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[发明专利]用于处理腔室的改良的隔离器-CN202280014221.7在审
发明人： A·达纳克什鲁尔;S·佩马萨尼;M·G·库尔卡尼;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本文提供了用于减少处理腔室内的一个或多个表面上的不期望的残留材料沉积和堆积的装置和方法。在本文公开的实施例中，处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有限定处理容积的腔室底座、一个或多个侧壁和腔室盖；喷头，所述喷头设置在腔室盖中并具有与处理容积相邻的底表面；隔离器，所述隔离器设置在腔室盖和一个或多个侧壁之间。隔离器包括接触喷头的第一端；与第一端相对的第二端；连接到第一端并从第一端朝向第二端径向向外延伸的倾斜内壁；以及与倾斜内壁成不同角度的下内壁。隔离器的第一端和倾斜内壁形成小于90°的第一角度。
用于处理改良隔离器

[发明专利]通过局部离子增强等离子体(IEP)的晶片非均匀性微调-CN202180064293.8在审
发明人： S·佩马萨尼;A·达纳克什鲁尔;M·G·库尔卡尼;K·C·保罗;M·S·K·穆蒂亚拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
通过局部离子增强等离子体 iep 晶片均匀微调