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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010172717.X有效
发明人：闾锦;雷涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括衬底及位于衬底上的堆叠层，堆叠层设有贯穿堆叠层的若干沟道孔及若干栅极线狭缝，若干沟道孔与若干栅极线狭缝间隔设置，且若干栅极线狭缝将若干沟道孔分隔成多个间隔设置的区域；若干沟道孔内形成有存储结构，存储结构沿若干沟道孔轴向设置，且与衬底电性连接，若干栅极线狭缝内的填充结构与衬底绝缘连接。本申请提供的三维存储器避免了堆叠层与若干栅极线狭缝内填充结构的电性连接而导致漏电的情况，从而提高了三维存储器的良率及可靠性。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]具有平台区域的三维存储器设备的相邻存储器阵列之间的连接区域及其制备方法-CN201880019277.5有效
发明人： H·奥加瓦;J·凯 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器阵列设备，该三维存储器阵列设备包括在一对存储器阵列区域(100)之间的中平面平台区域(TR1、TR2)。三维存储器阵列设备的导电层在一对存储器阵列区域之间连续延伸穿过连接区域(600)，该连接区域邻近中平面平台区域设置。接触导电层的接触通孔结构(86)设置在中平面平台区域中，并且延伸穿过交替堆叠并连接到下面的下部金属互连结构和半导体设备的直通存储器级通孔结构(20)可以穿过中平面平台区域和/或穿过连接区域设置。上部金属互连结构可以连接接触通孔结构和直通存储器级通孔结构。
具有平台区域三维存储器设备相邻阵列之间连接及其制备方法

[发明专利]三维存储器、检测装置、三维存储器装置及检测方法-CN202110527922.8有效
发明人：何雪松 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器、检测装置、三维存储器装置及检测方法，该三维存储器包括：存储平面，包括多个存储块组，每个所述存储块组包括至少一个存储块以及至少一个用于分隔相邻存储块的子源极线；开关单元，包括分别对应于所述多个存储块组的多个开关子单元，每个开关子单元设置在相应的存储块组与公共源极线之间，以控制相应的存储块组中的子源极线与公共源极线之间的连接或断开。本申请所提供的三维存储器装置通过设置开关单元断开漏电存储单元所对应的子源极线与公共源极线的连接，进而避免公共源极线的大范围漏电，提高了器件的良率。
三维存储器检测装置方法

[发明专利]一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法-CN201910315825.5有效
发明人：缪向水;钱航;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明属于半导体存储器领域，具体公开了一种应用于三维闪存的应变硅沟道及其制备方法，其中应用于三维闪存的应变硅沟道由Si原子与Ge原子构成；该应变硅沟道设置在用于构成三维闪存存储器的闪存存储串上，任意一个所述闪存存储串均呈三维堆叠结构垂直设置在衬底上本发明通过对沟道材料的具体组分及相应沉积工艺等进行改进，可解决现有技术中三维闪存存储器其沟道工艺存在的开态电流低，以及堆叠层数增加面临的驱动及器件均一性等难题，本发明利用应变硅技术进行垂直沟道的制备，可以有效提高沟道载流子迁移率并且弥补沟道掺杂引起的库伦相互作用
一种应用于三维闪存应变沟道及其制备方法

[发明专利]具有使得能够实现多维中的不同访问模式的配线结构的存储器架构-CN201480036153.X有效
发明人：阿尔泊·布约克托苏诺格鲁;菲利普·G·埃玛;艾伦·M·哈特斯坦;M·B·海利;K·K·凯拉斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：提供了多维存储器架构，所述多维存储器架构具有使得能够实现多维中的不同访问模式的访问配线结构。此外，提供了三维多处理器系统，所述三维多处理器系统包括多维缓存存储器架构，所述多维缓存存储器架构具有使得能够实现多维中的不同访问模式的访问配线结构。
具有使得能够实现多维中的不同访问模式结构存储器架构

[发明专利]三维NOR型阵列的存储器装置-CN201110189060.9有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器装置。该三维存储器装置包括多个脊形的存储器单元的叠层。字线排列在存储器单元的叠层的上方。位线结构耦合至沿着存储器的叠层的多重位置。
三维 nor 阵列存储器装置

[发明专利]一种三维存储器阵列结构及其制造方法-CN201110298260.8有效
发明人：潘立阳;袁方 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器阵列结构及其制造方法，该三维存储器阵列由基于相互串联的栅控PNPN垂直选择管和阻变或相变单元的存储单元在三维空间衍生形成。通过具有高开关电流比的存储单元，有效改善存储阵列操作时的相邻单元之间的串扰和漏电问题，并且简化存储单元结构，实现多层堆叠，提高存储密度。
一种三维存储器阵列结构及其制造方法

[发明专利]三维集成芯片及其构建方法、数据处理方法、电子设备-CN202111237509.4有效
发明人：周小锋 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维集成芯片及其构建方法、数据处理方法、电子设备。本发明涉及通过三维异质集成的逻辑晶圆或逻辑芯片以及存储器晶圆或存储器芯片所实现的高性能及超算计算系统，所述高性能及超算计算系统能够实现更高的存储器带宽、更低的存储器功耗以及更低的延迟，还可以通过纵向堆叠多层存储器晶圆来实现存储器容量和存储器带宽的扩展
三维集成芯片及其构建方法数据处理电子设备

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN201810573892.2在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其制造方法。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层本发明避免了SEG方法形成的台阶区域支撑柱形貌不均匀的问题，确保了三维存储器的产率，并提高了三维存储器的性能。
三维存储器衬底导电支撑柱堆叠结构台阶区域栅极层垂直半导体制造技术形貌电性隔离依次排列不均匀隔离层支撑柱产率制造贯穿

[发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器-CN201910151716.4在审
发明人：薛磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器，该三维存储器包括一种三维存储器，包括衬底、经掺杂的阱区、位于所述衬底上的堆叠层以及垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构。
三维存储器阱区沟道结构堆叠层衬底掺杂的沟道层衬底接触垂直穿过硅外延层栅极层沟道侧面

[发明专利]三维存储器的制备方法及三维存储器-CN202110583956.9在审
发明人：刘小欣;薛磊 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器的制备方法及三维存储器，所述制备方法包括：提供所述衬底；在所述衬底上依次形成待换层和所述堆叠结构，所述堆叠结构包括绝缘层和牺牲层；蚀刻所述堆叠结构以形成所述栅极隔槽，所述栅极隔槽露出所述待换层本申请的三维存储器的制备方法解决了横向生长的外延结构影响底部选择栅极的电性能，以致三维存储器的制备良率降低的问题。
三维存储器制备方法

[发明专利]一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器-CN201710772625.3有效
发明人：程媛;李冠男;王家友;郭海峰 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器沟道的制备方法及三维存储器，所述三维存储器的制备方法在第二沟槽中形成单晶硅立柱之前，先根据衬底上所有的第二沟槽的高度和深度参数确定所述衬底各区域的单晶硅生长工艺参数；然后根据所述衬底各区域的单晶硅生长工艺参数在所述第二沟槽中进行单晶硅的生长，实现生长高度均一的单晶硅立柱的目的，为后续沟道的沉积提供了良好的基础，从而提升了后续形成的沟道的质量，进而提升了三维存储器的电学性能。
一种三维存储器沟道制备方法

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202010195139.1有效
发明人：吴林春;张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：衬底；外延层，所述外延层设于所述衬底上；堆叠结构，所述堆叠结构包括多个层叠于所述外延层上的绝缘层/栅极层交叠层；多排沟道结构，每排所述沟道结构包括多个间隔排列的NAND串，每个所述NAND本申请解决了现有的三维存储器的外延层在制作工艺中容易形成空隙，影响三维存储器的电性能的问题。
三维存储器及其制备方法

[实用新型]三维存储器-CN201820879997.6有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器。所述三维存储器，包括：衬底；堆叠结构，形成于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次排列的若干栅极层，所述堆叠结构的端部具有台阶区域；导电支撑柱，沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述台阶区域的堆叠结构；隔离层本实用新型避免了SEG方法形成的台阶区域支撑柱形貌不均匀的问题，确保了三维存储器的产率，并提高了三维存储器的性能。
三维存储器衬底导电支撑柱堆叠结构台阶区域栅极层本实用新型垂直半导体制造技术形貌电性隔离依次排列不均匀隔离层支撑柱产率贯穿

[实用新型]一种基于三维人脸识别的远程控制基站门禁系统-CN201420850569.2有效
发明人：张会林;孙利华 -专利权人：苏州福丰科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于三维人脸识别的远程控制基站门禁系统，包括控制器、存储器、手掌静脉识别仪、电子锁、计算机和三维人脸识别仪，所述控制器、存储器、手掌静脉识别仪和电子锁设置在基站侧，所述计算机和三维人脸识别仪设置在机房侧，所述存储器、手掌静脉识别仪和电子锁均与控制器连接，所述控制器与计算机连接，所述三维人脸识别仪与计算机连接。
一种基于三维识别远程控制基站门禁系统

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