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[发明专利]数据转换方法及数据转换装置-CN201010116071.X有效
发明人：赵子毅 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：数据转换方法以及装置，用以将一大立方块的三维影像数据转换成多数个小立方块的三维影像数据或是将多数个小立方块的三维影像数据转换成一大立方块的三维影像数据。数据转换方法包括下列步骤：将一三维影像数据标记三维索引；转换三维索引成一写入顺序索引；依照写入顺序索引，将三维影像数据中依序输入至缓冲存储器；根据写入顺序索引计算一读出顺序索引；依读出顺序索引将数据区块依序从缓冲存储器输出此方法以及装置可减少存储器的使用量以及同时降低转换时耗费的时间。
数据转换方法装置

[发明专利]半导体结构、三维存储器及其制备方法和存储器系统-CN202210537453.2在审
发明人：刘佳裔;杜小龙;高庭庭;刘小欣;孙昌志;夏志良 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构、三维存储器及三维存储器的制备方法以及存储器系统。根据本申请的实施方式，三维存储器的制备方法可以包括：在衬底上形成包括第一牺牲层、第二牺牲层和电介质层的叠层结构；形成贯穿叠层结构的沟道孔；通过所述沟道孔氧化处理经由所述沟道孔暴露的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层根据本申请的三维存储器的制备方法，可以在形成阻挡层的同时形成凹槽结构，省略了在形成阻挡层之后在其表面进行刻蚀的工艺步骤，从而简化了制备三维存储器的工艺步骤并改善了因凹槽结构而对沟道孔密度造成的损失。
半导体结构三维存储器及其制备方法系统

[实用新型]考虑钻井液压力的水平有效地应力测试装置-CN201820559649.0有效
发明人：陆彤;吕有厂;高明忠;张建国;汪文勇;刘强;陈海亮;彭高友;王明耀;王飞 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种考虑钻井液压力的水平有效地应力测试装置，包括多光尺相位激光测距仪、三维电子罗盘、数据存储器、透明保护罩、钻机、钻杆和钻头，多光尺相位激光测距仪、三维电子罗盘和数据存储器安装在钻杆外壁上，多光尺相位激光测距仪和三维电子罗盘水平安装，多光尺相位激光测距仪和三维电子罗盘分别通过数据线与数据存储器连接，透明保护罩位于钻杆外壁上，透明保护罩罩住多光尺相位激光测距仪、三维电子罗盘和数据存储器，钻头通过钻杆与钻机连接
相位激光测距仪电子罗盘数据存储器三维透明保护罩有效地应力钻井液压力测试装置钻杆外壁钻头钻杆钻机本实用新型水平安装数据线罩住

[发明专利]三维存储结构制作方法、存储结构、存储器及电子设备-CN201711185087.4有效
发明人：霍宗亮;余德钦;周文斌;高永辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储结构制作方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构制作方法，包括：在衬底上确定核心器件区和外围电路区；在所述核心器件区形成三维存储器件；全面形成第一隔离层；对所述第一隔离层进行全面平坦化，使平坦化后的核心器件区的顶面与外围电路区的顶面持平本发明提供的三维存储结构制作方法，可以避免三维存储器件制程中的热处理过程对外围电路的不良影响，从而可以有效提高外围电路器件电性能及产品良率，同时可以避免三维存储器件的制造过程中引入的等离子体气体扩散进入外围电路
三维存储结构制作方法存储器电子设备

[发明专利]检测三维存储器的结构缺陷的方法及三维存储结构-CN202110877885.3有效
发明人：王班;李文龙;李思晢;陈金星;范光龙;马霏霏 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种检测三维存储器的结构缺陷的方法及三维存储结构。该检测三维存储器的结构缺陷的方法包括：将三维存储结构的存储区导电层接地，其中，所述三维存储结构包括堆叠结构、设置在所述堆叠结构的存储区块上的至少一个位线触点、以及覆盖所述至少一个位线触点并与每个所述位线触点电连接的所述存储区导电层
检测三维存储器结构缺陷方法存储

[发明专利]一种化学机械研磨方法-CN201710132418.1在审
发明人：骆中伟;洪培真;华文宇;夏志良;李思晢 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本方案提供的化学机械研磨方法，在三维存储器的外围电路区域以及存储区域沉积氧化层后，对外围电路区域进行第一道刻蚀，使得外围电路区域的氧化层的最低高度与存储器区域中台阶的最高高度相同；并在三维存储器的氧化层上形成阻挡层；然后对存储区域进行第二道刻蚀，并对三维存储器的阻挡层以及氧化层同时进行化学机械研磨，直至存储区域中台阶区域所对应的氧化层的最低高度等于所述台阶的最高高度；然后再去除三维存储器中剩余的阻挡层。可见，本方案在氧化层的表面形成阻挡层，且，阻挡层的去除速度要比氧化层的去除速度慢，因此增加的阻挡层可以保护存储区域的结构，避免现有技术中由于Dishing defect的影响，提高三维存储器整体工艺均匀性
一种化学机械研磨方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201910002763.2有效
发明人：唐志武;孙坚华;夏季;邵明;王清清 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器包括存储区域，所述存储区域包括至少一个块存储区；所述块存储区包括：第一栅线隔槽，沿第一方向延伸，用于将所述块存储区划分为多个指存储区；第二栅线隔槽，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸，且与所述第一栅线隔槽连接，以平衡所述块存储区内部的应力分布。本发明解决了三维存储器内部应力分布不平衡的问题，改善了三维存储器的性能。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]三维存储器的失效分析方法-CN201910116435.5有效
发明人：鲁柳;宋王琴;张顺勇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。所述三维存储器的失效分析方法包括如下步骤：提供一存储区域，所述存储区域包括多条平行设置的阵列共源极，相邻阵列共源极之间具有插塞，所述插塞的端部用于与字线电连接；获取与失效字线电连接的目标插塞的位置；形成连接线于所述存储区域，所述连接线电连接所述存储区域内的所有阵列共源极；分别引出所述目标插塞与一所述阵列共源极的触点至所述三维存储器外部，以对所述失效字线进行热点定位分析。本发明提高了三维存储器在失效分析过程中热点定位的准确度和定位的效率，确保了三维存储器失效分析结果的可靠性。
三维存储器失效分析方法

[发明专利]三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法-CN202310174400.3在审
发明人：李昇珉;金南局;金保延;金载锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及三维半导体设备和制造三维半导体设备的方法。一种三维半导体设备包括存储器块，该存储器块包括堆叠结构、穿过堆叠结构形成的多个通道塞以及形成在存储器块中的分隔图案，该堆叠结构包括形成在第一子堆叠上方的第二子堆叠。
三维半导体设备制造方法

[发明专利]一种三维扫描系统及三维扫描方法-CN202310475982.9在审
发明人：陈尚俭;叶炳;陈斌;王兆隆;王江峰;郑俊 -专利权人：思看科技（杭州）股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种三维扫描系统及三维扫描方法，其中，该三维扫描系统包括图像采集装置，该图像采集装置包括高速处理器和动态存储器，该高速处理器与该动态存储器连接；该高速处理器，用于接收扫描对象的原始图像数据，并将该原始图像数据存入该动态存储器；该动态存储器，用于暂时存储该原始图像数据，并配合该高速处理器存储和输出该原始图像数据；该高速处理器还用于处理该原始图像数据，获取用于三维重建的有效数据。通过本申请，解决了在特征数据较多的情况下，无法在保证扫描连贯性的基础上避免扫描卡顿的问题，实现了高效、精确的三维扫描系统。
一种三维扫描系统方法

[发明专利]一种三维存储器的制造方法-CN201811634603.1有效
发明人：胡斌;肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器的制造方法。上述三维存储器的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上形成有三维存储器的阵列层；提供第二晶圆，第二晶圆上形成有三维存储器的外围器件层；提供粘结层，粘结层中形成有互连阵列层后段金属的第一互连层；键合第一晶圆、第二晶圆和粘结层以使粘结层在三维存储器的高度方向上连接阵列层和外围器件层；其中粘结层的第一粘结表面与阵列层粘结，粘结层的第二粘结表面与外围器件层粘结，阵列层与外围器件层通过粘结层电连接。
一种三维存储器制造方法

[发明专利]一种三维存储器及其制造方法-CN201910676806.5有效
发明人：何家兰;杨号号 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器及其制造方法，上述三维存储器结构包括衬底；堆叠层结构，位于上述衬底的上方；以及第一沟道通孔，上述衬底的上部对应第一沟道通孔的位置设有绝缘沟槽，上述第一沟道通孔沿上述衬底高度方向贯穿上述堆叠层结构和上述绝缘沟槽本发明还提供了用以制造上述三维存储器的制造方法。根据本发明所提供的制造方法所制造的三维存储器结构稳定，并且第一沟道通孔不会与周围的堆叠层结构旁通，三维存储器的电特性良好。
一种三维存储器及其制造方法

[发明专利]指纹和面部三维图像识别驾驶证-CN201210459890.3无效
发明人：陈达平 -专利权人：陈达平
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明涉及指纹和面部三维图像识别驾驶证，在驾驶证主体上固有公安交管数据和银行数据启动模块和磁条开关，再安装上指纹原始固化存储器、面部三维图像原始固化存储器和指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关；通过指纹和面部三维图像扫描器将指纹和面部三维图像信息传送到指纹原始固化存储器和面部三维图像原始固化存储器内再通过指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关来启动公安交管数据和银行数据启动模块，通过磁条开关启动公安交管数据和银行数据启动模块才能打开个人全部信息，利用指纹和面部三维图像的唯一性保障了驾驶证流通使用的安全性，也避免了个人信息的直观泄漏，实现安全监管和缴费功能及查询一体的目的。
指纹面部三维图像识别驾驶证

[实用新型]指纹和面部三维图像识别驾驶证-CN201220603504.9有效
发明人：陈达平 -专利权人：陈达平
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本实用新型涉及指纹和面部三维图像识别驾驶证，在驾驶证主体上固有公安交管数据和银行数据启动模块和磁条开关，再安装上指纹原始固化存储器、面部三维图像原始固化存储器和指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关；通过指纹和面部三维图像扫描器将指纹和面部三维图像信息传送到指纹原始固化存储器和面部三维图像原始固化存储器内再通过指纹和面部三维图像对比笔对模数转换开关来启动公安交管数据和银行数据启动模块，通过磁条开关启动公安交管数据和银行数据启动模块才能打开个人全部信息，利用指纹和面部三维图像的唯一性保障了驾驶证流通使用的安全性，也避免了个人信息的直观泄漏，实现安全监管和缴费功能及查询一体的目的。
指纹面部三维图像识别驾驶证

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202110428154.0有效
发明人：张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：制备包括沟道结构、栅极间隙结构和阶梯结构的中间体；提供第一衬底，将第一衬底的第一面与中间体的形成有沟道结构、栅极间隙结构和阶梯结构的正面结合；以及在第一衬底的与第一面相对的第二面上形成外围电路根据该制备方法，可有效避免外围电路的电性能由于上述正面形成工艺的热影响而降低，使得结合后的存储器件和外围电路芯片能够共同对抗三维存储器内各膜层所产生的应力，同时简化了制备三维存储器的工艺过程和制备周期，在三维存储器的堆叠层数的增加的情况下，不更换机台也可实现相应的制备制程。
三维存储器及其制备方法