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[发明专利]三维存储器的控制方法及其控制装置和存储介质-CN202010202650.X在审
发明人：雷涛;殷波;刘刚;闾锦 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器的控制方法及其控制装置和存储介质。所述三维存储器包括：衬底；形成在所述衬底上的由绝缘层和栅极层交替堆叠形成的堆叠层；垂直穿透所述堆叠层的沟道结构；所述控制方法包括：获取所述三维存储器的当前温度值；若所述当前温度值大于预设温度值，则对所述三维存储器的栅极层施加电压本申请的控制方法解决了三维存储器数据保持能力减弱，容易导致数据出现错误的问题。
三维存储器控制方法及其装置存储介质

[发明专利]包括三维非易失性存储设备的系统及其编程方法-CN201310168094.9有效
发明人：全昺熙;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种用于存储系统的编程方法，所述存储系统包括三维非易失性存储器和随机存取存储器，所述三维非易失性存储器具有多级存储单元。该方法在三维非易失性存储器中的一行存储单元的编程期间使用随机存取存储器来不同地存储多比特数据的所选比特。
包括三维非易失性存储设备系统及其编程方法

[发明专利]一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维闪存存储器及其制备-CN201910318961.X在审
发明人：缪向水;钱航;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器制造领域，更具体地，涉及一种基于二维半导体材料垂直沟道的三维半导体存储器及其制备，所述三维半导体存储器，包含多个垂直方向的三维存储串，每一个三维存储串包含一个半导体垂直沟道，半导体垂直沟道的长度由存储器三维堆叠的层数决定；所述垂直沟道材料包括一种或多种二维半导体材料，以及所述二维半导体材料表面的保护层，所述保护层用于对该二维半导体材料进行支撑保护，所述二维半导体材料的载流子迁移率高于非晶硅的载流子迁移率。本发明利用二维材料作为存储器沟道，可以提供更高的存储器单元开态电流，从而降低存储器的操作功耗。
二维半导体垂直沟道存储器三维半导体存储器载流子迁移率三维存储保护层制备半导体半导体存储器存储器单元闪存存储器操作功耗二维材料开态电流三维堆叠支撑保护非晶硅沟道三维制造

[发明专利]三维存储器及其形成方法-CN202010031318.1在审
发明人：杨芳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括：依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件；所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面，提供了更大的存储空间和存储密度，并改善了三维存储器的结构稳定性；另一方面，有助于降低单个存储器件中台阶区域的高度，从而增强了三维存储器的结构稳定性。
三维存储器及其形成方法

[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器-CN201910116442.5在审
发明人：刘慧超;蒋阳波;杨俊铖 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的制造方法及三维存储器。所述三维存储器的制造方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有堆叠结构、沟道孔、存储串、以及依次覆盖于所述堆叠结构表面的掩模层和插塞层，所述插塞层包括覆盖于所述堆叠结构表面的覆盖层和填充于所述沟道孔内的沟道孔插塞本发明简化了三维存储器中沟道孔表面了平坦化工艺，降低了三维存储器的制造成本，便于实现三维存储器的量产。
三维存储器堆叠结构沟道刻蚀工艺插塞层覆盖层平坦化掩模层衬底去除制造半导体制造技术制造成本孔表面插塞覆盖量产填充存储

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202011418899.0有效
发明人：刘力恒;长江;徐伟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上交替叠置栅线牺牲层和绝缘介质层以形成叠层结构，并形成穿透叠层结构的沟道孔；以及去除栅线牺牲层以及去除孔壁牺牲层的与栅线牺牲层相对的部分以形成牺牲间隙。根据该制备方法，可缩小三维存储器中存储单元串的沟道孔的关键尺寸，同时还可加大栅极导电层在叠层厚度方向的尺寸，以提高三维存储器的结构密度，降低三维存储器的功耗，提高其编程/擦除的运行速度，并减小栅极导电层自身的电阻，减小栅极漏电流，提高三维存储器的性能。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器、制备方法及存储系统-CN202210218523.8在审
发明人：刘磊;杨涛;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统。三维存储器包括：堆叠结构；多个沟道结构，包括沟道层，并贯穿堆叠结构；以及顶部选择栅结构，形成于相邻的沟道结构之间，并穿过部分堆叠结构，其中，沿堆叠结构的厚度方向，至少一个所述沟道结构的靠近顶部选择栅结构的一端的沟道层具有掺杂剂本申请提供的三维存储器、制备方法及存储系统，节省了顶部选择栅占用的面积，三维存储器中的顶部选择晶体管错误打开的概率，提高了三维存储器的可靠性。
三维存储器制备方法存储系统

[发明专利]一种三维存储器及其制作方法-CN201911202324.2有效
发明人：洪培真;李春龙;霍宗亮;邹兴奇;张瑜 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法，所述铁电场效应管和三维铁电存储器的结构，均包括铁电材料，采用铁电材料的极化状态表示数据。由于极化翻转具有极高的速度，可以在几个纳秒内完成，因此，本发明提供的场效应晶体管或三维存储器能够实现很快的速度；同时由于极化翻转所需的电压很低，不需要电荷泵等外围电路的辅助，因此，铁电场效应管和三维铁电存储器具有更低的能耗另外，与现有技术中的闪存和DRAM等存储器基于电荷进行存储的原理不同，本发明提供的三维存储器依靠极化进行存储，具有更强的抗辐射能力，并且能够提高铁电存储器的存储密度，解决当前三维存储器的操作电压高以及反复擦写能力低的问题
一种三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维集成电路晶圆的测试方法、测试装置和三维集成电路-CN202111204274.9在审
发明人：黄华;王帆;王春娟;李华 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了用于测试三维集成电路晶圆的测试方法，其中所述三维集成电路晶圆包括：包括存储器芯片的存储器晶圆；以及非存储器晶圆，所述非存储器晶圆与所述存储器晶圆堆叠在一起并且包括非存储器芯片；所述测试方法包括：测试所述存储器芯片的工作温度以及所述非存储器芯片的工作温度；根据所述非存储器芯片的工作温度与对准所述非存储器芯片的存储器芯片的工作温度之间的温度差，调整对准的存储器芯片的数据刷新频率。本发明还涉及用于测试三维集成电路晶圆的测试装置和使用所述测试方法生成的三维集成电路。
三维集成电路测试方法装置

[实用新型]一种指纹和面部三维图像识别U盾-CN201220190107.3有效
发明人：陈晓容 -专利权人：陈晓容
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G06F21/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种指纹和面部三维图像识别U盾，在U盾上固有银行启动模块和触点开关，再安装上指纹原始固化存储器、面部三维图像原始固化存储器、指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关，通过指纹和面部三维图像扫描器输入指纹和面部三维图像与指纹原始固化存储器和面部三维图像原始固化存储器内指纹和面部三维图像信息对比，再由指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关与银行启动模块连接，通过USB接口输出信息，利用指纹和面部三维图像的唯一性保障了网上资金交易的安全性，同时对想窃取国家资金的犯罪行为起到震慑效果。
一种指纹面部三维图像识别

[发明专利]一种三维相变存储器的读写系统-CN202310557040.5在审
发明人：程晓敏;贺智淮;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维相变存储器的读写系统，属于相变存储器的读写领域，读写系统包括逻辑控制模块、读驱动电路模块、写驱动电路模块、带隙基准模块、片内高速时钟模块和升压电荷泵模块；逻辑控制模块将三维相变存储器与外界进行交互，判断执行何种操作；读驱动模块读取三维相变存储器的状态；升压电荷泵模块对带隙基准模块进行二倍升压；写驱动电路模块对三维相变存储器提供写脉冲激励；片内高速时钟模块将片外低速时钟信号输入，并将其在片内转化为高速时钟信号；带隙基准模块提供参考电压；三维相变存储器进行读写擦操作。本发明解决了现有三维相变存储器读写电路进行操作时功耗大且SET操作时间较长的问题。
一种三维相变存储器读写系统

[发明专利]用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法-CN201910571662.7在审
发明人：王启光;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法，包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；叠层结构内形成有沿叠层结构的厚度方向贯穿叠层结构的沟道通孔，沿叠层结构的厚度方向，沟道通孔各部分的宽度不尽相同本发明的用于三维存储器的叠层结构中的牺牲层的厚度与沟道通孔的宽度成正比，可以弥补在叠层结构中形成的沟道通孔宽度不一致及沟道通孔形貌较差而带来的影响；基于本发明的三维存储器的叠层结构形成的三维存储器中，所有的存储单元编程/擦除速度一致，擦除态耦合效应较好，所有存储单元的性能具有较好的均一性，三维存储器的阈值电压较窄，三维存储器的性能稳定性好。
三维存储器叠层结构沟道通孔牺牲层成正比擦除制备存储单元编程形貌性能稳定性栅间介质层存储单元交替叠置速度一致阈值电压耦合效应不一致均一性贯穿

[发明专利]用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法-CN202011090267.6在审
发明人：王启光;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法，叠层结构包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；叠层结构内形成有沿叠层结构的厚度方向贯穿叠层结构的沟道通孔，沿叠层结构的厚度方向，沟道通孔各部分的宽度不尽相同本发明的用于三维存储器的叠层结构可以弥补在叠层结构中形成的沟道通孔宽度不一致及沟道通孔形貌较差而带来的影响；基于本发明的三维存储器的叠层结构形成的三维存储器中，所有的存储单元编程/擦除速度一致，擦除态耦合效应较好，所有存储单元的性能具有较好的均一性，三维存储器的阈值电压较窄，三维存储器的性能稳定性好。
用于三维存储器结构及其制备方法

[发明专利]用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法-CN201910571659.5有效
发明人：王启光;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明提供一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法，包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；叠层结构内形成有沿叠层结构的厚度方向贯穿叠层结构的沟道通孔，沿叠层结构的厚度方向，沟道通孔各部分的宽度不尽相同本发明的用于三维存储器的叠层结构可以弥补在叠层结构中形成的沟道通孔宽度不一致及沟道通孔形貌较差而带来的影响；基于本发明的三维存储器的叠层结构形成的三维存储器中，所有的存储单元编程/擦除速度一致，擦除态耦合效应较好，所有存储单元的性能具有较好的均一性，三维存储器的阈值电压较窄，三维存储器的性能稳定性好。
用于三维存储器结构及其制备方法

[发明专利]用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法-CN201910571660.8有效
发明人：王启光;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法，包括上下交替叠置的牺牲层及栅间介质层；叠层结构内形成有沿叠层结构的厚度方向贯穿叠层结构的沟道通孔，沿叠层结构的厚度方向，沟道通孔各部分的宽度不尽相同本发明的用于三维存储器的叠层结构中的栅间介质层的厚度与沟道通孔的宽度成反比，可以弥补在叠层结构中形成的沟道通孔宽度不一致及沟道通孔形貌较差而带来的影响；基于本发明的三维存储器的叠层结构形成的三维存储器中，所有的存储单元编程/擦除速度一致，擦除态耦合效应较好，所有存储单元的性能具有较好的均一性，三维存储器的阈值电压较窄，三维存储器的性能稳定性好。
用于三维存储器结构及其制备方法