[发明专利]用等离子体聚合反应来改善制冷和空调用金属的表面无效
| 申请号： | 98805947.9 | 申请日： | 1998-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN1116438C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 高锡勤;郑炯镇;崔原国;姜炳夏;金起焕;河三喆;金铁焕;崔成昌 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术研究院;LG电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种利用等离子体聚合进行表面处理的方法，该方法通过DC放电等离子体对金属表面进行处理以提高该金属在制冷和空调装置中的应用，包括如下步骤：在反应室内安装阴极电极和表面待改进的金属基质的阳极电极；将反应室内的压力维持在预定的真空度下；向反应室内送入反应气体，所述反应气体包括预定压力的不饱和脂肪烃单体气或含氟单体气和含硅单体气，和预定压力的非聚合气；以及为获得DC放电，向电极施加电压，以此获得由不饱和脂肪烃单体气和非聚合气产生的正、负离子和游离基所组成的等离子体，然后通过等离子体沉积在阳极电极表面上形成具有亲水性的聚合物。本发明还提供了利用RF等离子体通过等离子聚合反应对金属进行表面出来的方法，以提高该金属在制冷和空调装置中如在构造热交换器中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 聚合 反应 改善 制冷 调用 金属 表面 | ||
【主权项】：
1.一种利用DC放电等离子体通过等离子体聚合对金属表面进行表面处理的方法，该方法用以提高该金属在制冷和空调装置中的应用性，包括如下步骤：(a)在反应室内安装阴极电极和表面待改进的金属基质阳极电极；(b)将反应室内的压力维持在预定的真空度下；(c)向反应室内送入反应气体，所述反应气体包括预定压力的不饱和脂肪烃单体气和预定压力的非聚合气；和(d)为获得DC放电，向电极施加电压，以此获得由不饱和脂肪烃单体气和非聚合气产生的正、负离子和游离基所组成的等离子体，然后，通过等离子体沉积在阳极电极表面上形成聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国科学技术研究院;LG电子株式会社，未经韩国科学技术研究院;LG电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98805947.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电池寿命测定设备和电池寿命测定方法
- 下一篇：燃气轮机用喷嘴
- 同类专利
- 一种薄膜沉积设备、组装方法及减振连接器-202310954890.9
- 唐仁鹏;董文惠;路希龙;何吉超 - 拓荆科技(上海)有限公司
- 2023-07-31 - 2023-10-27 - C23C16/44
- 本发明提供了一种薄膜沉积设备、组装方法及减振连接器。所述薄膜沉积设备包括：主体框架，其上设有至少一个动作机构；工艺腔室，经由减振连接器连接所述主体框架，用于配合所述动作机构对待加工晶圆进行薄膜沉积；以及所述减振连接器，包括连接所述主体框架的第一接头、连接所述工艺腔室的第二接头，以及连接所述第一接头及所述第二接头的阻尼机构。基于这些配置，该薄膜沉积设备能够吸收主体框架上各种阀门及气液管道内部流体的动作产生的微振动，以提升薄膜沉积质量，并减小设备本身由振动带来的危害，以提高设备的工作寿命。
- 包括排气管的衬底处理设备-202310389478.7
- 任平 - ASM IP私人控股有限公司
- 2023-04-12 - 2023-10-27 - C23C16/44
- 公开了一种衬底处理设备。示例性衬底处理设备包括设置有室壁的反应室；设置在反应室内以支撑衬底的基座；气体供应单元，用于向衬底供应气体；以及设置在反应室内的排气管，包括：包括第一内端和第二内端的内环；其中第一内端配置为接触室壁的底部；以及设置有多个孔的外环，该外环包括第一外端和第二外端；其中第一外端配置为接触室壁的一侧，第二外端配置为与第二内端接合。
- 衬底处理装置及其镀膜挡件-202310957414.2
- 陈信夫 - 长鑫科技集团股份有限公司
- 2023-07-28 - 2023-10-27 - C23C16/44
- 本公开涉及一种衬底处理装置及其镀膜挡件，衬底处理装置的镀膜挡件包括：第一挡件及第二挡件。第一挡件抵接于反应腔室的顶壁或与反应腔室的顶壁设有第一间隙。第二挡件抵接于反应腔室的侧壁或与反应腔室的侧壁设有第二间隙，第二挡件的顶部与第一挡件相连，并环绕第一挡件的边缘周向设置，使第一挡件与第二挡件的顶部形成密封，这样反应腔室内部在真空泵的作用下形成的负压对第一挡件与反应腔室的顶壁之间的第一间隙不产生影响，即第一挡件与反应腔室的顶壁之间的第一间隙不再产生负压气流场，进而便无法将源组件的源气体通过窗口吸入第一间隙并转移到反应组件对应的反应区域，从而减小颗粒杂质的产生，且提高衬底表面上沉积的膜层均一性。
- 气体配管调温系统及温度动作装置-202280019860.2
- 高桥克典;田村达基 - 埃地沃兹日本有限公司
- 2022-03-22 - 2023-10-27 - C23C16/44
- 提供能够防止伴随着气体配管的过升温而发生的凸缘连接部的密封部件的烧坏、因该烧坏造成的气体泄漏的便宜的气体配管调温系统及温度动作装置。通过对于凸缘连接部能够进行温度调整，能够防止有可能伴随着气体配管部分的过升温而发生的密封部件的烧坏。当由温度动作部检测到的温度成为设定温度以上时，温度动作部动作，将从电源向加热器的电力的供给切断，由此来进行该温度调整。为了防止该密封部件的烧坏，在凸缘连接部的周围直接配置温度动作部，或者在被确认是与凸缘连接部的周围大致相同温度的与凸缘连接部相邻的气体配管周围配设温度动作部。由此，通过间接地检测该凸缘连接部的周围温度，能够进行凸缘连接部的温度调整、警报。
- 热丝化学气相沉积装置-201980057931.6
- 高桥哲也;广田悟史;R·克莱默 - 株式会社神户制钢所
- 2019-08-19 - 2023-10-27 - C23C16/44
- 本发明提供能够一边稳定地矫正伴随热膨胀的丝的弯曲，一边进行对基材的包覆处理的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置（1）具有腔室（2）、支撑多个基材（5）的基材支撑体（4）、多个丝（60）、第一框部（61）及第二框部（62）、电源（81）、驱动部（82）、驱动控制部（802）、运算部（803）以及温度信息获取部（807）。温度信息获取部（807）获取伴随施加电压而变化的多个丝（60）的温度信息。运算部（803）基于所获取的温度信息运算多个丝（60）的热膨胀量。驱动控制部（802）根据运算部（803）运算出的热膨胀量使第二框部（62）从第一框部（61）离开。
- 一种液态源瓶及半导体工艺设备-202111342420.4
- 朱海云 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2021-11-12 - 2023-10-27 - C23C16/448
- 一种液态源瓶及半导体工艺设备，用于半导体工艺设备中，液态源瓶包括瓶体和自上向下依次设于瓶体内的多个盛液池；瓶体的顶部设有进气口和出气口；多个盛液池分别通过进气管路与进气口连通，通过出气管路与出气口连通。本发明涉及的液态源瓶，采用在一个源瓶内设置多层盛液池的方式，在不增加源瓶体积的基础上，大大增加液态源的蒸发量，满足大产能的半导体工艺设备的工艺需求。
- 金刚石电极材料沉积设备、金刚石电极材料及其制备方法-202310898898.8
- 王玉宝;赵小玻;魏华阳;曹延新;王晓玲;张哲;张鑫维;张敬群;刘明昭;潘信君 - 中材人工晶体研究院（山东）有限公司
- 2023-07-21 - 2023-10-24 - C23C16/44
- 本发明属于导电金刚石电极材料制备技术领域，具体地说涉及金刚石电极材料沉积设备、金刚石电极材料及其制备方法，所述沉积设备包括滚筒和发热体，所述滚筒两端均设有开口，所述发热体位于滚筒内部并从开口伸出；所述发热体位于滚筒中轴线与滚筒内壁之间；所述滚筒的一端设有第一安装座，所述第一安装座上设有第一通孔，所述第一通孔的中心位于滚筒的中轴线上。管状或棒状电极基体穿过第一通孔固定于滚筒内腔中，粒子电极基体铺设于滚筒的内壁上，从而实现对管状或棒状电极基体和粒子电极基体同时沉积BDD膜层，随着滚筒转动，能够使管状或棒状电极基体和粒子电极基体表面BDD膜层沉积均匀。
- 用于处理腔室的改良的隔离器-202280014221.7
- A·达纳克什鲁尔;S·佩马萨尼;M·G·库尔卡尼;M·S·K·穆蒂亚拉 - 应用材料公司
- 2022-03-25 - 2023-10-24 - C23C16/44
- 本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
- 前驱体输出装置和原子层沉积设备-202311205372.3
- 邵大立;史皓然;齐彪;陆淋康;刘子婵;李宇晗 - 上海星原驰半导体有限公司
- 2023-09-19 - 2023-10-24 - C23C16/448
- 本申请涉及一种前驱体输出装置和原子层沉积设备。前驱体输出装置包括第一分配单元和第二分配单元，当第二分配单元的第二分配腔内的气压未处于预设值时，通过第一分配单元向第二分配腔内注入前驱体气体，直至第二分配腔内的前驱体气体的气压达到第一预设值。如此，在沉积过程中，无论是在哪一个脉冲阶段，只有当第二分配腔内的气压满足要求时，主管路才会导通，才会通过主管路向反应腔内通入前驱体气体进行薄膜沉积，因此能够保证各个脉冲阶段输出到反应腔的前驱体气体的气压稳定性，从而有效提升所沉积的各层薄膜的厚度和组分的均一性，进而保证成膜质量。
- 乙炔流体供应包装件、包括其的系统以及使用其制造半导体器件的方法-202280014874.5
- 阿什维尼·K·辛哈;宋雪梅;W·S·凯恩;Y-J·曹;W·钟;Y·韩 - 普莱克斯技术有限公司;三星电子株式会社
- 2022-02-11 - 2023-10-20 - C23C16/448
- 本发明描述了包含至少部分地溶解在改进的溶剂中的乙炔流体的组合物。改进的溶剂表现出非毒性并且进一步的特征在于低蒸气压，以最小化在乙炔流体递送期间的溶剂携带，同时保持合适的乙炔增溶能力。
- 一种雾化辅助CVD薄膜制备装置雾流控制方法-202310625458.5
- 肖黎;樊俊良;秦源涛;严昊;龚恒翔 - 重庆理工大学
- 2023-05-30 - 2023-10-20 - C23C16/448
- 本发明公开了一种雾化辅助CVD薄膜制备装置雾流控制方法，使载气按照预设速率进入雾化源系统，然后携带前驱体气溶胶颗粒进入反应腔室，进入反应腔室的导流细通道内的雾流流速不断提升，雾流在导流细通道内参与反应沉积薄膜；接着抽气泵工作抽离残余气体，使反应腔室出口端抽离气体速率高于经过导流细通道进入反应腔室出口端的雾流速率，通过压差计示数反馈，调整载气供给系统的质量流量计预设速率与抽气泵功率，使压差计示数维持在规定范围，开始薄膜生长。本发明通过改善雾化辅助CVD装置中雾流的流动状态，从而使进入反应腔室中的气溶胶颗粒能够以更平稳的状态参与反应，减小了紊流对薄膜制备的不利影响，提高薄膜制备的结晶质量与表面形貌。
- 一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法-202310921046.6
- 刘肖朦;陶海龙;张启辉 - 拓荆科技(上海)有限公司
- 2023-07-25 - 2023-10-20 - C23C16/44
- 本发明公开了一种薄膜沉积系统和薄膜沉积的前置结构及其吹扫方法。前置结构包括：蒸汽钢瓶，其内部装有用以薄膜沉积的前驱体蒸汽，通过第一通路连接反应腔；压力测试薄膜规支路，设置于第一通路的支路上，通过压力测试薄膜规用以监控第一通路内的压力；以及吹扫支路，一端连接压力测试薄膜规支路，另一端连接从第一通路上分支出的尾排管路，吹扫支路、第一通路、压力测试薄膜规支路与尾排管路形成环状的吹扫回路，从第一通路中通入吹扫气体，吹扫气体完整地流经吹扫回路，以排出压力测试薄膜规支路内残留的前驱体蒸汽，吹扫支路上包括检测器，用以检测压力测试薄膜规支路内残留的前驱体蒸汽的化学源残余含量。
- 一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法-202310666626.5
- 周芸福;黎微明;许允昕;郭云飞;许所昌 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 2023-06-06 - 2023-10-20 - C23C16/44
- 本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。
- 一种作用于圆管的垂直式热丝CVD沉积系统-202320556173.6
- 张旭;陈涛;俞健;叶蕾;郭丛 - 西南石油大学
- 2023-03-21 - 2023-10-20 - C23C16/44
- 本实用新型属于超硬材料制备设备领域，具体涉及一种作用于圆管的垂直式热丝CVD沉积系统，包括圆管夹紧装置，所述圆管夹紧装置转动连接在顶架的外壁上，所述顶架的下侧可拆卸连接有支撑挂杆，所述支撑挂杆的下侧可拆卸连接有杆座，所述杆座固定连接在滑块的外壁上，所述滑块滑动连接在滑轨的外壁上，所述顶架的外壁上固定连接有金属杆，所述支撑挂杆与金属杆的外壁上均设置有热丝。该作用于圆管的垂直式热丝CVD沉积系统与传统水平式CVD法相比，结构更加简单，垂直式热丝架的热丝分布在中间和两侧，可对圆管的内外同时进行沉积，极大提高了沉积速度，降低生产成本，提高了生产效率，同时能满足均匀沉积，减少沉积厚度不统一带来的影响。
- 用于室盖冷却的方法和设备-202310318742.8
- A·金蒂;A·法德尼斯;K·范德如里奥;T·菲茨杰拉德 - ASM IP私人控股有限公司
- 2023-03-29 - 2023-10-17 - C23C16/44
- 一种用于半导体处理的反应器系统，例如用于化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)和其他沉积步骤，其利用具有两个或更多个反应室的反应器模块。反应器系统包括冷却系统的部件，以在包围包含反应室的壳体或容器的室盖上提供增强的温度均匀性。部分地，冷却系统适于利用对流传热，并且包括位于反应室喷淋头的外部部分之间的中心空间中的室盖中心的带翅片的散热器。此外，冷却系统包括风扇，该风扇定位成使其出口位于中心空间并位于带翅片的散热器上方，使得空气被导入中心空间并到散热器上。
- 排气机构及气体加工设备-202320554316.X
- 张蕴瑜;周芸福;王新征 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 2023-03-21 - 2023-10-17 - C23C16/44
- 本实用新型涉及一种排气机构，包括气箱、连接管路及排气组件，气箱用于包围预设位置，连接管路一端与所述气箱连接；排气组件与所述连接管路的另一端连接，以通过所述连接管路抽出所述气箱内的气体。通过设置上述的排气机构，气箱将容易泄漏危险气体的预设位置包围起来，以在预设位置发生泄漏时接收泄漏的气体，然后排气组件通过连接管路将气箱内的气体抽出，并将气体按要求排放。由于气箱只需要包围预设位置，气箱的体积较小，有效地增加了排气压力，从而确保气体通过连接管路及排气组件排出，避免气体泄漏至外界，确保安全性。本实用新型还涉及一种气体加工设备。
- 一种薄膜沉积设备-202310919712.2
- 刘镇颉;宋宇;柳雪;叶五毛;孙晓波;连德宝;殷皓 - 拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
- 2023-07-25 - 2023-10-10 - C23C16/44
- 本发明公开了一种薄膜沉积设备，包括：气体传输装置，其一端连接供气设备，以获取气态反应源，另一端连接反应腔；过滤装置，设置于所述气体传输装置中，用以过滤所述气态反应源中的杂质颗粒，向所述反应腔输送所述气态反应源中的反应气体；以及所述反应腔，获取所述反应气体以进行半导体沉积工艺。上述薄膜沉积设备能够及时收集气态反应源中的杂质颗粒，尤其是针对微小的杂质颗粒对其设有二次过滤，避免微小的杂质颗粒随着气流一并前行，长时间后堵塞管路中的气动阀门，不仅延长了过滤装置的使用时间，而且也延长了气动阀门的使用寿命，保证了反应腔内真空吸附功能的稳定性，进而优化薄膜沉积的颗粒度表现。
- 一种化学物质输送系统及方法-202310782006.8
- 龚炳建;许所昌;宋道甫 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 2023-06-28 - 2023-10-10 - C23C16/448
- 本申请提供一种化学物质输送系统及方法，载气进气口通过第一载气支路与汽化器连接，且通过第二载气支路与液体化学物质箱连接；液体化学物质箱通过液体化学物质输送管路，与汽化器连接；汽化器中的快速隔膜阀的进气口与第一载气支路连接；快速隔膜阀的气液出口与汽化器的腔体连接；快速隔膜阀的进液口与液体化学物质输送管路连接；汽化器通过工艺气体沉积管路，与工艺气体沉积的反应腔体连接；快速隔膜阀用于在向反应腔体输送化学蒸汽时开启，在对反应腔体进行吹扫时关闭。通过快速隔膜阀可将响应时间缩短，实现快速将大量化学物质输入反应腔体，满足微观结构复杂的工艺气体沉积的需求。
- 一种石墨盘烘烤除杂装置-202320470739.3
- 李林;朱建海;刘坚;欧辉映 - 福建兆元光电有限公司
- 2023-03-13 - 2023-10-10 - C23C16/44
- 本实用新型涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种石墨盘烘烤除杂装置，所有所述吹气孔均匀设置在烘烤桶的底面中部；所述治具设置在烘烤桶中，多个所述石墨盘互相平行且间隔设置，所述石墨盘竖直设置在治具上，所述治具在石墨盘的侧边沿；所述烘烤桶具有顶盖，所述导流圆锥尖端朝下且设置在顶盖内壁的中部。本实用新型的有益效果在于：本实用新型提供的石墨盘烘烤除杂装置中，所述吹气孔向上吹出除杂气体，石墨盘和治具的方位设置，使除杂气体流过石墨盘表面之间的间隙，避免了石墨盘和治具阻挡除杂气体的流动。除杂气体在经过石墨盘后，被导流圆锥和顶盖导流而在烘烤桶中形成涡流，这提高了除杂气体与石墨盘接触的机会。
- 一种化学物质输送系统及方法-202310783458.8
- 龚炳建;许所昌;侯永刚 - 江苏微导纳米科技股份有限公司
- 2023-06-28 - 2023-10-03 - C23C16/448
- 本申请提供一种化学物质输送系统及方法，载气进气口通过第一载气支路与汽化器连接，载气进气口通过第二载气支路分别与第一和第二阀门连接；第一阀门连接前级管路，第二阀门连接反应腔体；汽化器通过液体化学物质输送管路，与液体化学物质输送系统连接；汽化器通过薄膜沉积管路分别与第三和第四阀门连接；第三阀门连接前级管路，第四阀门连接反应腔体；第一阀门和第四阀门用于在输送化学蒸汽时开启，在进行吹扫时关闭；第二阀门和第三阀门用于在进行吹扫时开启，在输送化学蒸汽时关闭。从而本申请通过四个阀门之间的快速切换，可快速将大量化学物质输入反应腔，满足微观结构复杂的薄膜沉积的需求。
- 一种镀膜装置及镀膜设备-202321255196.X
- 胡进;李鹏辉;秦伟 - 浙江脉通智造科技（集团）有限公司
- 2023-05-19 - 2023-10-03 - C23C16/44
- 本实用新型涉及镀膜技术领域，公开了一种镀膜装置，包括：传动轴、支架、连接件及安装组件；传动轴用于传动连接驱动机构；支架固定连接所述传动轴，连接件固定连接支架；安装组件包括固定架、可动件和调节件，固定架经由连接件可转动地连接支架，可动件和调节件均可活动地设置于固定架上；调节件带动可动件相对固定架活动，使可动件配合固定架以固定工件或释放工件。本实用新型还公开了一种镀膜设备，包括驱动机构和如上述的镀膜装置，驱动机构传动连接镀膜装置的传动轴，驱动机构用于驱使传动轴旋转以带动镀膜装置上的工件旋转，能够快速稳定地固定工件，拆卸操作简单，提高加工效率。
- 真空腔室密封结构-202310800245.1
- 满卫东 - 上海铂世光半导体科技有限公司
- 2023-06-30 - 2023-09-29 - C23C16/44
- 本发明提供了一种用于真空腔室的密封结构、一种用于等离子体反应室，以及一种微波等离子体化学气相沉积装置。该真空腔室包括从外部伸入腔体的基台结构，基台结构能绕轴线旋转并上下运动，密封结构用于基台结构与腔体壁之间的动密封，密封结构至少包括设于基台结构与腔体壁之间的第一密封圈，第一密封圈表面涂覆有润滑剂以构成湿式密封，在第一密封圈的真空端一侧设有吸附性填充物。本发明提供的用于真空腔室的密封结构能够提高真空腔室的密封性能、延长密封材料的使用寿命，同时还可以减少密封结构所带来的污染。
- 热丝加热系统及卧式热丝化学气相沉积镀膜设备-202320452097.4
- 余仲;吴刚;高洪臻;韩江 - 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
- 2023-02-28 - 2023-09-29 - C23C16/44
- 本实用新型公开了一种热丝加热系统及卧式热丝化学气相沉积镀膜设备，热丝加热系统包括多个热丝组件，皆设置于卧式热丝化学气相沉积镀膜设备的工艺腔内，且多个热丝在工艺腔内阵列式布置；功率调整单元，用于接入交流电源和向多个热丝组件提供工作电源；控制器，与功率调整单元连接；电流检测单元，与控制器连接。本实用新型实施例使用了交流电对热丝进行供电，极大的降低了整体的成本，提高了加热的稳定性和均匀性，并且，可以有效的降低热丝在加热过程中出现断裂的风险。
- 热炉结构-202321200910.5
- 朱太荣;肖阳;万林;林佳继 - 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
- 2023-05-18 - 2023-09-29 - C23C16/44
- 本实用新型公开了一种热炉结构，该热炉结构包括炉体、炉口法兰和测温装置，炉体的一端敞开设置，另一端封闭设置，炉口法兰配合于炉体的敞开端，测温装置穿设于炉体的封闭端和/或炉口法兰，且伸入炉体内部。本实用新型的热炉结构可以根据实际需要在炉体的密封端和/或炉口法兰上设置测温装置，灵活性较强，能够避免测温装置长度过长的现象发生，既能够降低了材料浪费，又能够有效地降低漏电或者短路的故障的发生概率，降低热炉的结构的使用成本。
- 一种可分段提升旋转的立柱机构及立式成膜装置-202320731235.2
- 刘鹏;徐文立;唐凯凯;沈磊 - 宁波恒普技术股份有限公司
- 2023-03-31 - 2023-09-29 - C23C16/44
- 本实用新型公开了一种可分段提升旋转的立柱机构及立式成膜装置，涉及半导体制备技术领域，反应室提升立柱包括第一驱动结构和中心轴结构，第一驱动结构驱动中心轴结构沿中心轴结构的轴向运动，进气室提升立柱包括第二驱动结构、转轴和转轴外筒，转轴与进气室主体连接，第二驱动结构驱动转轴沿转轴的轴向运动，转轴的下端由中心轴结构的上端伸入至中心轴结构中，转轴与中心轴结构能够沿中心轴结构的轴向相对运动，转轴外筒套设在转轴外侧并与转轴转动连接，转轴外筒与反应室主体连接。本实用新型能够实现进气室主体的单独提升以及进气室主体和反应室主体的共同提升，便于设备组件安装和连续成膜后腔室内部清理，缩短清理维修时长，提高生产效率。
- 用于安瓿的模块化托盘-202222662320.6
- S·L·巴特尔;J·托马斯;B·H·奥尔森;J·N·格雷格 - 恩特格里斯公司
- 2022-10-10 - 2023-09-29 - C23C16/448
- 本申请涉及一种用于安瓿的模块化托盘。用于固体前体材料的递送系统的安瓿的所述模块化托盘用于原子层沉积ALD工艺、化学气相沉积CVD工艺或这两者。所述模块化托盘经配置有单独组件，所述组件可增强所述模块化托盘可插入到所述安瓿中的简易性，且所述托盘经配置以使得与所述安瓿的内壁表面的接触得以改善，从而改善从所述内壁到所述模块化托盘且最终到安置在所述模块化托盘上的所述固体前体材料的热传递。
- 微粒收集装置-202310125621.1
- 金盛珍;朴天英;朴在穆;赵源锡 - 三星显示有限公司
- 2023-02-15 - 2023-09-26 - C23C16/44
- 本公开提供了一种微粒收集装置，包括：第一收集装置，位于在第一方向上传送的衬底上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第二收集装置，在第一方向上与第一收集装置相邻，第二收集装置位于衬底上，并且在第二方向上延伸。第一收集装置收集残留在衬底上的第一微粒，且第二收集装置收集残留在衬底上的第二微粒，第二微粒包括与第一微粒的材料不同的材料。
- 一种气相沉积设备零部件用高压水洗装置-202210004032.3
- 周文;刘勇勋;魏航;王文彬;杨佐东 - 重庆芯洁科技有限公司
- 2022-01-04 - 2023-09-26 - C23C16/44
- 本发明属于水洗设备技术领域，具体公开了一种气相沉积设备零部件用高压水洗装置，包括机架、出水管和连接管，机架上部设有水洗仓，机架下部设有储水仓，水洗仓内设有固定单元和水洗单元；连接管两端分别与水洗单元和储水仓连通，连接管还设有泵体；水洗仓内设有出水口，机架下部设有回收部，回收部与出水口通过连接管连通；固定单元包括底座和固定件，固定件设置在底座上端并用于固定零部件，底座下端设有驱动底座转动的驱动部。采用该高压水洗装置可以提高对气相沉积设备零部件的高压水洗效果，使气相零部件设备被清洗的更加干净。
- 一种遮蔽板及化学气相沉积装置-202210756985.5
- 乔玉;房继红 - 苏州华星光电技术有限公司
- 2022-06-29 - 2023-09-26 - C23C16/44
- 本申请公开了一种遮蔽板及化学气相沉积装置；遮蔽板包括第一遮蔽段、第二遮蔽段及过渡段，第一遮蔽段和第二遮蔽段垂直设置，以及过渡段分别与第一遮蔽段和第二遮蔽段的端部连接，其中，第一遮蔽段、第二遮蔽段和过渡段合围成一开口，第一遮蔽段包括远离遮蔽板的中心的第一侧边，第二遮蔽段包括远离遮蔽板的中心的第二侧边，过渡段包括连接第一侧边和第二侧边的第三侧边，第三侧边与第一侧边和第二侧边呈夹角设置；本申请通过将遮蔽板的第三侧边与第一侧边和第二侧边呈夹角设置，使过渡段的面积减少，从而增大遮蔽板的过渡段与腔室的间隙，增大过渡段处的气流量，从而提高过渡段处的清洁气体的密度，从而加快自清洁的速率，缩小自清洁的时间。
- 成膜装置-201980049511.3
- 饭塚八城 - 东京毅力科创株式会社
- 2019-07-19 - 2023-09-26 - C23C16/448
- 本发明的成膜装置中，载置台能够配置作为成膜对象的被处理体。气体供给部以与载置台相对的方式配置，设置有能够控制成规定温度的加热器，供给载气。气化部配置在载置台与气体供给部之间，由来自气体供给部的热量加热，使以液体的方式供给的成膜材料气化。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
