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[发明专利]芯片、芯片制备方法及电子器件-CN202110845637.0在审
发明人：葛孝昊;肖婷;林苡任;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：其中芯片，包括衬底层、埋氧层以及N型漂移层，N型漂移层包括接近于所述衬底层的第一侧以及远离所述衬底层的第二侧，所述第二侧形成有第一阳极区以及第二阳极区，在第一阳极区以及第二阳极区之间形成有介电区，所述介电区包括密集分布的形成于所述N型漂移层的点缺陷。与现有技术相比，通过在介电区内形成点缺陷提高介电区内的电阻，进而抑制第一阳极区与第二阳极区之间电子的移动，进而减弱芯片的电压折回现象，提高芯片整体的稳定性。
芯片制备方法电子器件

[发明专利]透射型偏振元件以及使用该透射型偏振元件的复合偏振片-CN200780028957.5无效
发明人：橘高重雄;中泽达洋;田中智;池内一智;常友启司 -专利权人：日本板硝子株式会社
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：由在其一侧的表面具有多个山形截面的隆起(2)平行排列的结构的介电体基板(3)、形成于多个山形截面的隆起(2)的表面的由光吸收性物质形成的薄膜(4)、和将由光吸收性物质形成的薄膜(4)的与介电体基板(3)相反侧的表面覆盖的第1介电体物质层(5)构成透射型偏振元件(1)。该透射型偏振元件(1)使垂直射入介电体基板(3)的光中的磁场的振动方向与隆起(2)的长度方向相同的TM偏振光成分透过、并将电场的振动方向与隆起(2)的长度方向相同的TE偏振光成分吸收。由此，能够以简易的构成提供回光少且耐久性优异的能用作偏振片的透射型偏振元件。
透射偏振元件以及使用复合

[发明专利]多孔质材料-CN02120374.1无效
发明人： M·K·加拉格尔;R·H·戈尔;A·A·拉莫勒;游宇建 -专利权人：希普利公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了具有低介电常数＞30％孔洞以及封闭型单元孔结构的多孔性介电材料，以及制备该多孔性介电材料的方法。该材料特别适用于制造电子组件。
多孔材料

[发明专利]一种双叠层MOS-HEMT-CN201811022447.3在审
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种双叠层MOS‑HEMT，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层以及GaN层，所述GaN层的上表面从左到右有依次设置有第一n型重参杂氮化镓层、AlGaN层、第二n型重参杂氮化镓层，所述第一n型重参杂氮化镓层的上表面设置有源极，所述第二n型重参杂氮化镓层的上表面设置有漏极，所述AlGaN层的上表面从下至上依次层叠设置有介电层和绝缘层，所述绝缘层上设有栅极，所述栅极贯穿绝缘层，并延伸至所述介电层，所述介电层为High‑k材料。本发明通过绝缘层防止穿隧电流，并搭配high k材料制成的介电层可以更促进组件特性减少衬底漏电流，从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。
绝缘层氮化镓层介电层上表面依次层叠衬底叠层穿隧电流提高组件依次设置组件功率组件特性缓冲层漏电流漏极源极搭配贯穿延伸

[发明专利]具有集成PN二极管温度传感器的半导体器件-CN201811480537.7在审
发明人： M.哈里逊;G.辛纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：半导体衬底，其具有带有一个或多个晶体管单元的第一区和没有晶体管单元的第二区；半导体衬底的第一区和第二区上的第一介电材料；第一介电材料上面的第二介电材料；在半导体衬底的第二区上的第一介电材料中形成的pn二极管；多个第一接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的p型区中以使得该p型区毗连每个第一接触的侧壁；以及多个第二接触，其从pn二极管上延伸并且延伸到pn二极管的n型区中以使得该n型区毗连每个第二接触的侧壁
介电材料衬底半导体半导体器件晶体管单元延伸第一区毗连侧壁温度传感器

[发明专利]基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源电路结构及其制备方法-CN202310607008.3在审
发明人：吴汪然;张宇振;俞祚旭;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：制备方案包括：获取衬底；在所述衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极介电层；在所述栅极介电层上形成IGZO有源层；在所述栅极介电层上形成ITO有源层；在所述栅极介电层上形成通孔；在所述IGZO/ITO本发明还提供了一种基于金属氧化物半导体薄膜晶体管的基准电压源结构，包括增强型IGZO薄膜晶体管(M1)、耗尽型ITO薄膜晶体管(M2)。创新地利用增强型IGZO薄膜晶体管、耗尽型ITO薄膜晶体管提供了一种柔性基准电压源电路的方案和思想。
基于金属氧化物半导体薄膜晶体管基准电压电路结构及其制备方法

[发明专利]互补式金属氧化物半导体元件的制造方法-CN201010275235.3有效
发明人：叶秋显;杨建伦;简金城;洪连发;高昀成 -专利权人：联华电子股份有限公司;科林研发股份有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数介电层与金属栅极的互补式金属氧化物半导体元件的制造方法。此方法为，在基底中形成隔离结构，以定义出第一型、第二型金属氧化物半导体区。然后，在基底上依序形成界面层与高介电常数介电层。接着，在第一型、第二型金属氧化物半导体区的高介电常数介电层上分别形成第一、第二覆盖层。随后，在部分的第一、第二覆盖层上分别形成第一、第二栅极堆叠结构。然后，进行原位湿式蚀刻步骤，依序使用第一蚀刻液，蚀刻第一、第二覆盖层，以及使用第二蚀刻液，蚀刻高介电常数介电层与界面层，至暴露出基底。其中，第二蚀刻液中为包含第一蚀刻液的混合蚀刻液。
互补金属氧化物半导体元件制造方法

[发明专利]阵列基板及液晶显示器-CN200710152082.1有效
发明人：赵志伟;翁健森;彭佳添 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及液晶显示器，该阵列基板具有显示区与环绕显示区的外围区，包括：多个薄膜晶体管设置于显示区上，以及至少一光电转换元件设置于外围区上，其中该薄膜晶体管包括：第一半导体层，具有通道区与通道区两侧的源极/漏极区；栅极介电层覆盖于该第半导体层上；以与门极层设置于栅极介电层上，且位于通道区上方，该光电转换元件包括：第二半导体层，具有P型掺杂区、N型掺杂区以及未掺杂区夹设于P型与N型掺杂区之间；第一介电层设置于第二半导体层上；以及反射层设置于第一介电层上
阵列液晶显示器

[实用新型]一种双叠层MOS-HEMT-CN201821444193.X有效
发明人：郭建廷;李方红;常嘉兴 -专利权人：深圳市科创数字显示技术有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双叠层MOS‑HEMT，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层以及GaN层，所述GaN层的上表面从左到右有依次设置有第一n型重参杂氮化镓层、AlGaN层、第二n型重参杂氮化镓层，所述第一n型重参杂氮化镓层的上表面设置有源极，所述第二n型重参杂氮化镓层的上表面设置有漏极，所述AlGaN层的上表面从下至上依次层叠设置有介电层和绝缘层，所述绝缘层上设有栅极，所述栅极贯穿绝缘层，并延伸至所述介电层，所述介电层为High‑k材料。本实用新型通过绝缘层防止穿隧电流，并搭配high k材料制成的介电层可以更促进组件特性减少衬底漏电流，从而减少组件功率散逸，提高组件的稳定性。
绝缘层氮化镓层介电层上表面本实用新型依次层叠衬底叠层穿隧电流提高组件依次设置组件功率组件特性缓冲层漏电流漏极源极搭配贯穿延伸

[发明专利]一种基于介电特性测量的牛奶含脂类型判断方法-CN201910406615.7在审
发明人：肖夏;刘雨;于群;刘冠聪 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于介电特性测量的分辨牛奶种类的方法，包括下列步骤：测量多种全脂牛奶，得到介电特性与频率的关系，建立全脂牛奶曲线模型库；测多种已经知道是否是全脂牛奶还是非全职牛奶类型的牛奶试样，得到各自介电特性与频率的数据，对实验数据进行回归分析，得到各种牛奶试样的介电特性曲线；把各种牛奶试样的介电特性曲线和全脂牛奶模型曲线进行匹配，用拟合优度R²来衡量曲线匹配程度；对于类型未知的牛奶试样，辨别其是否为全脂型牛奶
介电特性牛奶试样全脂牛奶牛奶介电特性测量匹配回归分析模型曲线拟合优度曲线模型实验数据全脂分辨辨别测量衡量

[发明专利]影像传感器及其制造方法-CN200610005888.3无效
发明人：黄明山;钟祥珉;汪嘉将;林有均;邱文宗;陈鸿年 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2006-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种影像传感器，包括基底、多个导电块、第一型掺杂层、本征层(intrinsiclayer)及透明电极层。导电块设置于基底上。介电层设置于相邻两个导电块之间。第一型掺杂层覆盖于导电块及介电层上。本征层设置于第一型掺杂层上。透明电极层设置于第一型掺杂层上。
影像传感器及其制造方法

[发明专利]扇出型封装结构及封装方法-CN202011626286.6在审
发明人：李尚轩 -专利权人：南通通富微电子有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本申请公开了一种扇出型封装结构及封装方法，包括芯片，芯片上设置多个焊盘，第一介电层设置在芯片设有焊盘的面上，第一介电层上设有第一通孔；第二介电层设置在第一介电层上，第二介电层上设有第二通孔；重布线金属层，设置在第二介电层上且填充第一通孔和第二通孔。根据本申请实施例提供的技术方案，第一介电层设置的第一通孔可匹配芯片上较小的输入输出引脚，第二介电层设置的第二通孔可增加电流专用通量，进一步达到优化产品性能的目的，两层介电层可以消除该封装工艺中的高度限制进而达到产品的需求，同时，较高的介电层高度能够有效的保护芯片正面，避免在测试阶段时芯片接收的正面应力，使得在封装过程中实现产品的快速导入。
扇出型封装结构方法

[发明专利]基于介电型电活性聚合物的双波浪形负泊松比结构-CN201710422431.0有效
发明人：王源隆;赵万忠;周冠;王春燕 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介电型电活性聚合物的双波浪形负泊松比结构，由双波浪形负泊松比元胞阵列，该元胞分别由波浪形肌腱（101‑105）和骨骼（106‑110）构成。肌腱由介电型电活性聚合物制成，为一夹芯板结构，其中夹芯材料为介电弹性体，两侧为柔性电极，骨骼的杨氏模量比肌腱材料大。由于介电型电活性聚合物的机械状态和静电状态是相互耦合的，因此能实现机械能与电能之间的相互转换，实现双波浪形负泊松比结构的结构实时可变、致动、能量回收和传感等功能。
基于介电型电活性聚合物波浪形泊松比结构

[实用新型]堆叠型电容器-CN202021316430.1有效
发明人：杜嘉杰;魏蓉晖 -专利权人：东佳电子（郴州）有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种堆叠型电容器，包括多个电容单元及导线架，每个电容单元包括正极部、介电层、绝缘部及负极部，导线架包括正极部分与负极部分，介电层包覆正极部的表面，绝缘部包覆介电层的部分表面，负极部设置于绝缘部的后端并包覆介电层的部分表面，绝缘部突出于负极部，多个电容单元的正极部电性连接至导线架的正极部分，多个电容单元堆叠于导线架的负极部分，相邻二个电容单元是透过绝缘部错位设置，且多个电容单元的负极部电性连接负极部分。借此，可使得多个电容单元的前端稳固连接，提升堆叠型电容器的性能。
堆叠电容器

[发明专利]由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构-CN01822901.8有效
发明人： S·M·盖茨;J·C·赫德里克;S·V·尼塔;S·普鲁肖特哈曼;C·S·蒂贝格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-10 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。
二种旋涂式介电材料组成混合式互连结构