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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN200710102168.3有效
发明人：林孟竖;李达元;陈启群;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底，其包括硅；形成P型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第一栅极介电层；在第一栅极介电层上形成第一栅极电极；以及在第一栅极电极及第一栅极介电层的侧壁形成第一栅极间隙壁；形成N型金属氧化物半导体装置，包括：在半导体基底上形成第二栅极介电层；在第二栅极介电层上形成第二栅极电极；以及形成氮化多晶硅再氧化层，其具有垂直部分及水平部分，其中垂直部分位于第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁，水平部分位于半导体基底上；以及在第二栅极电极及第二栅极介电层的侧壁形成第二栅极间隙壁，其中第二栅极间隙壁位于氮化多晶硅再氧化层的水平部分上。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种软硬结合板工艺及开盖方式-CN201210293991.8无效
发明人：曾宪悉;刘德威;周刚;赵志平 -专利权人：惠州中京电子科技股份有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H05K3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种软硬结合板工艺及开盖方式，包括以下过程：软板层工序，包括在软板区贴覆盖膜步骤：第一粘结层工序，包括在软板区上对粘结片冲出开口步骤；介电层工序，包括在软硬交接线上对介电层基材冲出缝步骤；一压工序，将软板层、第一粘结层、介电层三层材料叠合后进行压合；第二粘结层工序，包括粘结片填充介电层基材冲出缝步骤；软硬层压，通过第二粘结层压合介电层基材与铜皮，压合后形成软硬结合板；硬板层工序，包括硬板前制程步骤；开盖，根据介电层基材冲出缝通过切型切出切型线（Route线），软板区上介电层基材与软板层相分离步骤。
一种软硬结合工艺方式

[实用新型]反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片-CN202120117254.7有效
发明人：封波;彭翔;金力 -专利权人：晶能光电（江西）有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片，其中，反射结构中包括：金属反射层及设置于金属反射层表面由介电材料形成的介电反射层，介电反射层中包括填充有导电材料的第一通孔，且介电反射层中介电材料与导电材料的接触面之间、介电材料与金属反射层的接触面之间及介电反射层上表面均设置有透明导电层。解决介电材料接触区域电流无法流经的问题，使得制备得到的LED芯片中电流扩散更均匀，且具有更高的光提取效率。
反射结构 gan 薄膜 led 芯片

[发明专利]一种无源型介电弹性体风能采集装置及其应用-CN202010058299.1在审
发明人：赖志慧;王帅博;张才亮;张国庆;王军雷 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种无源型介电弹性体风能采集装置，包括底座，固定在底座上的支架，固定在支架上的悬臂梁和连接在悬臂梁一端的钝体；其中，悬臂梁的长度延伸方向上设有压电陶瓷组件，钝体内设有一收容腔，收容腔内设有至少一个与压电陶瓷组件电连接的介电弹性体能量采集单元；每个介电弹性体能量采集单元包括一两端开口的圆筒，固定在圆筒的两端开口上的可变电容和设置在圆筒内的球体，可变电容包括依次层叠设置的第一电极、介电弹性体层和第二电极。当风源气流带动无源型介电弹性体风能采集装置的钝体和悬臂梁振动时，可以在没有外加电场的条件下，将风能高效转换为电能。本申请还提供了该无源型介电弹性体风能采集装置的应用。
一种无源型介电弹性体风能采集装置及其应用

[发明专利]发光器件、发光器件封装及包括发光器件封装的照明系统-CN201010135738.0有效
发明人：金鲜京 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：该发光器件可包括：发光结构、介电图案、第二电极层和谐振腔结构。发光结构可包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层。介电图案可设置在第二导电型半导体层上。第二电极层可设置在包括介电图案的第二导电型半导体层上。谐振腔结构可设置在发光结构上。
发光器件封装包括照明系统

[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法-CN201010167912.X有效
发明人：黄光耀;杨玉如;廖俊雄;周珮玉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含有半导体基底、形成于该半导体基底上的栅极介电层、以及至少一形成于该栅极介电层上的第一导电型金属栅极。该第一导电型金属栅极还包含有填充金属性层，以及设置于该栅极介电层与该填充金属性层之间的U型金属性层，且该U型金属性层的最高部分低于该填充金属性层。
具有金属栅极半导体元件及其制作方法

[发明专利]线路嵌合于介电层的无芯板薄型基板及其制造方法-CN200710089697.4有效
发明人：王建皓 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-03-27 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：一种线路嵌合于介电层的无芯板薄型基板，主要包含数个嵌合有线路的第一图案化介电层以及至少一嵌合有导通组件的第二图案化介电层。该第二图案化介电层是设置于该些第一图案化介电层之间，并经热层合(thermal lamination)，以使该些导通组件电性导通该些第一图案化介电层的该些线路，以省略习知热层合之后需进行贯通孔制程，并且该基板将具有更加薄化与平坦的外观在一实施例中，该些第一图案化介电层是为负像的喷墨打印层，且该些线路裸露于该些图案化介电层的一上表面及一下表面。
线路嵌合介电层无芯板薄型基板及其制造方法

[发明专利]臭氧发生器-CN200510124169.9无效
发明人：八幡智 -专利权人：近藤耀子
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： C01B13/11 文献下载
摘要：一种臭氧发生器，其包括设有以内侧电介体(A)为中心的外侧电介体(B)、电介体为双层的圆筒状，在电介体(A)的内侧和在电介体(B)的外侧贴固有不锈钢箔的电极(B)、设有覆裹外围的绝缘体、且都一体形成圆筒型在圆筒型的左右设有阻断电介体(A)侧面空气的支持台、在电介体A的外侧与电介体(B)的内侧之间设有放电空间、在支持台(1)处设置有空气导入口和在支持台(2)处设置有臭氧放出口与上述的放电空间连通、形成电极
臭氧发生器

[发明专利]晶片级热电能量收集器-CN201811096766.9在审
发明人：陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/16 文献下载
摘要：集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。
热电能量介电层晶片级收集器基板集成电路

[发明专利]晶片级热电能量收集器-CN201510229765.7有效
发明人：陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。
晶片热电能量收集

[发明专利]沟槽型MOS的形成方法-CN201210122554.X有效
发明人：贾璐;楼颖颖 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种沟槽型MOS的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底内，形成沟槽；采用热氧化工艺在所述沟槽底部和侧壁形成第一栅介电层；采用高温氧化沉积工艺在第一栅介电层表面形成第二栅介电层；在沟槽内填充满多晶硅层本发明提供一种沟槽型MOS的形成方法，解决沟槽型MOS的电学性能差，工艺良率低下问题。
沟槽 mos 形成方法

[发明专利]模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪-CN201510378386.4有效
发明人： F·阿亚兹;成王庆;M·F·扎曼 -专利权人：佐治亚科技研究公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01C19/5684 文献下载
摘要：本申请公开了模式匹配型单一质量块双轴陀螺仪，其包括共振体构件；以及藉由侧向电容性介电间隙及垂直电容性介电间隙各自耦接于该共振体构件的多个电极；其中，该多个电极之一的该侧向电容性介电间隙的宽度实质小于该多个电极的另一的该垂直电容性介电间隙的宽度
介电电极侧向双轴陀螺仪垂直电容模式匹配电容性共振体质量块宽度实质耦接申请

[发明专利]低介电性胶膜及其制造方法-CN201510679355.2在审
发明人：杜伯贤;李韦志;金艳;林志铭 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电性胶膜及其制造方法，低介电性胶膜包括芯层、低介电胶层和离型层，芯层具有相对的上、下表面，低介电胶层是指Dk值＜2.3(10G Hz)且Df值＜0.002(10G Hz)的胶层，低介电胶层具有两层且分别为上低介电胶层和下低介电胶层，上低介电胶层和下低介电胶层分别形成于芯层的上、下表面。本发明的低介电性胶膜不但电性良好，而且可挠性佳、耐焊锡性高、接着强度佳、操作性良好，并且可以在低温进行压合，可以使用快压设备，以及压合后可使FPC有极佳的平坦性。
低介电性胶膜及其制造方法

[发明专利]带有磁性天线安装的电子设备-CN201210329956.7有效
发明人： M·帕斯科林尼;J·古特曼;J·海洛克;朱江;P·杰兹奥雷克 -专利权人：苹果公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：该电子设备可具有介电元件，一个或多个天线相对于该介电元件安装。介电元件可为覆盖电子设备中的显示器的盖玻璃层、介电天线窗口或其他介电结构。每个天线可具有天线支撑结构。该天线可为背腔平面倒F型天线。每个天线支撑结构的部分可配置为接纳磁铁。磁铁可朝着安装在介电元件上的铁磁结构被吸引。当磁铁朝着铁磁结构被吸引时，可将天线相对于介电元件保持在适当位置。
带有磁性天线安装电子设备

[发明专利]一种用于天线罩材料的PPS复合材料及其制备方法-CN202110340801.2在审
发明人：杨桂生;费彬;姚晨光;蒋超杰;范继贤;吴安琪 -专利权人：合肥杰事杰新材料股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于天线罩材料的PPS复合材料及其制备方法，该复合材料由以下组分按重量份制成：PPS 80份‑100份，低介电填料10份‑20份，玻璃纤维8份‑12份，SEBS‑g‑MAH 0.2份‑0.4份，抗氧剂0.1份‑0.5份，低介电填料为笼型聚倍半硅氧烷与水滑石的复合材料。本发明制备的低介电填料为笼型聚倍半硅氧烷与水滑石的复合材料，其中笼型聚倍半硅氧烷具有笼型框架结构，水滑石是层状化合物，层与层之间有很多空腔，这两种材料特殊的空间结构可以优化PPS的低介电性能和透波性能。本发明制备的PPS复合材料具有很好的低介电性能和优异的物理性能，可用作天线罩材料。
一种用于天线罩材料 pps 复合材料及其制备方法