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[发明专利]通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件-CN201680047973.8有效
发明人： S·S·S·维古纳塔;G·达马尔拉;J·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：描述了一种具有阵列区域和周边区域的三维存储器器件。所述阵列区域具有存储单元的三维堆叠体。所述周边区域具有从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部。所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层。
通过有源挖掘工艺具有隔离周边接触三维存储器器件

[发明专利]集成电路三维存储器阵列及制造方法-CN201010243792.7无效
发明人：龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路三维存储器阵列及制造方法，涉及基于导体柱阵列及多个图案化导体平面的三维存储器元件及其制造方法，多个图案化导体平面包括邻接左侧及右侧界面区的导体柱的左侧及右侧导体。左侧及右侧界面区中的存储器构件包括一个可编程构件及一个整流器。可使用二维译码来选择导体柱，且使用在第三维上的译码，结合左及右侧的选择，来选择多个平面中的左侧及右侧导体。
集成电路三维存储器阵列制造方法

[发明专利]三维存储器-CN202010655097.5在审
发明人：徐伟;杨星梅;王健舻;吴继君;黄攀;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题。所述三维存储器包括沟道结构以及半导体柱塞，半导体柱塞穿过最靠近衬底栅极层及衬底，并与沟道结构的沟道层接触，或者沟道结构穿过最靠近衬底的栅极层，并与位于衬底上的半导体柱塞接触；从而沟道层通过半导体柱塞与衬底接触并形成电连接本发明提供的三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与第一沟道孔连接处的功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。
三维存储器

[发明专利]三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统-CN202111647275.0在审
发明人：徐前兵;高晶;李思晢;赵婷婷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器、三维存储器的制作方法及存储系统，包括：形成基底；在基底上形成贯穿有第一沟道孔的第一堆栈结构，第一堆栈结构包括在垂直于基底的方向上多层交替层叠设置的第一栅极牺牲层和第一绝缘层，且第一堆栈结构远离基底的一端为第一栅极牺牲层；在第一堆栈结构上形成贯穿有第二沟道孔的第二堆栈结构，第一沟道孔与第二沟道孔连通；在第一沟道孔和第二沟道孔中形成沟道结构，从而，能够改善三维存储器中栅极层之间漏电的问题，提高了三维存储器的良率及可靠性。
三维存储器制作方法存储系统

[发明专利]用于在三维集成半导体存储器中产生竖直沟道结构的方法-CN202211137980.0在审
发明人：克里斯托夫·库特 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在生产三维集成半导体存储器时在层堆叠中产生竖直沟道结构的方法、一种用于三维集成半导体存储器的生产中的层堆叠以及一种具有该层堆叠的三维集成半导体存储器。本发明具体涉及一种在三维集成半导体存储器的生产中的特定方法步骤(沟道孔蚀刻)。根据本发明，该方法步骤的特征在于，通过应用阳极蚀刻方法来产生由此待产生的竖直沟道结构(112)，即所谓的沟道孔。因此，可以增加待处理的层堆叠(100)内的单独层(101、102)的数量，从而可以显著增加层堆叠(100)的存储容量。
用于三维集成半导体存储器产生竖直沟道结构方法

[发明专利]三维存储器-CN202010655143.1有效
发明人：徐伟;杨星梅;王健舻;吴继君;黄攀;周文斌 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器，属于半导体存储技术领域，其旨在解决对位于沟道孔底部的沟道结构进行开口时，损伤位于第一沟道孔和第二沟道孔连接处的功能层的问题。所述三维存储器其包括半导体层，半导体层穿过最靠近衬底的栅极层并与衬底接触，并且在平行于衬底的方向，半导体层穿过最靠近衬底的功能层并与沟道层接触；从而沟道层通过半导体层与衬底接触并形成电连接。本发明提供的三维存储器，能够在实现衬底与沟道层电性连接的同时，可避免损伤位于第二沟道孔与第一沟道孔连接处的功能层，提高三维存储器的良率和可靠性。
三维存储器

[发明专利]用于三维存储器的晶圆三维集成引线工艺及其结构-CN201710775893.0有效
发明人：朱继锋;陈俊;胡思平;吕震宇 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆三维集成引线工艺及其结构，该工艺可应用于三维存储器晶圆的晶圆三维集成工艺中。通过在第一晶圆11和三维存储器件14之间设置介质层13，并将用于金属互联的接触孔15设置为与该介质层13接触，本发明的目的就是要提供一种新的晶圆三维集成引线工艺及其结构，使得可以穿过较厚的器件层实现背面引线
用于三维存储器集成引线工艺及其结构

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN201910149876.5在审
发明人：刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种三维存储器及其制作方法，三维存储器包括半导体结构和堆叠结构，其中半导体结构具有外围电路；堆叠结构位于外围电路上，堆叠结构包括核心区及字线连接区，核心区具有沟道孔，沟道孔中形成有存储器膜及沟道层，字线连接区具有贯穿字线连接区的接触孔，接触孔中形成有绝缘侧壁及导电支撑柱，导电支撑柱连接外围电路。本发明可有效利用字线连接区的面积，减小外围电路引出所需占用的周边区的面积，提高了三维存储器的集成度及性能，同时，本发明可避免接触孔底部填入多晶硅而造成器件的短路或漏电，提高三维存储器的电学稳定性及良率。
三维存储器外围电路连接区字线堆叠结构接触孔半导体结构导电支撑柱核心区沟道半导体设计电学稳定性存储器漏电绝缘侧壁多晶硅沟道层集成度周边区短路减小良率填入制作占用贯穿制造

[发明专利]包含双终端选择器的三维NAND存储器器件及其使用和制造方法-CN201980083341.0在审
发明人：连佑中;袁家辉;D·杜塔;C·佩蒂 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电字线层的交替堆叠，以及多个竖直存储器串。每个竖直存储器串包括存储器堆叠结构和选择器元件的串联连接。该存储器堆叠结构中的每一个存储器堆叠结构延伸穿过该交替堆叠并且包括相应的存储器膜和相应的竖直半导体沟道。该选择器元件中的每一个选择器元件包括被配置为提供至少两种不同电阻率状态的双终端器件。
包含终端选择器三维 nand 存储器器件及其使用制造方法

[发明专利]三维图像产生方法及装置-CN201210090525.X有效
发明人：陈建宏 -专利权人：华晶科技股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种三维图像产生方法及装置。此方法包括在第N时序时，通过第一控制单元接收第N个左眼图像并储存于第一存储器单元的下载缓冲存储器中。通过第二控制单元接收第N个右眼图像并储存于第二存储器单元的下载缓冲存储器中。其中N为1至M的正整数，M为正整数。接着，在第(N+1)时序时，通过数据传输接口自第二控制单元接收第N个右眼图像并储存于第一存储器单元的接收缓冲存储器中。然后，在第(N+2)时序时，合并第N个左眼图像与第N个右眼图像以产生第N个三维图像，并储存于第一存储器单元的播放缓冲存储器中，以供三维显示装置进行播放。
三维图像产生方法装置

[发明专利]三维存储器及其制备方法-CN202111036499.8在审
发明人：张坤;周文犀 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本申请提供三维存储器及其制备方法。该三维存储器可以包括：位于衬底或半导体层一侧的叠层结构；栅线隙结构，贯穿叠层结构；以及多个连接结构，位于栅线隙结构上，并连接叠层结构分别位于栅线隙结构两侧的部分，使得栅线隙结构的顶部部分分段。根据本申请的三维存储器具有改善的结构稳定性和晶圆翘曲度，且工艺窗口大、实施成本低。
三维存储器及其制备方法

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202010001561.9有效
发明人：伍术;黄诗琪;薛磊;华子群 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维存储器及其制作方法。所述三维存储器包括：衬底；形成于所述衬底上的堆栈层；形成于所述堆栈层上方的封装层；以及，与所述封装层连接，并沿垂直于所述衬底的纵向延伸至所述堆栈层底部的衬底上的金属通道组件；其中，所述金属通道组件供氢通过并扩散至所述堆栈层，从而提高堆栈层中栅极界面的修复效果，进而提高三维存储器件的性能。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202110817691.4有效
发明人：秦周铉;张坤 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，所述三维存储器包括：衬底、位于衬底上的存储堆叠结构以及穿过存储堆叠结构的沟道结构；其中，沟道结构包括沟道层，沟道层具有依次相接的多个相同导电类型的掺杂区；其中，每个掺杂区内的掺杂浓度相同本申请提供的三维存储器在掺杂区的相接界面形成相反的感应电荷，从而生成感应电场，增强了空穴传输效率，提升了擦除质量并缩短了擦除时间。
三维存储器及其制造方法

[发明专利]一种用于SLAM的已知自身位姿的光束平差法FPGA加速器-CN201911113747.7有效
发明人：刘强;秦书臻 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于SLAM的已知自身位姿的光束平差法FPGA加速器，其雅各比矩阵更新和成本函数计算单元通过Zynq的PL端电路实现，PL端电路包括与PL端的控制器连接的相机旋转处理单元、三维点投影处理单元，所述相机旋转处理单元、三维点投影处理单元的输入端各自通过一个输入FIFO连接片外存储器，所述相机旋转处理单元的输出端与片上存储器的输入端连接，所述片上存储器的输出端连接所述三维点投影处理单元的输出端，所述三维点投影处理单元的结果输出端通过输出FIFO与片外存储器的计算结果输入端连接。
一种用于 slam 已知自身光束平差法 fpga 加速器

[发明专利]三维存储器的制备方法-CN202011480067.1在审
发明人：王二伟;杜明利;李君 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了三维存储器的制备方法，包括提供初始三维存储器，初始三维存储器包括衬底、覆盖衬底的堆栈结构、以及贯穿堆栈结构的NAND串，NAND串背离衬底的一侧具有凹槽。并且由于第二插塞层在湿法蚀刻时未被破坏，可进一步保护第二插塞层覆盖的三维存储器的结构，保证了三维存储器结构的完整性。
三维存储器制备方法