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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310297938.X有效
发明人：杨智超;S·M·盖茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其形成方法。提供了一种反熔丝结构，在该反熔丝结构中，在设置于互连电介质材料中的多个开口中的一个开口内嵌入反熔丝材料衬里。该反熔丝材料衬里位于同样存在于所述开口内的第一导电金属和第二导电金属之间。扩散阻挡衬里将所述第一导电金属与所述互连电介质材料的任何部分分开。所述反熔丝结构与互连结构横向邻近，该互连结构形成在与所述反熔丝结构相同的互连电介质材料中。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有高机械强度的介电材料-CN201310007865.6无效
发明人： S·M·盖茨;A·格里尔;E·T·赖恩 -专利权人：国际商业机器公司;环球铸造有限公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及具有高机械强度的介电材料。描述了一种多相超低k电介质方法，其包含第一前体和第二前体、在PECVD腔中的高频射频功率以及包括紫外辐射的能量后处理，所述第一前体包含含有基团Si-(CH2)n-Si的碳硅烷和烷氧基碳硅烷分子中的至少一种，其中n是整数1、2或3，所述第二前体含有基团Si-R*，其中R*是嵌入的有机致孔剂。一种具有范围分别为2.2到2.3、2.3到2.4、2.4到2.5和2.5到2.55的k以及大于5、6、7.8和9GPa的弹性模量中的至少一个的超低k多孔SiCOH介电材料，以及一种包括具有如上描述的多孔SiCOH介电材料的互连布线的半导体集成电路。
具有机械强度材料

[发明专利]具有受控的双轴应力的超低介电常数层-CN200680002276.7有效
发明人： C·D·迪米特罗普洛斯;S·M·盖茨;A·格里尔;M·W·莱恩;E·G·利宁格;刘小虎;S·V·恩古源;D·A·诺伊迈尔;T·M·肖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-12 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。
具有受控应力介电常数

[发明专利]SiCOH电介质材料和成形方法-CN200710002003.9有效
发明人： D·A·纽梅尔;A·格利尔;S·M·盖茨;阮山文;V·V·帕特尔;A·阿夫扎里－阿达卡尼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：在半导体器件制造中可用的多孔复合材料，其中孔的直径(或特征尺寸)和孔尺寸分布(PSD)以纳米规模方式控制并且呈现改进的粘结强度(或者相等地，改进的断裂韧性或降低的脆性)和提高的对诸如应力腐蚀开裂、Cu的进入和其它临界性质的性质的耐水下降性。使用至少一种双官能的有机成孔剂作为前体化合物制造该多孔复合材料。
sicoh 电介质材料成形方法

[发明专利]电子结构及形成介质膜的方法-CN200710126919.5无效
发明人： S·M·盖茨;S·V·恩古源;R·D·米勒;V·Y－W·李;A·格里尔;G·J－M·迪布瓦;V·V·帕特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。
电子结构形成介质方法

[发明专利]利用抗腐蚀硼和磷材料的电子结构及其形成方法-CN200710112558.9有效
发明人： S·M·盖茨;R·D·米勒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-06-21 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了致密硼基或磷基介质材料。具体地，本发明提供包括硼和碳，氮和氢中的至少一种的致密硼基介质材料和包括磷和氮的致密磷基介质材料。本发明还提供在ULSI后段制程(BEOL)互连结构中，包括致密硼基或磷基介质作为蚀刻停止，介质Cu覆盖材料，CMP停止层，和/或反应离子蚀刻掩模的电子结构。在本发明中还描述了形成发明的硼基或磷基介质的方法以及包括其的电子结构。
利用腐蚀材料电子结构及其形成方法

[发明专利]用于制造在制成的半导体器件和电子器件内用作层内或层间电介质的超低介电常数材料的改进方法-CN200580011628.0有效
发明人： S·M·盖茨;A·格里尔;D·R·梅代罗斯;D·诺伊迈尔;S·V·源;V·V·帕特尔;王新辉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。
用于制造制成半导体器件电子器件用作电介质介电常数材料改进方法

[发明专利]介质材料及其制造方法-CN200610002175.1有效
发明人： D·C·埃德尔斯坦;S·M·盖茨;A·格里尔;M·莱恩;R·D·米勒;D·A·诺伊迈尔;S·V·恩古源 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si－CH₃官能团，以及另一部分C原子键合为Si－R－Si、－[CH₂]_n－、HC＝CH、C＝CH₂、C≡C或[S]_n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。
介质材料及其制造方法

[发明专利]超低介电常数的SiCOH薄膜及其制造方法-CN200480012920.X有效
发明人： S·M·盖茨;A·格里尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-03-17 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示出提高的弹性模量和硬度的多相超低介电常数的薄膜，以及制造该薄膜的多种方法。这种超低介电常数的介电薄膜含有分别用(104)，(103)，(102)和(101)表示的硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，所述薄膜具有约为2.4或以下的介电常数值，纳米级的小孔或者空穴，具有约为5或更大的弹性模量值，具有约为0.7或更大的硬度值。优选的薄膜含有硅原子，碳原子，氧原子和氢原子，且具有约为2.2或以下的介电常数值，具有纳米级的小孔或者空穴，具有约为3或更大的弹性模量值，和具有约为0.3或更大的硬度值。这些薄膜由作为“主”基体的第一相(100)和基本上由碳原子和氢原子构成的第二相(105)组成，其中“主”基体是由氢化的氧化硅碳(SiCOH)形成的无规网络。
介电常数 sicoh 薄膜及其制造方法

[发明专利]形成介电膜的方法和介电膜-CN200510112743.9有效
发明人： S·源;A·格里尔;S·M·盖茨;D·A·诺伊迈尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR¹R²R³的硅烷(SiH₄)衍生物、分子式为R⁴R⁵R⁶Si－O－Si－R⁷R⁸R⁹的二硅氧烷衍生物、分子式为R¹⁰R¹¹R¹²－Si－O－Si－－R¹³R¹⁴－O－Si－R¹⁵R¹⁶R¹⁷的三硅氧烷衍生物，其中R和R^1－17可以相同或不同，并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基，它们可以是直链、支链、环状、多环状的，并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化。除了上述方法，本申请还提供了由本发明方法制备的SiCOH电介质以及包含该电介质的电子结构。
形成介电膜方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200510117378.0有效
发明人： S·V·源;M·莱恩;S·M·盖茨;刘小虎;V·J·麦加海伊;S·C·梅赫塔;T·M·肖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种位于其中嵌有至少一个导电特征的低k介质材料的表面上的硬掩模。该硬掩模包括相邻于低k介质材料的密封氧化物材料的下区域和位于所述密封氧化物材料上的包括Si、C和H原子的上区域。本发明还提供了制造本发明硬掩模的方法以及形成包括该硬掩模的互连结构的方法。
互连结构及其形成方法

[发明专利]由旋涂上的陶瓷薄膜组成的构图层-CN200480002867.5有效
发明人： S·M·盖茨;J·C·赫德里克;E·E·黄;D·普菲弗 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-01-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明包括一种形成硬掩模的方法，包括以下步骤：使聚合物预陶瓷前体薄膜沉积在基材的顶上；将聚合物预陶瓷前体薄膜转化成至少一个陶瓷层，其中陶瓷层的组成为Si_vN_wC_xO_yH_z，其中0.1≤v≤0.9，0≤w≤0.5，0.05≤x≤0.9，0≤y≤0.5，0.05≤z≤0.8，v+w+x+y+z＝1；在陶瓷层的顶上形成已构图的光致抗蚀层；对陶瓷层构图，以将衬底基材的区域曝光，其中衬底基材的剩余区域被已构图的陶瓷层保护；并且将衬底基材的曝光区域蚀刻。本发明的另一个方面是掩埋的蚀刻停止层，其具有组成Si_vN_wC_xO_yH_z，其中0.05＜v＜0.8，0＜w＜0.9，0.05＜x＜0.8，0＜y＜0.8，0.05＜z＜0.8，v+w+x+y+z＝1。
涂上陶瓷薄膜组成构图

[发明专利]由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构-CN01822901.8有效
发明人： S·M·盖茨;J·C·赫德里克;S·V·尼塔;S·普鲁肖特哈曼;C·S·蒂贝格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-10 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种双镶嵌型的金属布线加低k介电质的互连结构，其中将该导电金属线路与通路孔形成在一混合式低k(介电常数)介电质内，它包含两种旋涂式介电材料，具有不同原子成分，且这两种旋涂式介电材料中至少之一为多孔的。这两种应用于构成本发明混合式低k介电质的旋涂式介电材料，各具有一约2.6或更低的介电常数，且该混合结构的各介电材料各以具有从约1.2到约2.2范围内的k值为佳。藉由利用本发明混合式低k介电质，将能够获得对于金属线路电阻(沟槽深度)的优异控制而无须另增成本。可达到此项目的而不必利用掩埋式蚀刻停止层，若存在，则形成在这两种旋涂式介电材料之间。
二种旋涂式介电材料组成混合式互连结构

[发明专利]包含多层旋涂多孔介电质的低K互连结构-CN01822603.5有效
发明人： S·M·盖茨;J·C·赫德里克;S·V·尼塔;S·普鲁肖特哈曼;C·S·蒂贝格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-12-04 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/4763 文献下载
摘要：本发明提供一种不具微沟槽的低k介电质金属半导体互连结构与形成该结构的方法。具体来说，上述结构是通过提供一互连结构来获得的，此一互连结构包括至少一种在单一自旋应用工具中持续施加，然后在单一步骤中固化的多层介电质材料，以及多层旋涂介电质内的多个图案化的金属导体。导体电阻的控制是通过使用掩埋的蚀刻终止层来获得的，此一掩埋的蚀刻终止层具有位于线与多孔低k介电质的通路介电质层间的第二原子组成，而其中多孔低k介电质具有第一原子组成。本发明的互连结构还包含一种辅助形成双镶嵌型的互连结构的硬质掩模。从具有特定原子组成与其它测得值的多孔低k有机或无机材料的特定组中，选择第一与第二组成，以获得至少10至1，或更高的蚀刻选择性。
包含多层多孔介电质互连结构

[发明专利]通过选择性反应生产掩模的非平版印刷方法，生产的制品和用于该方法的组合物-CN03152546.6有效
发明人： M·E·卡尔伯恩;S·M·盖茨;J·C·赫德里克;E·黄;S·V·尼塔;S·波卢索萨曼;M·桑卡拉潘迪恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-08-01 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种在衬底现有图案上形成自对准图案的方法，该方法包括在衬底上涂敷该掩模材料的涂料；和允许至少一部分掩模材料优先连接到一部分现有图案上。图案由衬底的第一组区域和衬底的第二组区域组成，衬底的第一组区域具有第一原子组成和衬底的第二组区域具有不同于第一组成的第二原子组成。第一组区域可包括一种或多种金属元素和第二组区域可包括电介质。掩模材料可包括一种聚合物，聚合物包含选择性结合到一部分图案上的反应性接枝位置。掩模材料可包括结合到一部分图案上的聚合物，以提供适于聚合引发的官能团层，含有适于聚合增长的官能团的反应性分子或反应性分子，其中反应性分子与一部分图案的反应产生含有反应性基团的层，它参与逐步增长聚合。根据该方法的结构。用于实施该方法的组合物。
通过选择性反应生产平版印刷方法制品用于组合

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