专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]提供基于场景特性动态组件的装置和方法-CN201510735294.7在审
  • 叶光焜;吴克清 - 用友网络科技股份有限公司
  • 2015-11-03 - 2016-03-23 - G06F9/44
  • 本发明公开了一种提供基于场景特性动态组件的装置和方法,其中,提供基于场景特性动态组件的装置,包括:多个特性组件、抽象特性组件特性接口和特性处理模型;多个特性组件:为平等式特性结构,特性组件根据特性属性进行分类,且每个特性组件的特征封装成一类特性算法;抽象特性组件:接收特性组件特性算法,并定义多个特性组件的共同点,根据定义的共同点抽象出一个公共特性模板,从而定义特性算法的实现步骤;特性接口:根据多特性的字段结构和用途,抽象得出的,为特性处理模型调用特性算法提供接口;特性处理模型:负责调用具体的特性算法类对象。
  • 提供基于场景特性动态组件装置方法
  • [发明专利]可改善组件特性的高压组件的制造方法-CN03128823.5无效
  • 高荣正 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2003-05-23 - 2004-11-24 - H01L21/336
  • 本发明揭露一种可改善组件特性的高压组件的制造方法,其系在一已形成有漂移区域的半导体基底上形成一薄氧化层、一氮化硅层及一图案化光阻层,并以此图案化光阻层为掩膜,蚀刻氮化硅层后去除该图案化光阻层;接着在半导体基底上形成一磷玻璃层,并将磷离子高温驱入其下方基底中而形成一磷离子掺杂区,完成后即可去除磷玻璃层、氮化硅层及薄氧化层;然后在半导体基底上依序形成场氧化层、栅极结构与源极/偶极等组件。本发明利用具有梯度分布磷离子掺杂区的漂移区域结构来提高崩溃电压,并增高组件的驱动电流。
  • 改善组件特性高压制造方法
  • [发明专利]一种计算串并联光伏组件输出特性的方法-CN201810390247.7有效
  • 刘富光;张臻;赵远哲;吴军;祝曾伟 - 河海大学常州校区
  • 2018-04-27 - 2022-04-26 - G06F30/20
  • 本发明公开了一种计算串并联光伏组件输出特性的方法,首先根据组件基本参数及环境参数对电池模型参数进行求解,其次以单个电池片为基本单元,根据串联电路电流相同,对串联电池支路进行输出特性分析,得到串联支路的输出特性,再以遮挡类型相同的电池子串为基本单元,求解子串参数,最后根据并联电路电压相同,对并联电池支路进行特性分析,从而得到串并联光伏组件的输出特性。本发明的方法能够计算出串并联光伏组件在不同辐照和不同遮挡下的I‑V,P‑V特性曲线,从而得到不同状态下组件的输出特性,能及时了解不同环境下组件输出功率的变化,有效的避免了外界环境对测量带来的影响。
  • 一种计算串并联组件输出特性方法
  • [发明专利]太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法-CN201110054530.0有效
  • 沈辉;杨阳 - 中山大学;常州天合光能有限公司
  • 2011-03-08 - 2011-09-14 - G01R31/26
  • 本发明涉及一种太阳电池或组件的IV特性模拟测试方法,具有如下步骤:(1)光学模拟:计算得到光生载流子速率,(2)半导体器件模拟:构建太阳电池或组件的微单元,得到微单元的J-V特性;(3)电路模拟:微单元作为电压控制电流源G,电阻Rf、电阻Rb将多个电压控制电流源G串联起来形成整片太阳电池或整个组件的模拟电路,在模拟电路的主栅测试点和背电极间进行电压扫描并跟踪记录电流,得到整片太阳电池或整个组件的I-V特性。本发明有效解决太阳电池或组件特性IV特性模拟的复杂性,太阳电池或组件的IV特性测试简单快捷。
  • 太阳电池组件iv特性模拟测试方法

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