发明专利]光刻胶图形的灰化方法-CN201410310233.1有效
发明人：张海洋;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图形的灰化方法，包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成至少两次光刻胶图形；每次形成光刻胶图形后，以相应的光刻胶图形为掩膜，对衬底进行离子掺杂，相应光刻胶图形中会掺杂入不同含量的掺杂离子；离子掺杂后，采用含有氢气的灰化气体灰化相应的光刻胶图形，掺杂入不同含量离子的光刻胶图形所采用的灰化气体中氢气的含量不同。本发明的有益效果在于，可以减小对衬底的影响；对光刻胶图形的灰化速率也相对较高；此外，增加控制灰化光刻胶图形的灵活度，调整灰化光刻胶图形的速率与灰化光刻胶图形的彻底程度。
光刻图形灰化方法

[发明专利]表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质-CN202310118541.3在审
发明人：马乐;韦亚一;张利斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种表面等离子体光刻掩膜图形优化方法、装置、系统和介质，训练集包括：历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸；利用训练集学习历史目标光刻胶图形的特征尺寸和历史实际光刻胶图形的特征尺寸之间的映射关系；将当前目标光刻胶图形的特征尺寸输入预先训练的神经网络模型，输出当前仿真光刻胶图形的特征尺寸；计算当前目标光刻胶图形的特征尺寸和当前仿真光刻胶图形的特征尺寸之间的第一误差值；利用多元优化算法确定当前掩膜图形的优化步长；根据当前目标光刻胶图形的特征尺寸和当前掩膜图形的优化步长，得到优化后掩膜图形的特征尺寸。神经网络模型可对光刻掩膜图形进行快速优化，以高效的方式降低了图形误差。
表面等离子体光刻图形优化方法装置系统介质

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