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[发明专利]一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法-CN201710187814.4在审
发明人：欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 -专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件及制造方法，包括以下步骤在硅单晶衬底上依次形成AlN层、掺杂Fe离子的AlGaN层、掺杂碳离子的GaN外延层、非掺杂的GaN外延层、非掺杂的AlGaN外延层,以及GaN帽层；形成第一接触孔掩模开孔，并在第一接触孔掩模开孔中形成阴极金属；形成第一肖特基接触孔，在第一肖特基接触孔中形成第一肖特基金属，并与GaN表面构成低势垒肖特基接触；形成第二肖特基接触孔，在第二肖特基接触孔中形成第二肖特基金属，并与GaN表面构成高势垒肖特基接触；形成肖特基二极管的阳板垫层和阴极金属垫层。本发明的半导体器件，由两种不同势垒的肖特基势垒接触组成，在低导通电压下能注入更多的电流，反向偏置时，能保持较低的反向漏电流。
一种氮化镓基肖特基二极管半导体器件制造方法

[实用新型]一种大功率的肖特基二极管结构-CN202023120995.5有效
发明人：张雁 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型系提供一种大功率的肖特基二极管结构，包括绝缘封装体，绝缘封装体内封装有肖特基芯片，肖特基芯片连接有两个导电引脚；肖特基芯片包括依次层叠的阴极层、欧姆接触层、N型衬底、第一外延层、第二外延层、肖特基金属层和阳极层，肖特基金属层的四周围绕有环状钝化层，第二外延层中设有若干第一沟槽，第一沟槽的底部连接有位于第一外延层中的第二沟槽，肖特基金属层填充入第一沟槽和第二沟槽中，第一沟槽的槽宽小于第二沟槽的槽宽。本实用新型中肖特基金属层的底端填充到两个沟槽中，能够有效增大反接时肖特基势垒的高度，反向击穿电压高；在正向导通的情况下，能够进一步确保其大功率工作的性能，正接导通特性优良。
一种大功率肖特基二极管结构

[发明专利]用于形成平坦肖特基接触的结构和方法-CN200780045391.7有效
发明人：弗雷德·塞西诺 -专利权人：飞兆半导体公司
申请日： 2007-11-28 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：一种单片电路集成的沟槽FET和肖特基二极管包括多个沟槽，这些沟槽延伸至半导体层的FET区和肖特基区中。肖特基区中的沟槽包括为沟槽侧壁加衬的介电层、以及导电电极，其中导电电极具有与相邻于该沟槽的半导体层的顶部表面基本共面的顶部表面。互连层与肖特基区中的半导体层电接触，以便形成与半导体层的肖特基接触。
用于形成平坦肖特基接触结构方法

[发明专利]切换式电源供应电路的高压元件及其制造方法-CN202011357192.3在审
发明人：邱国卿;杨大勇;邱建维;翁武得;陈建馀;熊志文;张钧隆;游焜煌;廖庭维 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该高压元件用于一切换式电源供应电路的功率级电路中，以作为一上桥开关，包含：至少一横向扩散金属氧化物半导体元件、第二导电型隔离区以及至少一肖特基势垒二极管。横向扩散金属氧化物半导体元件包括：阱区，形成于半导体层中；本体区；栅极；源极以及漏极。第二导电型隔离区在该半导体层中，且与该本体区电连接。肖特基势垒二极管包括：肖特基金属层，形成于该半导体层上；以及肖特基半导体层，形成于该半导体层中，该肖特基半导体层与该肖特基金属层形成肖特基接触，且该肖特基半导体层与该第二导电型隔离区邻接。
切换电源供应电路高压元件及其制造方法

[发明专利]多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202210421871.5在审
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请适用于微电子技术领域，提供了一种多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管中的N型外延层设在衬底层上，N型外延层上设有多个PN结沟槽，多个PN结沟槽沿横向间隔设置，相邻的两PN结沟槽之间设有多个肖特基沟槽，多个肖特基沟槽沿横向间隔设置，每个PN结沟槽的下方设有一个P型区，肖特基金属层设在N型外延层上，肖特基金属层上设有多个与PN结沟槽适配的第一凸起和多个与肖特基沟槽适配的第二凸起，每个第一凸起位于对应PN结沟槽中，每个第二凸起位于对应肖特基沟槽中。本申请的多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管，可解决目前碳化硅结势垒肖特基二极管无法有效提升电流密度的问题。
沟槽碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201180064898.3有效
发明人：美浓浦优一;冈本直哉 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：在半导体装置中设置有半导体层（1）、和与半导体层（1）肖特基接合的肖特基电极（2）。在肖特基电极（2）中包含有：金属部（2a），其包含与半导体层（1）肖特基接合的金属；和氮化物部（2b），其形成于金属部（2a）的周围，包含上述金属的氮化物，并与半导体层（1）肖特基接合。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有浮岛的结势垒肖特基二极管-CN200780033962.5有效
发明人：潘继;安荷·叭刺 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-12-01 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：一肖特基二极管，其包含有一肖特基势垒与数个邻近该肖特基势垒并作为浮岛的掺杂区域，以起到PN结的作用来防止由反向电压所产生的漏电流。在半导体衬底上至少开设一个沟槽，且其中填充设置有肖特基势垒材料，从而构成肖特基势垒。该肖特基势垒材料也可以设置在沟槽侧壁上来构成肖特基势垒。填充在沟槽中的肖特基势垒材料是由钛/氮化钛或者钨组成的。该沟槽开设在N型半导体衬底中，包含P型掺杂区域的掺杂区域是设置在沟槽下方的，并构成浮岛。P型掺杂浮岛以垂直阵列的形式形成于沟槽底部下方。
具有结势垒肖特基二极管

[发明专利]一种肖特基二极管及功率电路-CN202210313499.6在审
发明人：王嘉乐;樊宗荐;张强;侯朝昭;董耀旗;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种肖特基二极管及功率电路。肖特基二极管包括：第一层；与第一层接触的第二层，第一层为半导体层和金属层中的一个，第二层为半导体层和金属层中的另一个，第一层和第二层之间存在肖特基势垒；耦合至第一层的载流子提供层，用于升高第一层中第一载流子的数量在第一层中载流子的总数量中的占比；其中，第一载流子的能量低于肖特基势垒在二极管处于关断状态时的高度；当肖特基二极管从关断状态进入导通状态时，肖特基势垒的高度降低，使得第一载流子越过肖特基势垒，进入第二层；或者，肖特基势垒的宽度减少，使得第一载流子隧穿过肖特基势垒该肖特基二极管可以实现关态到开态的快速切换。
一种肖特基二极管功率电路

[发明专利]无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片-CN201810876774.9在审
发明人：薛涛;关仕汉 -专利权人：淄博汉林半导体有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，属于半导体制造技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤a，形成外延层（5）；步骤b，形成耐压环沟槽（2）；步骤c，进行热氧化；步骤d，填充绝缘材料（1）；步骤e，将外延层（5）表面的绝缘材料（1）去除；步骤f，形成肖特基界面（3）；步骤g，去除绝缘材料（1）表面的肖特基界面（3）；步骤h，根据切割线（9）对肖特基芯片进形切割。在本无需光刻步骤的肖特基芯片制造方法及肖特基芯片，省略了肖特基芯片制造过程中的光刻步骤，大大减少了工艺复杂程度和成本，同时提高了肖特基芯片的耐压性能。
肖特基光刻芯片芯片制造绝缘材料外延层去除半导体制造技术填充绝缘材料芯片制造过程耐压性能切割线热氧化耐压省略切割

[发明专利]具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件-CN202110793154.0在审
发明人： S·拉斯库纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：公开了具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。该电子器件还由多个具有第二导电类型的第一注入区和多个金属部分形成，该多个第一注入区从表面延伸到漂移区中，该多个金属部分布置在该表面上。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度
具有结势垒肖特基二极管宽带半导体电子器件

[发明专利]一种低反向漏电流的肖特基二极管与制备方法-CN202310394327.0在审
发明人：李嘉琳;朱涛;魏晓光;张丙可;李玲;赵万利;周行;葛欢;常树丞;孙俊敏;白雪 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种低反向漏电流的肖特基二极管及制备方法，肖特基二极管包括元胞区，元胞区包括衬底层、外延层、高掺杂区、高肖特基势垒接触区域、中肖特基势垒接触区域、正面电极层、背面电极层；所述外延层位于所述衬底层之上本发明通过在常规肖特基势垒面积较大的区域加入部分高肖特基势垒区域，此区域导通开启电压小，但具有高肖特基势垒，在正向通流能力损失较少的情况下，减少肖特基势垒二极管和结势垒肖特基二极管部分因肖特基区域镜像力导致反向阻断漏电过大的问题
一种反向漏电肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法-CN201811562125.8在审
发明人：刘维;孟鹤;王品东;时新越 -专利权人：吉林麦吉柯半导体有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明实施例提供的肖特基二极管、NIPT95合金及肖特基二极管的制造方法，涉及电子元器件技术领域。肖特基二极管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖在所述衬底上；NIPT95合金，NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；导电层，覆盖在所述肖特基势垒层上。由于采用NIPT95合金渗入到第一导电类型的外延层中形成肖特基势垒层；相较于现有技术通过金属钛、金属镍、金属钼等金属与表面态良好的第一导电类型的外延层接触形成肖特基势垒层，本发明实施例提供的方案可以使形成的肖特基势垒层的反向漏电流小且离散较小，进而可以减少制造过程中的废片率。
第一导电类型肖特基二极管肖特基势垒层合金外延层衬底渗入电子元器件反向漏电流制造过程表面态导电层废片率金属镍金属钛金属钼覆盖制造金属

[发明专利]一种沟槽结构肖特基器件-CN201110170815.0无效
发明人：王颖;徐立坤;曹菲;刘云涛;邵雷 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2011-06-23 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供的是一种沟槽结构肖特基器件。包括阳极电极(1)、二氧化硅层(2)、P+保护环(3)、肖特基接触(4)、P型掺杂区域(5)、N型漂移区(6)、N+衬底区(7)、阴极电极(8)，在N型漂移区(6)内刻蚀有沟槽结构，在沟槽中先形成P型掺杂区域(5)，然后进行肖特基金属溅射形成沟槽内的肖特基接触部分。本发明在普通SBD结构中的漂移区中刻蚀沟槽先形成P型掺杂区，而后溅射肖特基金属与N型漂移区形成肖特基接触。在不牺牲器件反向特性的情况下，提高肖特基器件的正向导通电流。本发明实施工艺与结势垒控制肖特基二极管JBS工艺兼容，容易实现，且更能满足现代功率电子系统的要求。
一种沟槽结构肖特基器件

[发明专利]一种仿生肖特基结纳米药物及其制备方法与应用-CN202210021216.0有效
发明人：高大威;郝紫泞;杨晓玉;刘世琦 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A61K9/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种仿生肖特基结纳米药物及其制备方法与应用。本发明仿生肖特基结纳米药物，包括如下之一的组成：(1)肖特基结型光催化剂；(2)肖特基结型光催化剂和免疫细胞膜，所述肖特基结型光催化剂包覆于所述免疫细胞膜中；(3)肖特基结型光催化剂和蛋白酶；(4)肖特基结型光催化剂、蛋白酶和免疫细胞膜，所述肖特基结型光催化剂和蛋白酶包覆于所述免疫细胞膜中。本发明建立了一种基于光催化和酶解性能的仿生肖特基结纳米药物，可以同时降低肿瘤间质液体压力(TIFP)和肿瘤间质固体压力(TISP)，实现药物的高效瘤内递送，同时实现光热治疗和化疗的协同效果。
一种生肖特基结纳米药物及其制备方法应用

[发明专利]一种肖特基晶粒的预焊方法-CN201811127995.2在审
发明人：何利英 -专利权人：江华绿宝石新能源储能科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及肖特基晶粒的预焊方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将丝网覆盖在肖特基晶圆的正表面；步骤一，将锡膏通过丝网印刷在肖特基晶圆的正表面上，丝网与肖特基晶圆分开；步骤三，将正表面印刷有锡膏的肖特基晶圆送入焊接炉中进行焊接，使锡膏均匀的覆盖在肖特基晶圆正表面；步骤四，焊接完成后，将肖特基晶圆从焊接炉中取出，进行切割，以得到正面覆盖有锡膏的肖特基晶粒。通过本发明所制得的晶粒可透过治具自动排列方向，提高生产效率，且在排列作业中因晶粒正面已被锡膏覆盖，可避免摩擦及晶粒相互碰撞造成正面划伤，提高生产良率及材料可靠性。
肖特基晶粒晶圆锡膏正表面覆盖焊接炉丝网预焊焊接生产效率丝网印刷自动排列可透过划伤良率治具切割送入摩擦取出印刷生产

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